공정 민감도가 감소된 전극-반도체 정류기 document_id 1020090072142

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 경사 영역은 상기 메사 영역의 상면으로부터 적어도 1/4마이크론의깊이갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 경사 영역 아래에 배치되는 상기 메사 영역의 일부분은 상기 메사 영역의 상면으로부터 깊이가 증가할수록 증가하는도핑 농도갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 메사 영역은 상기 제2 전극과 상기 메사 영역의 상기 경사 영역 사이에 위치하는 일부분을 포함하고, 상기 메사 영역의 상기 일부분의 도핑 농도는 상기 메사 영역의 상면으로부터 깊이가증가증가하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 트렌치 전극은 적어도 하나의 측벽 및 하부벽을 갖고,상기 반도체 소자는,상기 반도체 층 내에 상기 트렌치 전극의 하부벽에 인접하게 배치되고, 상기 메사 영역의 최대 도핑 농도 값보다 큰 순 도핑 농도를 가지는 강화된도핑영역더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 강화된 도핑 영역의 상기 순 도핑 농도는 상기 메사 영역의 상기 최대 도핑 농도 값보다 적어도 2x1016cm-3만큼 더 큰 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 경사 영역은 최대 도핑 농도와 최소 도핑 농도를 가지며, 상기 최소 도핑 농도에 대한상기최대도핑 농도의비2이상인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 메사 영역의 최대 도핑 농도는 2x1017cm-3이하인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 경사 영역은 8x1016cm-3이하의최대도핑 농도갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 제1 전극의 상면nan은상기제2전극접촉하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 경사 영역은 상기 메사 영역의 높이의 1/2보다 작은깊이갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 트렌치 전극은 상기 제1 전극을 상기 메사 영역으로부터 절연시키는 유전체를 포함하고,상기 제2 전극은 상기 메사 영역의 상면 상에 배치되는 제1 부분 및 상기 제1 전극의 상면 상에 배치되는 제2 부분을 포함하고,상기 제2 전극의 상기 제1 부분은 상기 유전체에 의해상기제2전극의상기제2부분의적어도일부분과전기적절연되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 경사 영역은 최대 도핑 농도 및 최소 도핑 농도를 갖고, 상기 최소 도핑 농도에 대한상기최대도핑 농도의비2이상인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 일부분은 제1 부분이고, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극 상에 배치된제2부분포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 22] 제 19 항에 있어서,상기 일부분은 제1 부분이고, 상기 제2 전극은 상기 메사 영역 상에 배치되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 전극의 상기 제2 부분은 상기 유전체에 의해상기제1전극의적어도일부분절연되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 메사 영역의 상기 제 1 일부분은 상기 반도체층의 상기 상면의 3/8마이크론내위치하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 메사 영역은 상기 메사 영역의 제 2 일부분 내에 위치하는 상기 제 1 도전형의 경사 순 도핑 농도를 더 포함하며, 상기 제 2 일부분은 상기 제 1 일부분 아래에 위치하며, 상기 제 2 일부분 내의 상기 경사 순 도핑 농도는 상기 메사 영역의 상기 상면으로부터의 거리에 따라서값증가하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 26] 제 23 항에 있어서,상기 메사 영역은 상기 메사 영역의 제 2 일부분 내에 위치하는 상기 제 1 도전형의 경사 순 도핑 농도를 더 포함하며, 상기 제 2 일부분은 상기 제 2 전극과 상기 메사 영역의 상기 제 1 일부분 사이에 배치되며, 상기 제 2 일부분의 상기 경사 순 도핑 농도는 상기 메사 영역의 상기 상면으로부터의 거리에 따라서값증가하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 27] 제 23 항에 있어서,상기 트렌치 전극은 적어도 하나의 측벽 및 하부벽을 가지며,상기 메사 영역은 상기 제 1 도전형의 순 도핑 농도의 최대값을 가지며,상기 반도체 소자는, 상기 반도체층 내에 배치되며, 상기 메사 영역의 상기 순 도핑 농도의 최소값보다 큰 상기 제 1 도전형의 순 도핑 농도를 가지며, 상기 전기적으로 절연되는 전극의 하부벽에 인접하게 배치되는 강화된도핑영역더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 28] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 일부분은 순 도핑 농도의 최대값, 순 도핑 농도의 최소값, 및 상기 최소값에 대한 상기 최대값의 비율을 가지며,상기비율2이상인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 29] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메사 영역 내의 상기 제 1 도전형의 최대순도핑 농도3이하인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 30] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메사 영역의 상기 제 1 일부분은 8x1016cm-3 이하의 최대 순도핑 농도갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 31] 제 23 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 도전형nan은인것을특징으로 하는반도체 소자.