피처리체의 열처리 장치 및 열처리 방법과, 기억 매체 document_id 1020090051396

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 고주파 라인에는 고주파 성분은 통과시키나 저주파 성분 및 직류 성분은 컷트시키는 고주파 필터부가개재설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 가열 수단은 가열 전원과, 당해 가열 전원에 급전 라인을 통하여 접속된저항 가열 히터있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 처리 용기 내를 온도 제어용의 복수의 가열 존으로 분할하기 위해, 상기 저항 가열 히터는 각각 개별로 공급 전력의 제어가 가능하게 이루어진복수의존가열히터구분되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,이웃하는 존 가열 히터 사이는 전기적으로 도통 상태로 되어 있는 한편, 각 존 가열 히터마다급전라인설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,이웃하는 존 가열 히터 사이는 전기적으로 절연 상태로 되어 있는 한편, 각 존 가열 히터마다급전라인설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 제1 도전성 부재및/또는 상기 제2 도전성 부재는상기저항 가열 히터인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 8] 제3항에 있어서,상기 급전 라인에는 가열 전력은 통과시키나 고주파 성분은 컷트시키는 전력 필터부가개재설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 온도 제어부는, 상기 저항 가열 히터에 공급되어야 할 가열 전력과 상기 송신기로부터 송출되어야 할 측정용 전파의 전력을 시분할적으로 송출하게있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 유지 수단은 도전성 재료로 이루어지고, 상기 제1 도전성 부재 및/또는 상기 제2 도전성 부재는상기유지수단인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 가스 도입 수단은 도전성 재료로 이루어지고, 상기 제1 도전성 부재 및/또는 상기 제2 도전성 부재는상기가스도입수단인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 제1 도전성 부재및/또는상기제2도전성부재반도체로이루어지는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 반도체는 폴리실리콘, 단결정 실리콘, sic, sige, can, zno, aln, gaas로 이루어지는 군으로부터 선택되는하나재료로이루어지는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 고주파 라인에는 고주파 성분은 통과시키나 저주파 성분 및 직류 성분은 컷트시키는 고주파 필터부가개재설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 가열 수단은 가열 전원과, 당해 가열 전원에 급전 라인을 통하여 접속된저항 가열 히터있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 처리 용기 내를 온도 제어용의 복수의 가열 존으로 분할하기 위해 상기 저항 가열 히터는 각각 개별로 공급 전력의 제어가 가능하게 이루어진복수의존가열히터구분되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,이웃하는 존 가열 히터 사이는 전기적으로 도통 상태로 되어 있는 한편, 각 존 가열 히터마다급전라인설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,이웃하는 존 가열 히터 사이는 전기적으로 절연 상태로 되어 있는 한편, 각 존 가열 히터마다급전라인설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 급전 라인에는 가열 전력은 통과시키나 고주파 성분은 컷트시키는 전력 필터부가개재설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 21] 제14항에 있어서,상기 온도 측정 수단은 열전대를 갖고 있으며, 상기 제1 도전성 부재 및/또는 상기 제2 도전성 부재는상기열전대인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 열전대에 접속되어 있는 열전대 라인에는 직류 성분은 통과시키나 고주파 전력은 컷트시키는 직류 필터부가개재설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 온도 측정 수단은 상기 열전대를 수용하여 보호하는 도전성 재료로 작성된 보호관을 갖고 있으며, 상기 제1 도전성 부재 및/또는 상기 제2 도전성 부재는상기보호관인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 제1 도전성 부재및/또는상기제2도전성부재반도체로이루어지는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 반도체는 폴리실리콘, 단결정 실리콘, sic, sige, gan, zno, aln, gaas로 이루어지는 군으로부터 선택되는하나재료로이루어지는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 26] 제1항에 있어서,상기 온도 측정용 피처리체에는 복수의 탄성파 소자가 설치되어 있고,상기복수의탄성파소자의주파수대역설정되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 복수의 탄성파 소자는적어도상기온도측정용피처리체의중심부와주변부설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 28] 제4항에 있어서,상기 온도 측정용 피처리체는 각각이 상기 가열 존마다 대응하도록복수설치되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,온도 측정용 피처리체의 탄성파 소자의 주파수 대역nan은상기가열존설정되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 30] 제1항에 있어서,상기 제1 도전성 부재 및 상기 제2 도전성 부재는 일체화되어 있으며, 송신용 안테나의 기능과 수신용 안테나의 기능이 송수신용 안테나의 기능으로서일체화되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 31] 제1항에 있어서,상기 처리 용기에는 상기 피처리체의 열처리를 보조하기 위하여 고주파 전력에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단이 설치되어 있고, 상기 측정용 전파의 주파수 대역은,상기고주파전력의주파수설정되어있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 32] 제1항에 있어서,상기 처리 용기에는 상기 피처리체의 열처리를 보조하기 위하여 고주파 전력에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단이 설치되어 있고, 상기 측정용 전파의 송신 시 및 수신 시에는 일시적으로 플라즈마의 발생이 정지되게있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 33] 제1항에 있어서,상기 탄성파 소자는 표면 탄성파 소자 혹은 벌크 탄성파 소자 혹은 경계 탄성파 소자 중 어느하나선택되는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 34] 제1항에 있어서,상기 탄성파 소자는 란탄 탄탈산 갈륨알루미늄(ltga), 수정(sio2), 산화아연(zno), 로셀염(주석산 칼륨나트륨:knac4h4o6), 티탄산지르콘산납(pzt:pb(zr, ti)o3, 니오브산 리튬(linbo3), 탄탈산 리튬(litao3), 리튬테트라보레이트(li2b4o7), 란가사이트(la3ga5siol4), 질화알루미늄, 전기석(토르말린), 폴리불화 비닐리덴(pvdf)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는하나의재료의기판소자인것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 35] 제1항에 있어서,상기 온도 제어부는 상기 온도 분석부로부터의 출력 혹은 상기 온도 측정 수단으로부터의 출력 혹은 미리 기억된 열 모델로부터의 출력 중 어느 하나 혹은 복수를 조합하여 상기 가열 수단을 제어하게있는것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 36] 제1항에 있어서,상기 온도 분석부로부터의 출력을 기억하는기억부더구비한것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치. [청구항 37] 제1항에 있어서,상기 온도 분석부로부터의 출력을 표시하는표시부더구비한것을특징으로 하는,피처리체의 열처리 장치.