반도체 소자 및 그 제조 방법. document_id 1020090040800

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 에어 스페이서 위에 위치하는 상기 도전 패턴들의 측벽 및 이에 대향하는 콘택 플러그들 측벽과 각각 접촉되는상부스페이서더구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 도전 패턴은 도전 물질 및 하드 마스크가 적층된 구조를 갖고, 상기 상부 스페이서는상기하드마스크의측벽구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 상부 스페이서는 상기 콘택 플러그와 대향하고 있는 도전 패턴들의 상부 측벽에 각각 고립된패턴형상구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 상부 스페이서는 상기 도전 패턴들의 상부 측벽을 따라 연장되는형상갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 콘택 플러그와 대향하지 않는 상기 도전 패턴 사이에는 공기가 채워진에어갭상태인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 콘택 플러그와 대향하지 않는 상기 도전 패턴 사이에는 층간 절연막구비되는 것을반도체 소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 하부 구조물은 트랜지스터, 제1 층간 절연막, 상기 트랜지스터의 불순물 영역과 접속하는 패드 콘택들, 제2 층간 절연막, 및 상기 패드 콘택들 중 일부와 접속하는비트라인콘택포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 에어 스페이서는 상기 콘택 플러그의 상부 측벽으로부터 상기 콘택 플러그의 최하부 측벽까지수직방향연장된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 에어 스페이서는 상기 콘택 플러그의 상부 측벽으로부터 상기 비트 라인 구조물의 저면 부위까지수직방향연장된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 에어 스페이서 위로, 상기 비트 라인 구조물 및 콘택 플러그의 사이에 배치되고, 상기 비트 라인 구조물 및 콘택 플러그의 측벽과 서로 접촉되는상부스페이서더구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 비트 라인 구조물은 비트 라인 및 하드 마스크 패턴을 포함하고, 상기 상부 스페이서는상기하드마스크 패턴접촉하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 상부 스페이서는 상기 콘택 플러그 상부 측벽을 둘러싸는 고립된형상갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 상부 스페이서는도전물질또는절연물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 상부 스페이서는 상기 비트 라인 구조물의 상부 측벽을 따라 연장되는형상갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 상부 스페이서는절연물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 22] 제12항에 있어서,상기 콘택 플러그와 대향하지 않는 상기 도전 패턴 사이에는 공기가 채워진에어갭생성된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 23] 제12항에 있어서,상기 콘택 플러그와 대향하지 않는 상기 도전 패턴 사이에는층간절연물질구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 24] 제12항에 있어서,상기 비트 라인 구조물 측벽에보호막구비되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 25] 제12항에 있어서,상기 상부 절연막을 관통하여 상기 콘택 플러그와 접속하는커패시터더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.