문맥 (context)
[청구항 1]
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 주면(主面)에 유지하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극에 대향하여 상기 챔버 내에 배치된 제 2 전극과,
상기 제 1 전극에 대하여 주파수가 40㎒ 이상인 rf 전압을 인가하는 rf 전원과,
상기 rf 전압에 중첩하여, 시간의 경과에 대응하여 전압이 저하하는 펄스 전압을 상기 제 1 전극에 인가하는 펄스 전압 인가부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,시간의 경과에 대응하여 주기적으로 저하하는 전압을 출력하는 전원과,상기 전원으로부터 출력되는 전압을 소정의 간격으로 상기 제 1 전극에 인가하는제1전환부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,서로 다른 전압을 출력하는 복수의 전원과,상기 전원으로부터 출력되는 전압을 소정의 간격으로 전환하여 상기 제 1 전극에 인가하는제2전환부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,상기 제 1 전극의 전압을 측정하는 전압 측정부와,상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 제 2 전환부에 상기 전원으로부터 출력되는 전압의 전환을 지시하는전환지시부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,플라즈마 상태를 측정하는 플라즈마 측정부와,상기 플라즈마 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 제 2 전환부에 상기 전원으로부터 출력되는 전압의 전환을 지시하는전환지시부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 상태는플라즈마의전자밀도또는전자온도인것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 7]
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 주면에 유지하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극에 대향하여 상기 챔버 내에 배치된 제 2 전극과,
상기 제 1 전극에 대하여 주파수가 40㎒ 이상인 rf 전압을 인가하는 rf 전원과,
펄스 전압을 상기 rf 전압에 중첩하여 상기 제 1 전극에 인가하는 펄스 전압 인가부와,
상기 제 1 전극과 상기 펄스 전압 인가부의 사이에 개재되고, 상기 제 1 전극에 대하여 직렬로 접속된 가변 용량 콘덴서와,
상기 제 1 전극의 전압을 측정하는 전압 측정부와,
상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 가변 용량 콘덴서의 전하 용량을 변화시키는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
[청구항 8]
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 주면에 유지하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극에 대향하여 상기 챔버 내에 배치된 제 2 전극과,
상기 제 1 전극에 대하여 주파수가 40㎒ 이상인 rf 전압을 인가하는 rf 전원과,
펄스 전압을 상기 rf 전압에 중첩하여 상기 제 1 전극에 인가하는 펄스 전압 인가부와,
상기 제 1 전극과 상기 펄스 전압 인가부의 사이에 개재되고, 상기 제 1 전극에 대하여 직렬로 접속된 가변 용량 콘덴서와,
플라즈마의 전자 밀도를 측정하는 플라즈마 측정부와,
상기 플라즈마 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 가변 용량 콘덴서의 전하 용량을 변화시키는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
[청구항 9]
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 주면에 유지하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극에 대향하여 상기 챔버 내에 배치된 제 2 전극과,
상기 제 1 전극에 대하여 주파수가 40㎒ 이상인 rf 전압을 인가하는 rf 전원과,
휴지 시간 t1, 주파수 ω1로 반복되는, n1개의 펄스 형상 파형을 포함하는 펄스군 파형의 제 1 기간과, 펄스 형상 파형을 포함하지 않고, 또한 이 휴지 시간 t1보다 긴 휴지 시간 t2의 제 2 기간이 반복되는 전압 파형을, 상기 rf 전압에 중첩하여 상기 제 1 전극에 인가하는 펄스 전압 인가부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극의 전압을 측정하는 전압 측정부와,상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 개수 n1, 주파수 ω1, 휴지 시간 t1, t2 중 적어도 어느 하나를 제어하는제어부더구비하는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,플라즈마 전자 밀도를 측정하는 플라즈마 측정부와,상기 플라즈마 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 개수 n1, 주파수 ω1, 휴지 시간 t1, t2 중 적어도 어느 하나를 제어하는제어부더구비하는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
[청구항 12]
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 휴지 시간t1은,다음식표시되는것을특징으로 하는기판 처리 장치.ωp(=e2no/εomi)1/2 : 플라즈마 이온 주파수e : 기본 전하량εo : 진공의 유전율mi : 이온의 질량no : 플라즈마의 밀도
[청구항 13]
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 주면에 유지하는 제 1 전극과,
상기 제 1 전극에 대향하여 상기 챔버 내에 배치된 제 2 전극과,
상기 제 1 전극에 대하여 주파수가 40㎒ 이상인 rf 전압을 인가하는 rf 전원과,
상기 rf 전압에 중첩하여, 상기 제 1 전극에 펄스 전압을 인가하는 펄스 전압 인가부와,
상기 펄스 전압 인가부와 상기 제 1 전극의 사이에 마련되는 가변 저항과,
상기 가변 저항의 저항치 r을 제어하는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,1펄스 내 또는 1펄스군에 있어서의 상기 제 1 전극상에 유지된 기판의 전압 변화가50볼트이하인것을특징으로 하는기판 처리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
제3항 및 제4항에 따른 기판 처리 장치에서, 제2전환부가 상기 전원으로부터 출력되는 전압을 전환하도록 지시하는 기준은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3항 및 제4항에 따른 기판 처리 장치에서 제2전환부가 전압을 전환하도록 지시하는 기준이 무엇인지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제3항은 제2전환부를 정의하고, 제4항은 제2전환부에 전압 전환을 지시하는 전환지시부와 그 기준을 명시하고 있다.
- 제3항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,서로 다른 전압을 출력하는 복수의 전원과,상기 전원으로부터 출력되는 전압을 소정의 간격으로 전환하여 상기 제 1 전극에 인가하는제2전환부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치. / 제 4 항에 있어서,상기 펄스 전압인가부는,상기 제 1 전극의 전압을 측정하는 전압 측정부와,상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 제 2 전환부에 상기 전원으로부터 출력되는 전압의 전환을 지시하는전환지시부갖는것을특징으로 하는기판 처리 장치.
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3근거 선택
evidence_selection제4항에서 전환지시부가 전압 전환을 지시하는 근거로 '전압 측정부의 측정 결과'를 언급하고 있음을 확인한다.
- 상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 제 2 전환부에 상기 전원으로부터 출력되는 전압의 전환을 지시하는전환지시부
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4논리 통합
logical_integration제4항에 따르면, 전환지시부는 전압 측정부가 측정한 결과에 따라 제2전환부에 전압 전환을 지시하므로, 그 기준은 전압 측정부의 측정 결과이다.
- 상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라, 상기 제 2 전환부에 상기 전원으로부터 출력되는 전압의 전환을 지시하는전환지시부
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '전압 측정부의 측정 결과'를 도출한다.
- 상기 전압 측정부의 측정 결과에 따라
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 전압 측정부의 측정 결과
최종 답변 (final_answer)
상기 전압 측정부의 측정 결과
핵심 해석 (core_interpretation)
전압 측정부를 통해 제1 전극의 전압을 측정하고, 그 측정 결과에 따라 제2전환부가 출력 전압을 전환하도록 제어함으로써 전압 인가 조건을 조절하는 기술이다.