문맥 (context)
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 하층 보호막은 상기 반도체 기판의 하면 및 상기 반도체 기판의 주위 측면에 형성된 상기 밀봉막의 하면형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 절연막은 무기 재료로 이루어지는 패시베이션막과 그 위에 형성된 유기 수지로 이루어지는 상층 보호막포함하는,반도체 장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 패시베이션막 및 상기 저유전율막 배선 적층 구조부의 측면은 일면형성하고 있는,반도체 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 상층 보호막의 측면은 상기 패시베이션막의 측면보다 내측배치되어 있는,반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 절연막 상에 상기 전극용 접속 패드부를 가지는 상층 배선형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 상층 배선의 접속 패드부 상에 형성된 상기 외부 접속용 범프 전극은 기둥형전극인,반도체 장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 기둥형 전극 상에 땜납볼형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 저유전율막은, si-o 결합과 si-h 결합을 가지는 폴리실록산계 재료, si-o 결합과 si-ch3 결합을 가지는 폴리실록산계 재료, 탄소 첨가 산화실리콘, low-k 재료 중 어느 하나를 포함하거나, 또는 불소 첨가 산화실리콘, 보론 첨가 산화실리콘, 산화실리콘 중 어느 하나로서 포러스(porous)형의 것포함하는,반도체 장치.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 하층 보호막은 상기 반도체 기판의 하면 및 상기 반도체 기판의 주위 측면에 형성된 상기 밀봉막의 하면형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 14]
제11항에 있어서,상기 절연막은 무기 재료로 이루어지는 패시베이션막과 그 위에 형성된 유기 수지로 이루어지는 상층 보호막포함하는,반도체 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 패시베이션막 및 상기 저유전율막 배선 적층 구조부의 측면은 일면형성하고 있는,반도체 장치.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 상층 보호막의 측면은 상기 패시베이션막의 측면보다 내측배치되어 있는,반도체 장치.
[청구항 17]
제11항에 있어서,상기 절연막 상에 상기 전극용 접속 패드부를 가지는 상층 배선형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 상층 배선의 접속 패드부 상에 형성된 상기 외부 접속용 범프 전극은 기둥형전극인,반도체 장치.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 기둥형 전극 상에 땜납볼형성되어 있는,반도체 장치.
[청구항 20]
제11항에 있어서,상기 저유전율막은, si-o 결합과 si-h 결합을 가지는 폴리실록산계 재료, si-o 결합과 si-ch3 결합을 가지는 폴리실록산계 재료, 탄소 첨가 산화실리콘, low-k 재료 중 어느 하나를 포함하거나, 또는 불소 첨가 산화실리콘, 보론 첨가 산화실리콘, 산화실리콘 중 어느 하나로서 포러스(porous)형의 것포함하는,반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 절연막이 패시베이션막과 상층 보호막을 포함할 경우, 패시베이션막의 측면과 상층 보호막의 측면은 각각 어떠한 구조적 관계를 가지는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation절연막이 패시베이션막과 상층 보호막을 포함할 때, 두 막의 측면 간의 구조적 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4를 통해 절연막이 패시베이션막과 상층 보호막을 포함함을 확인하고, 청구항 6을 통해 두 막의 측면 위치 관계를 추출한다.
- 상기 절연막은 무기 재료로 이루어지는 패시베이션막과 그 위에 형성된 유기 수지로 이루어지는 상층 보호막포함하는
- 상기 상층 보호막의 측면은 상기 패시베이션막의 측면보다 내측배치되어 있는
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3근거 선택
evidence_selection상층 보호막의 측면이 패시베이션막의 측면보다 내측에 위치한다는 직접적인 구절을 선택한다.
- 상기 상층 보호막의 측면은 상기 패시베이션막의 측면보다 내측배치되어 있는
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4논리 통합
logical_integration패시베이션막 위에 상층 보호막이 형성되어 있으며, 상층 보호막의 측면이 패시베이션막의 측면보다 안쪽(내측)으로 들어가 있는 구조임을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation상층 보호막의 측면이 패시베이션막의 측면보다 내측에 배치되는 구조적 관계를 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 상층 보호막의 측면이 패시베이션막의 측면보다 내측에 배치된다는 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
상층 보호막의 측면은 패시베이션막의 측면보다 내측에 배치되어 있는 구조적 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 장치의 절연막 구성 시, 상부에 형성되는 유기 수지 재료의 상층 보호막 측면을 하부 무기 재료인 패시베이션막의 측면보다 내측으로 배치하여 구조를 형성한다.