포토레지스트 스트리핑 방법 및 장치 document_id 1020090039399

[청구항 1] 기판으로부터 포토레지스트를 스트리핑하기 위한 장치에서 기판을 지지하는 피데스털(pedestal)에 있어서 상기 피데스털은, a) 0.3 이하의 복사율을 가진 기판에 면하는 표면을 가진 플래튼(platen), b) 플래튼 에 구성된 가열 요소, 그리고, c) 플래튼에 연결되어 액츄에이터와 결합하기 위한 특징부를 가진 샤프트로서, 상기 장치 내에서 피데스털을 하강 위치와 상승 위치 사이에서 이동시킬 수 있게 하는 샤프트 를 포함하는 것을 특징으로 하는 피데스털 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 플래튼의 기판에 면하는 표면은 기판 지지를 위한 하개이상의범프포함하는것을특징으로 하는피데스털. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 범프의 높이 범위nan가0내지010인치인것을특징으로 하는피데스털. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,기판을 면하는 플래튼의 표면이 0.1 내지 0.2의복사율가지는것을특징으로 하는피데스털. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,가열 요소는저항성가열 요소포함하는것을특징으로 하는피데스털. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 샤프트에는 한개이상의제어라인들제공되는것을특징으로 하는피데스털. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,플래튼은 알루미늄으로 만들어지고, 12 내지 13인치의 직경을 가지며, 샤프트는6내지9인치의길이가지는것을특징으로 하는피데스털. [청구항 8] 기판으로부터 포토레지스트를 스트리핑하는 장치에 있어서 상기 장치는, a) 진공 라인에 연결하기 위한 연결부를 지닌 챔버, b) 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스, c) 스트리핑 중 기판을 가열시키기 위한 피데스털로서, 상기 피데스털은 0.3 이하의 복사율을 가진 기판에 면하는 표면을 가진 플래튼과, 상기 플래튼에 연결되어 챔버의 벽과 결합된 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 피데스털, 그리고 d) 챔버 내 상승 위치 및 하강 위치 사이에서 플래튼 을 이동시키기 위한 액츄에이터 를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리핑 장치 [청구항 9] 제 8 항에 있어서,플라즈마와 비활성 기체를 챔버 내로 향하게 하는샤워헤드를추가포함하는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,플라즈마 소스는 플라즈마 발생을 위해 rf코일포함하는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,기판은 부분적으로 제작된 집적 회로 상에유전층포함하는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,플래튼이 하강 위치에 있을 때 기판을 지지하기 위한기판지지메커니즘을추가포함하는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 13] 제 8 항에 있어서,플래튼이 하강 위치에 있을 때, 기판과 기판에 면하는 플래튼 표면 간의 갭이 평균적으로 0.001인치내지3인치범위에있는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 14] 제 8 항에 있어서,기판은 300mm반도체웨이퍼인것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 15] 제 8 항에 있어서,스트리핑 중 기판의 온도는섭씨100도내지300도인것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 16] 제 8 항에 있어서,스트리핑 중 챔버 내의 압력은 300 밀리토르 내지2토르인것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치. [청구항 17] 제 8 항에 있어서,상기 장치는 샤프트 둘레로 구성되어 볼트와 리테이너에 의해 플래튼에 볼트연결되는 플랜지를 추가로 포함하고, 상기 리테이너는 볼트의 움직임을 제한하기 위해 볼트의 다각형 표면과 결합하는리프가지는것을특징으로 하는포토레지스트 스트리핑 장치.