상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 document_id 1020090053630

[청구항 1] 제 1 화소영역과 제 2 화소영역을 포함하는 단위 화소영역이 정의(定義)된 제 1 기판과 상기 제 1 기판 상의 상기 제 1 화소영역의 경계에 서로 교차하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과 상기 데이터 배선 또는 게이트 배선과 나란하게 이격하며 형성된 전원배선과 상기 제 1 화소영역에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 상기 제 1 화소영역에 상기 전원배선 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결되며 형성된 구동 박막트랜지스터와 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 그 표면이 평탄한 상태를 이루며, 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 드레인 콘택홀 을 구비하며 형성된 보호층과 상기 보호층 위로 상기 단위 화소영역 내에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하며 형성되며, 이웃한 단위 화소영역 내의 제 1 화소영역과 중첩하도록 형성된 제 1 전극과 상기 제 2 화소영역의 경계에 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 동시에 상기 드레인 콘택홀을 덮으며 형성된 뱅크와 상기 뱅크 내측의 상기 제 2 화소영역 내에 구비된 상기 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과 상기 유기 발광층과 상기 뱅크를 덮으며 상기 기판 전면에 형성된 제 2 전극 을 포함하며, 상기 제 2 화소영역의 하측 경계를 이루는 뱅크 부분이 상기 제 1 화소영역 내에 형성된 상기 드레인 콘택홀과 중첩하도록 배치됨으로써 상기 제 2 화소영역의 개구율을 극대화하며, 하나의 상기 단위 화소영역내에 구비된 상기 제 2 화소영역 내에 상기 제 1 화소영역의 경계가 위치하도록 상기 제 1 화소영역을 기준으로 상기 제 2 화소영역이 쉬프트 된 형태를 이루는 것이 특징인 상부발광 방식 유기전계 발광 소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 제 1 화소영역의 경계에 형성된 상기 게이트 배선과 중첩하도록 형성되거나, 또는 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 모두 중첩하도록구성된것특징인상부발광 방식 유기전계 발광 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터는 다수개 형성되며, 상기 드레인 콘택홀은 상기 다수개의 구동 박막트랜지스터 중 어느 하나의 구동 박막트랜지스터에 대해서구비된것특징인상부발광 방식 유기전계 발광 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 화소영역과 제 2 화소영역nan은모두사각형형태이루는것특징인상부발광 방식 유기전계 발광 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 화소영역은 사각형 형태를 이루며, 상기 제 2 화소영역은팔각형형태이루는것특징인상부발광 방식 유기전계 발광 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 유기 발광층은 단일층 구조로 유기 발광물질층으로 구성되거나, 또는 다중층 구조로서 정공주입층/정공수송층/발광 물질층/전자수송층/전자주입층구성된것특징인상부발광 방식 유기전계 발광소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 뱅크와 상기 제 2 전극 사이에 댐형태 또는 기둥 형태의 스페이서포함하는상부발광 방식 유기전계 발광소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터는, 순차 적층된 형태로 순수 다결정 실리콘의 제 1 영역과 이의 양측에 불순물이 도핑된 제 2 영역을 갖는 반도체층과, 상기 반도체층 위로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위로 상기 제 1 영역에 대응하여 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위로 상기 제 2 영역을 각각 노출시키며 형성된 층간절연막과, 상기 층간절연막 위로 상기 제 2 영역과 각각 접촉하며 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극구성된상부발광 방식 유기전계 발광소자.