반도체 공정 시스템의 세정 document_id 1020087028982

[청구항 28] 제27항에 있어서,상기 기체상 반응성 물질은 xef2, xef4, nf3, if5, if7, sf6, c2f6, f2, cf4, krf2, cl2, hcl, clf3, clo2, n2f4, n2f2, n3f, nfh2, nh2f, hobr, br2, c3f8, c4f8, c5f8, chf3, ch2f2, ch3f, cof2, hf, c2hf5, c2h2f4, c2h3f3, c2h4f2, c2h5f, c3f6, cocl2, ccl4, chcl3, ch2cl2, 및 ch3cl로 구성된 군에서 선택되는 화합물포함하는장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트는 진공챔버(vacuum chambers), 아크 챔버(arc chambers), 전극(electrodes), 필라멘트(filaments), 고전압 부싱(high voltage bushings), 자석 도파관(magnet waveguides), 웨이퍼 조작 컴포넌트(wafer handling components), 클램프 링(clamp rings), 휠(wheels) 및 디스크(discs)로 구성된 군선택되는장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 컴포넌트는 이온 주입기의 이온소스 영역컴포넌트인장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 이온소스 영역의 이온소스는, 간접적으로 가열된 캐소드 소스(cathod source), 프리만 소스(freeman source) 및 베르나스 소스(bernas source)로 구성된군선택되는소스인장치. [청구항 66] 제65항에 있어서,상기 세정 조성물 소스는 xef2, xef4, xef6, nf3, if5, if7, krf2, sf6, c2f6, f2, cf4, cl2, hcl, clf3, clo2, n2f4, n2f2, n3f, nfh2, nh2f, hobr, br2, c3f8, c4f8, c5f8, chf3, ch2f2, ch3f, cof2, hf, c2hf5, c2h2f4, c2h3f3, c2h4f2, c2h5f, c3f6, cocl2, ccl4, chcl3, ch2cl2, 및 ch3cl로 구성된 군에서 선택되는 기체상 반응성 물질을 포함하는 세정 조성물함유하는어셈블리. [청구항 67] 제65항에 있어서,상기 세정 조성물 소스는 xef2을 포함하는 세정 조성물함유하는어셈블리. [청구항 68] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 밸브(valves), 밸브 작동기(valve actuators), 펌프(pumps), 질량흐름 제어기(mass flow controllers), 압력 게이지(pressure gauges), 잔여가스 분석기(residual gas analyzers), 및 중앙처리장치(central processing units)로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 컴포넌트포함하는어셈블리. [청구항 69] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 70] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도를 초과하는 온도를 포함하는 세정 조건 하작동하는어셈블리. [청구항 71] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 플라즈마의 존재를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 72] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 플라즈마의 부재를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 73] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 정적 모드 세정달성하는어셈블리. [청구항 74] 제73항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 75] 제73항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도 이상의 온도를 포함하는 세정 조건 하작동하는어셈블리. [청구항 76] 제73항에 있어서,상기 유량 부품은 플라즈마의 부재를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 77] 제65항에 있어서,상기 유량 부품은 동적 세정달성하는어셈블리. [청구항 78] 제77항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 79] 제77항에 있어서,상기 유량 부품은 대기온도 이상의 온도를 포함하는 세정 조건 하작동하는어셈블리. [청구항 80] 제77항에 있어서,상기 유량 부품은 플라즈마의 부재를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 81] 제77항에 있어서,상기 유량 부품은 플라즈마의 존재를 포함하는 세정 조건작동하는어셈블리. [청구항 82] 제65항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트는 진공챔버(vacuum chambers), 아크 챔버(arc chambers), 전극(electrodes), 필라멘트(filaments), 고전압 부싱(high voltage bushings), 자석 도파관(magnet waveguides), 웨이퍼 조작 컴포넌트(wafer handling components), 클램프 링(clamp rings), 휠(wheels) 및 디스크(discs)로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나의 컴포넌트포함하는어셈블리. [청구항 83] 제65항에 있어서,상기 하나 이상의 컴포넌트는 그 위에 증착물을 가지고, 상기 증착물은 실리콘(silicon), 붕소(boron), 인(phosphorus), 게르마늄(germanium), 비소(arsenic), 텅스텐(tungsten), 몰리브덴(molybdenum), 셀레늄(selenium), 안티몬(antimony), 인듐 탄탈륨(indium tantalum) 또는 탄소포함하는어셈블리. [청구항 84] 제65항에 있어서,상기 이온주입 시스템은 아크 챔버 및 도판트 소스 기체를 함유하는 도판트 소스를 포함하고, 상기 아크 챔버로 도판트 소스 기체가 공급되며;상기 아크 챔버는 도판트 소스로부터 아크 챔버로 공급된 도판트 소스 기체로부터 플라즈마를 생성하며; 상기 세정 조성물 소스에 함유된 세정 조성물은 xef2를 포함하고, 상기 도판트 소스 기체는 bf3, ash3, ph3, gef4 , sif4 및 h2se로 구성된 군에서 선택되는 기체포함하는어셈블리. [청구항 85] 제84항에 있어서,상기 유량 회로는 세정 조건하에서 상기 세정 조성물을 세정 조성물 소스에서 아크 챔버이송하는어셈블리. [청구항 86] 제85항에 있어서,상기 아크 챔버는, 세정 조건하에서 상기 세정 조성물 소스로부터 아크 챔버로 공급된 xef2로부터 xef2 플라즈마생성하는어셈블리. [청구항 87] 제65항에 있어서,상기 이온주입 시스템은 플라즈마 잠입 이온주입(plasma immersion ion implanation) 및 분자 이온주입(molecular ion implanation)으로 구성된 군에서 선택되는 이온주입 공정수행하는어셈블리. [청구항 94] 제93항에 있어서,다음 중 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법: (i) 접촉 동안에 총 압력변화를 모니터링하고 상기 압력변화가 0이 되면 상기 접촉을 종료하는 단계; 및 (ii) 가스성 xef2 또는 그것으로부터 유래된 반응물 또는 접촉시 생성된 반응 산물의 부분압력을 모니터링하고 상기 부분압력이 규정된 값에 도달하면 상기 접촉종료하는단계. [청구항 137] 제136항에 있어서,상기 세정 조성물 소스는 xef2, xef4, xef6, nf3, if5, if7, krf2, sf6, c2f6, f2, cf4, cl2, hcl, clf3, clo2, n2f4, n2f2, n3f, nfh2, nh2f, hobr, br2, c3f8, c4f8, c5f8, chf3, ch2f2, ch3f, cof2, hf, c2hf5, c2h2f4, c2h3f3, c2h4f2, c2h5f, c3f6, cocl2, ccl4, chcl3, ch2cl2, 및 ch3cl로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나의 기체를 함유하는 기체상 반응성 물질을 포함하는 세정 조성물함유하는어셈블리. [청구항 138] 제137항에 있어서,상기 유량 부품은 밸브(valves), 밸브 작동기(valve actuators), 펌프(pumps), 질량흐름 제어기(mass flow controllers), 압력 게이지(pressure gauges), 잔여가스 분석기(residual gas analyzers), 및 중앙처리장치(central processing units)로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나의 부품포함하는어셈블리.