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매립게이트를 구비한 반도체장치 및 그 제조 방법 document_id 1020090007591

출원번호
1020090007591
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 보호막은 질화막포함하는반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 보호막은 저압화학기상증착법(lpcvd)에 의한 실리콘질화막포함하는반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 매립게이트는, 티타늄질화막(tin), 탄탈륨질화막(tan), 탄탈륨카본질화막(tacn), 텅스텐질화막(wn) 및 텅스텐막(w)으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나포함하는반도체장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 매립게이트는, 티타늄질화막(tin)과 텅스텐막(w)이 적층된 구조포함하는반도체장치. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간절연막은,상기 매립게이트의 표면과 트렌치의 나머지 측벽을 실링하는 제1층간절연막; 및상기 제1층간절연막 상에 형성되어 상기 트렌치의 나머지를 갭필하는 제2층간절연막포함하는반도체장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1층간절연막은 질화막을 포함하고, 상기 제2층간절연막은 산화막포함하는반도체장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 질화막은 저압화학기상증착법(lpcvd)에 의한 실리콘질화막포함하는반도체장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 산화막은 스핀온절연막포함하는반도체장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 층간절연막은, 질화막 또는 산화막포함하는반도체장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 주변회로영역의 기판 상에 상기 주변회로영역에 형성되는 트랜지스터를 위한 게이트절연막더 형성되어 있는반도체장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 보호막은 질화막포함하는반도체장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 보호막은 저압화학기상증착법(lpcvd)에 의한 실리콘질화막포함하는반도체장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 매립게이트는, 티타늄질화막(tin), 탄탈륨질화막(tan), 탄탈륨카본질화막(tacn), 텅스텐질화막(wn) 및 텅스텐막(w)으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나포함하는반도체장치. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 매립게이트는, 티타늄질화막(tin)과 텅스텐막(w)이 적층된 구조포함하는반도체장치. [청구항 17] 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간절연막은,상기 매립게이트의 표면과 트렌치의 나머지 측벽을 실링하는 제1층간절연막; 및상기 제1층간절연막 상에 형성되어 상기 트렌치의 나머지를 갭필하는 제2층간절연막포함하는반도체장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1층간절연막은 질화막을 포함하고, 상기 제2층간절연막은 산화막포함하는반도체장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 질화막은 저압화학기상증착법(lpcvd)에 의한 실리콘질화막포함하는반도체장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 산화막은, 스핀온절연막포함하는반도체장치. [청구항 21] 제11항에 있어서,상기 층간절연막은, 질화막 또는 산화막포함하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
매립게이트의 표면과 트렌치의 나머지 측벽을 실링하는 제1층간절연막 및 상기 제1층간절연막 상에 형성되어 트렌치의 나머지를 갭필하는 제2층간절연막이 포함된 반도체장치에서, 각 층간절연막의 구성 물질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    반도체장치 내 제1층간절연막과 제2층간절연막의 구성 물질을 찾는 것이 과제이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 6에서 제1층간절연막과 제2층간절연막의 구조적 역할을 정의한다.

    • 상기 층간절연막은,상기 매립게이트의 표면과 트렌치의 나머지 측벽을 실링하는 제1층간절연막; 및상기 제1층간절연막 상에 형성되어 상기 트렌치의 나머지를 갭필하는 제2층간절연막포함하는반도체장치
  3. 3근거 선택evidence_selection

    각 층간절연막의 구체적인 물질이 명시된 청구항 7을 선택한다.

    • 상기 제1층간절연막은 질화막을 포함하고, 상기 제2층간절연막은 산화막포함하는반도체장치
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 7에 따라 제1층간절연막은 질화막으로, 제2층간절연막은 산화막으로 구성됨을 확인한다.

    • 상기 제1층간절연막은 질화막을 포함하고, 상기 제2층간절연막은 산화막포함하는반도체장치
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 제1층간절연막은 질화막, 제2층간절연막은 산화막임을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제1층간절연막은 질화막을 포함하고, 제2층간절연막은 산화막을 포함한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
매립게이트의 실링을 위한 제1층간절연막(질화막)과 트렌치 갭필을 위한 제2층간절연막(산화막)의 이중 구조를 통해 트렌치를 형성하는 기술이다.