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반도체 소자 및 그 제조 방법 document_id 1020090080746

출원번호
1020090080746
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제1 오믹전극들은 상기 쇼트키 전극부의 내부에서 서로 격자 배열배치되는반도체 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제1 오믹전극들은 상기 반도체층의 중심으로 원중심으로 하는 링 형상을 가지고,상기 제1 오믹전극들 각각은 서로 상이한 크기의 직경을 갖는 링 형상갖는반도체 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제1 오믹전극들은 상기 중앙 영역에서 상기 반도체층에 접합하여 오믹 컨택을 이루고,상기 제2 오믹전극은 상기 가장자리 영역에서 상기 반도체층에 접합하여 오믹 컨택을 이루고,상기 쇼트키 전극은 상기 제1 오믹전극들에 인접하는 상기 반도체층에 접합하어 쇼트키 컨택이루는반도체 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상에 배치되며, 갈륨질화물(gan)을 갖는 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되며, 알루미늄갈륨질화물(algan)을 갖는 제2 질화막포함하는반도체 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 쇼트키 전극부는 상기 반도체층 내부로 연장되되,상기 쇼트키 전극부의 하부면 높이는 상기 제1 오믹 전극의 하부높이에 비해낮은 반도체 소자. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 쇼트키 전극부는 상기 제2 질화막 내부로 연장되고, 상기 제1 질화막이격된반도체 소자. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 쇼트키 전극부는 상기 제2 질화막을 관통하여 상기 제1 질화막 내부연장된반도체 소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 제1 오믹전극은 상기 제2 질화막 내부로 연장되고, 상기 제1 질화막이격된반도체 소자. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 제1 오믹전극은 상기 제1 질화막을 관통하여 상기 제2 질화막 내부연장된반도체 소자. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 제1 오믹전극 및 상기 제2 오믹전극 사이에 배치된 절연막으로 이루어진 필드 플레이트더 포함하는반도체 소자. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 필드 플레이트의 내측부는 상기 쇼트키 전극에 의해 덮혀지고, 상기 필드 플레이트의 외측부는 상기 제2 오믹전극에 의해 덮혀지고, 상기 필드 플레이트의 중앙부노출되는반도체 소자. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 쇼트키 전극부는 상기 제1 오믹전극들과 서로 상하로 맞물려 요철 구조이루는반도체 소자. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 제1 접합부분은 상기 제1 오믹전극들의 상부에서 상기 제1 오믹전극들에 접합되고,상기 제2 접합부분은 상기 제1 오믹전극들에 인접하는 상기 반도체층의 영역접합되는반도체 소자. [청구항 16] 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 쇼트키 전극부의 온-전압보다 같거나 높은 순방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 쇼트키 전극부로부터상기2차원전자가스로의전류흐름허용하도록제공되는반도체 소자. [청구항 17] 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 쇼트키 전극부의 온-전압보다 낮은 순방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 쇼트키 전극부로부터 상기 2차원 전자 가스로의 전류 흐름차단하는반도체 소자. [청구항 18] 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 역방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 제1 오믹 전극들로부터 상기 2차원 전자 가스로의 전류 흐름차단하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자의 쇼트키 전극부가 제2 질화막을 관통하여 제1 질화막 내부로 연장되는 경우, 제1 질화막과 제2 질화막의 에너지 밴드 갭 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    쇼트키 전극부가 제2 질화막을 관통하여 제1 질화막 내부로 연장되는 조건에서, 제1 질화막과 제2 질화막의 에너지 밴드 갭 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 8에서 쇼트키 전극부가 제2 질화막을 관통하여 제1 질화막 내부로 연장되는 구성을 확인한다.

    • 상기 쇼트키 전극부는 상기 제2 질화막을 관통하여 상기 제1 질화막 내부연장된
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 8의 전제 조건인 제1 질화막과 제2 질화막의 에너지 밴드 갭 관계에 관한 구절을 선택한다.

    • 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 8에 따르면, 제2 질화막은 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는다고 명시되어 있다.

    • 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    따라서 제2 질화막의 에너지 밴드 갭이 제1 질화막보다 높다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 제2 질화막이 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는다고 답변한다.

    • 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막
최종 답변 (final_answer)
제2 질화막이 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드 갭을 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 질화막보다 에너지 밴드 갭이 높은 제2 질화막을 포함하며, 쇼트키 전극부가 제2 질화막을 관통하여 제1 질화막 내부로 연장되는 구조를 특징으로 한다.