플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 document_id 1020090060155

[청구항 1] 진공용기와, 상기 진공용기 내에 플라즈마용 가스를 도입하는 가스 도입수단과, 상기 진공용기 내로 도입된 상기 가스의 압력을 제어하는 압력 제어수단과, 상기 진공용기 내로 도입된 상기 가스에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생수단과, 플라즈마처리되는 피처리물을 상기 진공용기 내에 탑재하는 탑재수단과, 상기 탑재수단에 고주파 바이어스를 인가하는 고주파 바이어스 인가수단을 구비하는 플라즈마처리장치에 있어서, 상기 플라즈마발생수단의 플라즈마 소스전원과 상기 고주파 바이어스 인가수단의 고주파 바이어스전원과는 다른, 미소 출력 발진 주파수를 상기 진공용기 내로 발진하는 프로브 고주파 발진수단과, 상기 프로브 고주파 발진수단으로부터 발진되는 고주파를 플라즈마와는 절연층을 거쳐 접하는 면에서 수신하고, 상기 피처리물의 표면에 대하여 평행방향 및 수직방향으로 배치된 복수의 고주파 수신수단과, 상기 프로브 고주파 발진수단과 상기 고주파 수신수단으로 형성되는 전기회로 내의 발진 주파수마다의 임피던스, 또는 발진 주파수마다의 반사율 및 투과율을 측정하고, 측정한 상기임피던스 또는 상기 반사율 및 상기 투과율을 사용하여, 플라즈마 밀도나 분포의 변화량을 연산하는 고주파 해석수단을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 프로브 고주파 발진수단은, 다른 복수의 주파수를 가지는상기고주파 바이어스전원또는상기플라즈마소스전원인것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 프로브 고주파 발진수단이 주파수 소인수단을 구비하고, 상기 주파수 소인수단이 발진하는 소인 발진 주파수가 플라즈마의 밀도에 대응하는 플라즈마 진동수를 포함하며, 또한, 상기 고주파 수신수단이상기소인발진주파수동기하는것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 프로브 고주파 발진수단이 발진하는 상기 소인 발진 주파수의 범위가, 100 khz이상이하인것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 5] 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리물의 표면에 대하여 수평방향으로 배치되는 상기 고주파 송수신 수단은, 상기 탑재수단에 설치되어 있는정전흡착용전극인것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 정전 흡착용 전극은, 동심원 형상으로 2개로 분할된다이폴형의정전흡착전극인것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 7] 제 5항에 있어서,상기 프로브 고주파 발진수단으로부터의 고주파는, 상기 진공용기 내에 배치된안테나공급되는것을특징으로 하는플라즈마처리장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 프로브 고주파 발진수단으로부터의 고주파는, 상기 진공용기 내에 배치된상기탑재수단공급되는것을특징으로 하는플라즈마처리장치.