문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 실리콘기판은 n형불순물도핑된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 워드라인nan은베리어막과금속막및하드마스크막의적층막포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 워드라인 양측면에 스페이서형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 실리콘막으로 구성된 수직 pn다이오드포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 활성영역의 표면과 금속실리사이드막으로 구성된쇼트키 다이오드포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 히터 사이에금속실리사이드막형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 히터 및 상변화막은 콘택홀 내에적층형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 상변화막의 양측면에 스페이서형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 실리콘기판은 n형불순물도핑된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 12]
제 10 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 n형 폴리실리콘막과 p형 폴리실리콘막의 적층막으로 구성된 수직 pn다이오드포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 13]
제 10 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 활성영역의 표면과 금속실리사이드막으로 구성된쇼트키 다이오드포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기 비트라인nan은금속막과하드마스크막의적층막포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 15]
제 10 항에 있어서,상기 스위칭 소자와 비트라인 양측면에 스페이서형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 16]
제 10 항에 있어서,상기 상변화막의 양측면에 스페이서형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
[청구항 17]
제 10 항에 있어서,상기 콘택과 히터 및 상변화막은 콘택홀 내에적층형성된것을특징으로 하는상변화 기억 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
상변화 기억 소자에서 워드라인(nan)을 구성하는 적층막의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation상변화 기억 소자의 워드라인을 구성하는 적층막의 종류를 찾는 것이 과제이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 워드라인의 구성 성분에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 워드라인nan은베리어막과금속막및하드마스크막의적층막포함하는것을특징으로 하는상변화 기억 소자
-
3근거 선택
evidence_selection워드라인의 적층막 구성을 명시한 청구항 3의 구절을 근거로 선택한다.
- 베리어막과금속막및하드마스크막의적층막
-
4논리 통합
logical_integration추출된 구성 요소인 베리어막, 금속막, 하드마스크막이 워드라인의 적층막임을 확인한다.
- 베리어막과금속막및하드마스크막의적층막
-
5결론 도출
conclusion_formulation워드라인을 구성하는 적층막은 베리어막, 금속막, 하드마스크막이다.
- 베리어막과금속막및하드마스크막의적층막
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 생성한다.
- 베리어막과금속막및하드마스크막의적층막
최종 답변 (final_answer)
베리어막과 금속막 및 하드마스크막의 적층막
핵심 해석 (core_interpretation)
상변화 기억 소자의 워드라인은 베리어막, 금속막, 하드마스크막이 적층된 구조로 이루어져 있다.