반도체 소자 및 그 제조 방법 document_id 1020090084597

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 오믹 전극부는 상기 오믹 전극 라인들의 일단들 각각에 연결되는 오믹 전극판을 더 포함하고,상기 쇼트키 전극부는 상기 쇼트키 전극 라인들의 일단들 각각에에 연결되는 쇼트키 전극판을 더 포함하되,상기 오믹 전극부와 상기 쇼트키 전극부는 상기 오믹 전극 라인들 중 두 개 사이에 상기 쇼트키 전극 라인들 중 하나가 배치됨으로써, 깍지낀 형상이루는반도체 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제1 오믹 전극은 섬(island) 형상의 횡단면을 갖는 복수의 오믹 컨택 필라들로 이루어지고,상기 오믹 컨택 필라들과 상기 쇼트키 전극 라인들은 서로 상하로 맞물려 요철 구조이루는반도체 소자. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 오믹 전극부는 상기 반도체층 상에서 상기 쇼트키 전극 라인들에 의해 덮히는 제1 오믹 전극을 더 포함하되,상기 제1 오믹 전극은 상기 제1 방향을 따라 길게 배치된 라인을 갖는 오믹 컨택 라인들포함하는반도체 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 내부에 2차원 전자 가스(2-dimensional electorn gas:2deg)를 생성하도록 제공되되,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상에 배치되며, 갈륨질화물(gan)을 갖는 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되며, 알루미늄갈륨질화물(algan)을 갖는 제2 질화막포함하는반도체 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판에 인접한 하부층; 및상기 하부층에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 상부층을 포함하고,상기 반도체 소자는 상기 상부층 상에 배치되며, 상기 상부층에 비해 높은 불순물 농도를 갖는 제2 반도체층더 포함하는반도체 소자. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 상부층에는 상방향으로 돌출된 돌출부가 더 제공되고,상기 제2 반도체층은 상기 돌출부 상배치되는반도체 소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 쇼트키 전극부는:상기 제1 오믹전극에 접합하는 제1 접합부분; 및상기 제1 오믹전극과 상기 오믹 전극 라인들 사이의 영역의 상기 반도체층에 접합하는 제2 접합부분포함하는반도체 소자. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드를 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 쇼트키 전극부의 상기 제2 접합부분은 상기 제2 질화막 내부로 연장되고, 상기 제1 질화막이격된반도체 소자. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드를 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 쇼트키 전극부의 상기 제2 접합부분은 상기 제2 질화막을 관통하여 상기 제1 질화막 내부연장된반도체 소자. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 높은 에너지 밴드를 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 오믹 전극부는 상기 제2 질화막 내부로 연장되고, 상기 제1 질화막이격된반도체 소자. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드를 갖는 제2 질화막을 포함하되,상기 오믹 전극부는 상기 제1 질화막을 관통하여 상기 제2 질화막 내부연장된반도체 소자. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 오믹 전극 라인들 및 상기 쇼트키 전극 라인들 사이의 상기 반도체층 상에 배치된 필드 플레이트더 포함하는반도체 소자. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 필드 플레이트의 일측부는 상기 오믹 전극부에 의해 덮혀지고,상기 일측부의 반대편인 상기 필드 플레이트의 타측부는 상기 쇼트키 전극부에 의해덮혀지는반도체 소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 오믹 전극부와 상기 쇼트키 전극부는 상기 오믹 전극 라인들과 상기 쇼트키 전극 라인들이 서로 교대로 배치됨으로써, 서로 깍지낀 형상이루는반도체 소자. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 제1 오믹전극은 섬(island) 형상의 횡단면을 갖는 복수의 오믹 컨택 필라들로 이루어지되,상기 오믹 컨택 필라들과 상기 쇼트키 전극 라인들은 서로 상하로 맞물려 요철 구조이루는반도체 소자. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 제1 오믹전극은 상기 오믹 전극 라인의 길이 방향을 따라 길게 배치되는 오믹 전극 라인들이루어지는반도체 소자. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 반도체층은 내부에 2차원 전자 가스(2-dimensional electorn gas:2deg)를 생성하도록 제공되되,상기 반도체층은:상기 베이스 기판 상에 배치되며, 갈륨질화물(gan)을 갖는 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되며, 알루미늄갈륨질화물(algan)을 갖는 제2 질화막포함하는반도체 소자. [청구항 20] 제 15 항에 있어서,상기 반도체층은:상기 베이스 기판에 인접한 하부층; 및상기 하부층에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 상부층을 포함하고,상기 반도체 소자는 상기 상부층 상에 배치되며, 상기 상부층에 비해 높은 불순물 농도를 갖는 제2 반도체층더 포함하는반도체 소자. [청구항 21] 제 15 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 쇼트키 전극부의 온-전압보다 같거나 높은 순방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 쇼트키 전극부로부터 상기 오믹 전극 라인들로의전류흐름허용하도록제공되는반도체 소자. [청구항 22] 제 15 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 쇼트키 전극부의 온-전압보다 낮은 순방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 쇼트키 전극부로부터 상기 오믹 전극 라인들로의 전류 흐름차단하는반도체 소자. [청구항 23] 제 15 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 소자가 역방향 전압으로 구동되는 경우의 상기 공핍 영역은 상기 제1 오믹 전극으로부터 상기 오믹 전극 라인들로의 전류 흐름차단하는반도체 소자. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는:상기 베이스 기판 상에 갈륨질화물(gan)을 갖는 제1 질화막을 형성하는 단계; 및상기 제1 질화막 상에 알루미늄갈륨질화물(algan)을 갖는 제2 질화막을 형성하는 단계포함하는반도체 소자.