가공데이터 · 특허 지식베이스

플라즈마 발생장치 document_id 1020090035824

출원번호
1020090035824
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 내부가 비어있고, 중앙에 관통공을 갖는 절연진공플레이트(31)에 의해 상부가 밀폐되는 진공챔버(30) 상기 진공챔버(30) 내부의 중앙에 배치되어 외부의 바이어스 알에프(32)를 인가받으며, 그 상면에 기판(33)이 놓여지는 정전척(34) 상기 절연진공플레이트(31)의 관통공에 체결되어 기판(33)의 외부영역을 둘러싸고 그 중앙에 소정의 관통공을 가지는 제1 판형안테나(36a)와, 상기 제1 판형안테나(36a)의 상부를 밀봉되게 덮어씌우는 제1 안테나덮개(36c)를 구비하는 제1 안테나부(36); 및 상기 제1 판형안테나(36a)의 관통공에 체결되어 상기 절연진공플레이트(31)를 밀봉되게 덮어씌우고, 상기 기판(33)의 중심영역에 놓이는 제2 판형안테나(37a)와, 상기 제2 판형안테나(37a)의 상부를 밀봉되게 덮어씌우며 그 외주면에 가스주입구(37g)가 형성된 제2 안테나덮개(37c)를 구비하는 제2 안테나부(37)를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제2 판형안테나(37a)는, 그 중앙이 상기 제1 판형안테나(36a)의 관통공에 체결되도록 하방으로 오목하게 형성된 제2 오목부(37e)가 마련되고, 상기 제2 오목부(37e)의 표면에는 복수의 가스분사구(37d)가 형성된안테나인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)는, 그 중앙이 상기 절연진공플레이트(31)의 관통공에 체결되도록 하방으로 오목하게 형성된 소정의 관통공을 가진 제1 오목부(36e)가 마련된 제1 판형안테나(36a)와, 상기 제1 판형 안테나(36a)의 외주면을 따라 연장된 인덕티브 코일(36b)이 결합된구조인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)는, 그 중앙이 상기 절연진공플레이트(31)의 관통공에 체결되도록 하방으로 오목하게 형성된 소정의 관통공을 가진 제1 오목부(36e)가 마련된제1판형안테나구성된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 제1 안테나덮개(36c)의 상부 외주면에가스주입구형성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제1 오목부(36e)의 표면에,복수의가스분사구형성된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 발생장치는, 상기 제1 안테나부(36) 및 상기 제2 안테나부(37)에 rf 파워를 전달하기 위한소스알에프더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 플라즈마 발생장치는, 상기 소스알에프(35)와 상기 제1 안테나덮개(36c) 사이 또는 상기 소스알에프(35)와 상기 제2 안테나덮개(37c) 사이에 소정의 임피던스 조절수단(35b)을 구비함으로써, 상기 제1 안테나부(36)에 의해 기판(33)의 외부영역에 발생되는 플라즈마와, 상기 제2 안테나부(37)에 의해 기판(33)의 중심영역에 발생되는플라즈마의밀도를독립적제어하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 임피던스 조절수단(35b)은, 병렬공진회로, 직렬공진회로, 병렬가변공진회로 또는 직렬가변공진회로중하나인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 소스알에프(35)는, 상기 제1 안테나부(36)에 rf 파워를 전달하기 위한 제1 소스알에프(90); 및상기 제2 안테나부(37)에 rf 파워를 전달하기 위한제2소스알에프포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 발생장치는, 상기 제1 안테나부(36) 및 상기 제2 안테나부(37) 사이를 절연시키기 위한절연부재더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 12] 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 오목부(36e) 및 상기 제2 오목부(37e)의 하부에는 rf 아킹을 방지하기 위한 절연부재 또는 코팅층(36f, 37f)을 더 구비하며, 상기 절연부재 또는 코팅층(36f, 37f)에는가스홀형성된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 절연부재 또는 코팅층(36f, 37f)의 재료는 세라믹, 실리콘, 쿼츠, 베스펠,테프론또는피크중하나인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 정전척(34)은, 소정의 승강수단을 통해 상하로 승강되면서 상기 제2 안테나(37a)와의 정전용량을 조절할 수된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 승강수단은, 상기 정전척(34)의 저면에서 상기 진공챔버(30)의 바닥면으로 연장되는벨로우즈튜브인것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 바이어스알에프(32)는 바이어스저주파알에프(32a)와 바이어스고주파알에프(32b)로분리구성된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 17] 제3항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)의 제1 판형안테나(36a)에 의해 발생되는 플라즈마 성분인 ccp성분과 인덕티브 코일(36b)에 의해 발생되는 플라즈마 성분인 icp성분 비율을 상기 진공챔버(30)의 임피던스, 상기 인덕티브 코일(36b)의 임피던스의 크기를 변화시킴으로써조절가능하게되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)의 제1 판형안테나(36a)는 원판 형상으로 되고, 인덕티브 코일(36b)은 상기 제1 판형안테나(36a)의 외주면에서 방사상으로 연장되는 제1직선부(36b1)와, 이 제1직선부(36b1)의 단부에서 제1 판형안테나(36a)와 같은 동심원호를 그리면서 곡선 연장되는 원호부(36b2) 및 이 원호부(36b2)의 단부에서 다시 방사상으로 연장되는 제2직선부(36b3)를 포함하는형상으로된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)의 제1 판형안테나(36a)는 사각판 형상으로 되고, 인덕티브 코일(36b)은 상기 제1 판형안테나(36a)의 외주면에서 직각 방향으로 연장되는 제1직선부(36b1)와, 이 제1직선부의 단부에서 다시 사각판과 평행하게 연장되는 연장부(36b2) 및 이 연장부(36b2)의 단부에서 다시 바깥쪽으로 직각 연장되는 제2직선부(36b3)를 포함하는형상으로된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 20] 제18항 또는 제19항에 있어서,상기 인덕티브 코일(36b)의 제2직선부(36b3)의 선단부는, 상기 진공챔버(30)의 상면에 오목홈부(30b)를 형성하고, 이 오목홈부(30b)에 삽입되어 소정의 체결구(30g)로 진공챔버(30)의 상면에체결고정된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 인덕티브 코일(30b)의 제2직선부(30b3)의 선단부에캐패시터더구비한것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 캐패시터는, 상기 인덕티브 코일(30b)의 제2직선부(30b3) 선단부와 상기 진공챔버(30)의 오목홈부(30a) 사이에 유전체(45)를개재된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)는, 하나의 인덕티브 코일(36b)이 제1 판형안테나(36a)의 외주면에서 연장 형성된단일구조로된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 제1 안테나부(36)는, 복수의 인덕티브 코일(36b)이 각각 사각판 형상의 제1 판형안테나(36a)의 적어도 둘 이상의 외주면에서 연장 형성된복합구조로된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 발생장치에서 기판의 외부영역에 발생하는 플라즈마 밀도와 중심영역에 발생하는 플라즈마 밀도를 각각 독립적으로 제어하기 위해 구비되는 수단은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    기판의 외부영역과 중심영역에서 발생하는 플라즈마 밀도를 각각 독립적으로 제어하기 위한 수단을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 8에서 제1 안테나부에 의한 외부영역 플라즈마와 제2 안테나부에 의한 중심영역 플라즈마의 밀도를 독립적으로 제어하는 구성이 언급되었다.

