문맥 (context)
[청구항 1]
투광성 기판 위에, 크롬을 주성분으로 하는 재료로 형성된 차광막을 갖고, 그 차광막에 전사용 패턴을 형성할 때에 전자선 묘화용 레지스트막 을 이용하는 마스크 블랭크로서,
상기 차광막의 상면에 형성되며, 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽을 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막과,
상기 에칭 마스크막의 상면에 형성되며, 불소계 가스 및 염소 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성되는 도전성 마스크막
을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 도전성 마스크막은, 몰리브덴, 티탄, 바나듐, 니오븀 및 텅스텐 중 1 이상의 성분, 혹은 그들과 질소를 함유하는도전성 재료형성되는것을특징으로 하는마스크 블랭크.
[청구항 3]
상기 투광성 기판 위에, 순서대로, 위상 시프트막과, 크롬을 주성분으로 하는 재료로 형성된 차광막을 갖고, 그 차광막 및 위상 시프트막에 전사용 패턴을 형성할 때에 전자선 묘화용 레지스트막 을 이용하는 마스크 블랭크로서,
상기 차광막의 상면에 형성되며, 규소를 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막과, 그 에칭 마스크막의 상면에 형성되며, 불소계 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성되는 도전성 마스크막을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 도전성 마스크막은, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 바나듐, 니오븀 및 텅스텐 중 1 이상의 성분, 혹은 그들과 질소를 함유하는도전성 재료형성되는것을특징으로 하는마스크 블랭크.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 위상 시프트막은, 몰리브덴 및 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽을 함유하는재료형성되는것을특징으로 하는마스크 블랭크.
[청구항 6]
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 도전성 마스크막은,막두께인것을특징으로 하는마스크 블랭크.
[청구항 7]
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 도전성 마스크막의 상면에, 막 두께가 50㎚∼300㎚인전자선묘화용레지스트막형성되어있는것을특징으로 하는마스크 블랭크.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1에 따른 마스크 블랭크에서 차광막의 상면에 형성되는 에칭 마스크막과 도전성 마스크막의 적층 구조 및 각 막을 구성하는 재료의 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 1을 바탕으로 차광막 상면에 형성된 에칭 마스크막과 도전성 마스크막의 적층 순서 및 각 막의 구성 재료 특징을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction에칭 마스크막은 차광막 상면에 형성되며 규소, 질소, 산소 중 적어도 하나를 함유하고, 도전성 마스크막은 에칭 마스크막 상면에 형성되며 불소계 및 염소 가스에 의한 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 구성된다.
- 상기 차광막의 상면에 형성되며, 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽을 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막과, 상기 에칭 마스크막의 상면에 형성되며, 불소계 가스 및 염소 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성되는 도전성 마스크막
-
3근거 선택
evidence_selection적층 구조와 재료 특징을 명시한 청구항 1의 핵심 구절을 선택한다.
- 상기 차광막의 상면에 형성되며, 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽을 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막과, 상기 에칭 마스크막의 상면에 형성되며, 불소계 가스 및 염소 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성되는 도전성 마스크막
-
4논리 통합
logical_integration차광막을 최하단으로 하여 에칭 마스크막이 그 위에, 도전성 마스크막이 에칭 마스크막 위에 적층되는 구조임을 확인하고 각 재료의 성분 및 특성을 결합한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation적층 구조는 차광막/에칭 마스크막/도전성 마스크막 순이며, 에칭 마스크막은 Si, N, O 중 적어도 하나를 포함하고, 도전성 마스크막은 불소계 및 염소 가스 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료임을 정리한다.
- 상기 차광막의 상면에 형성되며, 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 한쪽을 함유하는 재료로 형성되는 에칭 마스크막과, 상기 에칭 마스크막의 상면에 형성되며, 불소계 가스 및 염소 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성되는 도전성 마스크막
-
6답변 생성
answer_generation질문에 요구된 구조와 재료 특징을 구조화된 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
청구항 1에 따른 마스크 블랭크의 적층 구조 및 재료 특징은 다음과 같다.
1. 적층 구조: 차광막 / 에칭 마스크막 / 도전성 마스크막 (차광막 상면에 에칭 마스크막이 형성되고, 그 상면에 도전성 마스크막이 형성됨)
2. 각 막의 재료 특징:
- 에칭 마스크막: 규소(Si)와 질소(N) 및 산소(O) 중 적어도 한쪽을 함유하는 재료로 형성됨
- 도전성 마스크막: 불소계 가스 및 염소 가스에 의해 드라이 에칭이 가능한 도전성 재료로 형성됨
핵심 해석 (core_interpretation)
차광막 상부에 특정 성분(Si, N, O 중 일부)을 포함하는 에칭 마스크막과 드라이 에칭이 용이한 도전성 마스크막을 순차적으로 적층하여 마스크 블랭크의 기능을 구현함.