문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 제 1층 사이에 형성된 실리사이드층더 포함하는다이오드 구조체.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 제 1층 및 상기 제 2층 사이에 형성된 터널링층더 포함하는다이오드 구조체.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 제 1층 또는 상기 제 2층은 n형 반도체층 또는 p형 반도체층 중하나인다이오드 구조체.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 제 1층 또는 상기 제 2층은 각각 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체형성된다이오드 구조체.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 제 1층 또는 상기 제 2층은 각각 반도체 물질과 금속, 금속 실리사이드 중 적어도 어느 하나의 물질형성된다이오드 구조체.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 제 1층 사이에 형성된 실리사이드층더 포함하는저항성 메모리 소자.
[청구항 9]
제 7항에 있어서,상기 제 1층 및 상기 제 2층 사이에 형성된 터널링층더 포함하는저항성 메모리 소자.
[청구항 10]
제 7항에 있어서,상기 제 2층 및 상기 메모리 저항체 사이에 형성된 중간 전극더 포함하는저항성 메모리 소자.
[청구항 11]
제 7항에 있어서,상기 메모리 저항체 상에는 상기 절연층의 측면과 접촉하며 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 상기 메모리 저항체 상에는 상기 상부 전극형성된저항성 메모리 소자.
[청구항 12]
제 7항에 있어서,상기 제 2층 상에는 상기 절연층의 측면과 접촉하며 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 제 2층 상에 상기 메모리 저항체형성된저항성 메모리 소자.
[청구항 13]
제 7항에 있어서,상기 제 2층 상에는 절연층의 측면과 접촉하도록 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 상기 제 2층 상에 형성된 중간 전극을 더 포함하며, 상기 중간 전극 상에 상기 메모리 저항체 및 상기 상부 전극이 순차적형성된저항성 메모리 소자.
[청구항 14]
제 7항에 있어서,상기 메모리 저항체는 전이금속 산화물형성된저항성 메모리 소자.
[청구항 15]
제 13항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 ni 산화물, ti 산화물, hf 산화물, zr 산화물, zn 산화물, w 산화물, co 산화물, cu 산화물 또는 nb 산화물 중 적어도 어느하나의물질포함하여형성된저항성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
저항성 메모리 소자에서 제 2층 상에 형성된 스페이서층에 의해 노출된 제 2층 상에 중간 전극, 메모리 저항체 및 상부 전극이 순차적으로 형성되는 구조는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 2층 상의 스페이서층에 의해 노출된 영역에 중간 전극, 메모리 저항체, 상부 전극이 순차적으로 형성된 구조를 가진 저항성 메모리 소자를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 제 2층 상의 스페이서층, 노출된 제 2층 상의 중간 전극, 그리고 그 상의 메모리 저항체 및 상부 전극의 순차적 형성을 확인한다.
- 상기 제 2층 상에는 절연층의 측면과 접촉하도록 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 상기 제 2층 상에 형성된 중간 전극을 더 포함하며, 상기 중간 전극 상에 상기 메모리 저항체 및 상기 상부 전극이 순차적형성된저항성 메모리 소자
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건(스페이서층에 의해 노출된 제 2층 상에 중간 전극, 메모리 저항체, 상부 전극이 순차적 형성)과 완벽히 일치하는 청구항 13의 구절을 선택한다.
- 상기 제 2층 상에는 절연층의 측면과 접촉하도록 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 상기 제 2층 상에 형성된 중간 전극을 더 포함하며, 상기 중간 전극 상에 상기 메모리 저항체 및 상기 상부 전극이 순차적형성된저항성 메모리 소자
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4논리 통합
logical_integration청구항 13은 제 2층 상에 스페이서층을 형성하고, 노출된 제 2층 위에 중간 전극을, 그 위에 메모리 저항체와 상부 전극을 순차적으로 배치하는 구조를 명시한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation해당 구조를 가진 소자는 청구항 13에 기재된 저항성 메모리 소자이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 청구항 13의 내용을 추출하여 제시한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 제 2층 상에는 절연층의 측면과 접촉하도록 형성된 스페이서층을 더 포함하며, 상기 스페이서층에 의해 노출된 상기 제 2층 상에 형성된 중간 전극을 더 포함하며, 상기 중간 전극 상에 상기 메모리 저항체 및 상기 상부 전극이 순차적 형성된 저항성 메모리 소자
핵심 해석 (core_interpretation)
스페이서층을 통해 제 2층의 일부를 노출시키고, 그 노출된 영역에 중간 전극, 메모리 저항체, 상부 전극을 순차적으로 적층하여 형성하는 저항성 메모리 소자의 구조적 특징을 정의한다.