    • 상기 제1 안테나부(36)에 의해 기판(33)의 외부영역에 발생되는 플라즈마와, 상기 제2 안테나부(37)에 의해 기판(33)의 중심영역에 발생되는플라즈마의밀도를독립적제어하는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    독립적 제어를 가능하게 하는 구체적인 수단인 '임피던스 조절수단(35b)'을 근거로 선택한다.

    • 소정의 임피던스 조절수단(35b)을 구비함으로써
  4. 4논리 통합logical_integration

    소스알에프와 각 안테나덮개 사이에 임피던스 조절수단을 구비함으로써 두 영역의 플라즈마 밀도를 독립적으로 제어할 수 있음을 확인한다.

    • 상기 소스알에프(35)와 상기 제1 안테나덮개(36c) 사이 또는 상기 소스알에프(35)와 상기 제2 안테나덮개(37c) 사이에 소정의 임피던스 조절수단(35b)을 구비함으로써
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 제어 수단은 '임피던스 조절수단(35b)'이다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 핵심 용어를 사용하여 최종 답변을 작성한다.

    • 임피던스 조절수단(35b)
최종 답변 (final_answer)
임피던스 조절수단(35b)
핵심 해석 (core_interpretation)
소스알에프와 각 안테나덮개 사이에 임피던스 조절수단을 배치함으로써, 기판의 외부영역과 중심영역에서 발생하는 플라즈마 밀도를 각각 독립적으로 제어할 수 있는 기술이다.