유기전계발광소자 document_id 1020090082809

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 화학식(i)의 안트라센 유도체가 하기 화학식 (ⅰ-a)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.화학식 (ⅰ-a)(상기 식에서, x1 내지 x8, a2 및 a3는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 3 내지 10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-40의 아릴실릴기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 인접한 작용기 사이에 고리를 형성하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있고, n 또는 o은 0 내지 5의 정수2 이상인경우 복수의 a2 및 a3는 각각 독립적으로 동일 또는 상이하다). [청구항 3] 제2항에 있어서,상기x1 내지 x8, a2 및 a3의 치환기는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 시아노기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되며, 모체에 1가또는2가로치환되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 화학식(ⅱ)의 아민 유도체가 하기 화학식 (ⅱ-a)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.화학식 (ⅱ-a)상기 식에서, a4 내지 a6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 3 내지 10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-40의 아릴실릴기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 인접한 작용기 사이에 고리를 형성하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있고, p 또는 q는 0 내지 4의 정수를 나타내며, p는 1 보다 크고, p 및 q가 2 이상인 경우 복수의 a4 내지 a6는 각각 독립적동일하거나상이하다). [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 화학식(ⅱ)의 아민 유도체가 하기 화학식 (ⅱ-b)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.화학식 (ⅱ-b)상기 식에서 ar1 및 ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 1 내지 30의 아릴알킬아미노기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 40의 실릴기, 수소 및 중수소로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 인접한 작용기 사이에 고리를 형성하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있고, a7 및 a8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 3 내지 10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-40의 아릴실릴기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 인접한 작용기 사이에 고리를 형성하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있고, r은 0 내지 4의 정수를 표시하며, r은 1 이상2 이상인경우 복수의 a7 및 a8은 각각 독립적으로 동일 또는 상이하다). [청구항 6] 제1항에 있어서,화학식ⅱ의 아민 유도체가 하기 화학식 ⅱ-c로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.화학식 (ⅱ-c)상기 식에서 a9 내지 a15는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 3 내지 10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-40의 아릴실릴기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군에서 선택되며, 이때 인접한 작용기 사이에 고리를 형성하여 포화 또는 불포화고리를 형성할 수 있고, s 및 t는 0 내지 5의 정수를 나타내며, u 내지 w는 0 내지 2의 정수를 나타내고, v 와 w의 합은 1 이상이며, s 내지2 이상인경우 복수의 a9 내지 a15는 각각 독립적으로 동일 또는 상이하다) [청구항 7] 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기a4 내지 a15, ar1 및 ar2의 치환기는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기, 시아노기, 할로겐기, 수소 및 중수소로 이루어진 군으로부터 선택되며, 모체에 1가또는2가로치환되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극 사이에, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 포함하며, 상기 (화학식 i의 안트라센 유도체) 및 제2성분(화학식 ii의 아민 유도체)은상기발광층포함된것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 발광층에 사용되는 제1성분(화학식 i의 안트라센 유도체) 대비 제2성분(화학식 ii의 아민 유도체)의 비율이30중량이하인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극 사이에, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 포함하며, 상기 제1성분(화학식 i의 안트라센 유도체) 및 제2성분(화학식 ii의 아민 유도체)은 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된하나이상의층포함된것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 11] 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이단분자증착방식또는용액공정형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 12] 제1항에 있어서,표시소자,디스플레이소자및단색또는백색조명용소자사용되는것을특징으로 하는유기전계발광소자.