문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상에 제1채널을 정의하여 형성된 하부 폴리실리콘 게이트 및 하부절연막
상기 제1채널의 측벽에 형성된 하부 게이트절연막
상기 제1채널에 형성된 제1채널 폴리실리콘층
상기 하부절연막 및 상기 하부 게이트절연막 상에 형성된 스탑패턴층
상기 스탑패턴층 상에 차례로 교번하여 제2채널을 정의하며 형성된 (n+1)개의 산화막 및 n개의 측벽이 리세스된 게이트 폴리실리콘층
상기 n개의 게이트 폴리실리콘층의 리세스된 부위에 형성된 금속 또는 금속실리사이드
상기 제2채널의 측벽에 형성된 ono막; 및
상기 제2채널에 형성된 제2채널 폴리실리콘층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 수직채널형 비휘발성 메모리 장치
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 스탑층은질화막인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드는 cosi, nisi 및 wsi중하나인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속은 co, ni 및 w중하나인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
[청구항 5]
기판 상에 제1채널을 정의하여 형성된 하부 폴리실리콘 게이트 및 하부절연막
상기 제1채널의 측벽에 형성된 하부 게이트절연막
상기 제1채널에 형성된 제1채널 폴리실리콘층
상기 하부절연막 및 상기 하부 게이트절연막 상에 형성된 스탑패턴층
상기 스탑패턴층 상에 차례로 교번하여 제2채널을 정의하며 형성된 (n+1)개의 측벽이 리세스된 산화막 및 n개의 게이트 폴리실리콘층
상기 (n+1)개의 리세스된 산화막 부위에 형성된 금속 또는 금속실리사이드
상기 제2채널의 측벽에 형성된 ono막; 및
상기 제2채널에 형성된 제2채널 폴리실리콘층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 수직채널형 비휘발성 메모리 장치
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 스탑층은질화막인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
[청구항 7]
제 5항에 있어서,상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드는 cosi, nisi 및 wsi중하나인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속은 co, ni 및 w중하나인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수직채널형 비휘발성 메모리 장치에서 리세스된 게이트 폴리실리콘층 부위에 형성될 수 있는 금속실리사이드의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation수직채널형 비휘발성 메모리 장치의 리세스된 게이트 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드의 종류를 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드의 종류가 명시되어 있다.
- 상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드는 cosi, nisi 및 wsi중하나인것을특징으로 하는수직채널형 비휘발성 메모리 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '금속실리사이드'에 대한 직접적인 정보를 포함하는 청구항 3의 구절을 선택한다.
- 상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드는 cosi, nisi 및 wsi중하나
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4논리 통합
logical_integration청구항 3에 따라 리세스된 부위에 형성될 수 있는 금속실리사이드는 cosi, nisi, wsi 중 하나임을 확인한다.
- 상기 리세스된 폴리실리콘층 부위에 형성되는 금속실리사이드는 cosi, nisi 및 wsi중하나
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 금속실리사이드의 종류를 리스트 형태로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변으로 cosi, nisi, wsi를 제시한다.
최종 답변 (final_answer)
cosi, nisi, wsi
핵심 해석 (core_interpretation)
수직채널형 비휘발성 메모리 장치의 게이트 폴리실리콘층 리세스 부위에 형성되는 금속실리사이드의 구체적인 물질 종류(cosi, nisi, wsi)를 정의한다.