광전 소자 document_id 1020090107081

[청구항 2] 제1 항에 있어서,동작시에, 상기 제1 및 제2 공핍층 중에서 어느 하나의 공핍층에 역 바이어스 전압작용하는광전 소자. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기 제1 리세스부 및 제2 리세스부는 상기 제1 반도체부 및 상기 제2 반도체부보다 고농도의 상기 제1 도전형의 제1 고농도 도핑 영역 및 제2 고농도 도핑 영역을 각각 포함하고,동작시에, 상기 역바이어스 전압은 상기 제1 고농도 도핑 영역 및 상기 제2 고농도 도핑 영역 사이에 인가되는전압에의해생성되는광전 소자. [청구항 4] 제3 항에 있어서,상기 제1 고농도 도핑 영역 및 상기 제2 고농도 도핑 영역은 상기 광 변조부의 상기 양 측벽들으로부터 옆이격된광전 소자. [청구항 5] 제4 항에 있어서,상기 광 변조부는 제1 광신호가 입사되는 수광면 및 제2 광신호가 출사되는 출광면을 포함하되,상기 제2 광신호의 위상은상기역바이어스전압차에의해조절되는광전 소자. [청구항 6] 제5 항에 있어서,상기 광 변조부의 상기 수광면 및 상기 출광면 중에서 어느 하나에 연결된 그레이팅 결합기더 포함하는광전 소자. [청구항 7] 제2 항에 있어서,상기 광 변조부의 광 흡수율은 상기 역바이어스 전압차에의해조절되는광전 소자. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기 기판 및 상기 광 변조부 사이에 개재된 산화막더 포함하는광전 소자. [청구항 9] 제8 항에 있어서,상기 산화막은 상기 기판 상에 광도파로가 형성될 부분에 선택적으로 산소 이온을 주입하여형성된것을포함하는광전 소자. [청구항 10] 제1 항에 있어서,상기 기판은 상기 광 변조부가 배치된 광전 영역으로부터 옆으로 이격된 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역의 상기 기판 상에 배치된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극더 포함하는광전 소자. [청구항 11] 제1 항에 있어서,상기 제1 반도체부와 상기 제3 반도체부의 제1 접합면 및 상기 제2 반도체부와 상기 제3 반도체부의 제2 접합면은 상기 기판의 상부면과비평행한광전 소자. [청구항 12] 제11 항에 있어서,상기 광 변조부는 서로 마주보는 제1 측벽 및 제2 측벽을 포함하되,상기 접합면들은 상기 기판의 상부면과 수직하고,어느 하나의 접합면과 상기 제1 측벽 사이의 거리는, 상기 어느 하나의 접합면과 상기 제2 측벽 사이의 거리동일한광전 소자. [청구항 13] 제12 항에 있어서,동작시에, 상기 어느 하나의 공핍층을 형성하는 반도체부들 사이에 역 바이어스 전압인가되는광전 소자. [청구항 14] 제1 항에 있어서,상기 제1 반도체부, 상기 제3 반도체부 및 상기 제2 반도체부는 상기 기판 상에 차례로 적층되고, 상기 제1 반도체부와 상기 제3 반도체부의 제1 접합면 및 상기 제3 반도체부와 상기 제2 반도체부의 제2 접합면은 상기 기판의 상부면과평행한광전 소자. [청구항 15] 제14 항에 있어서,상기 광 변조부는, 상기 제2 반도체부 상에 배치되고 상기 제2 반도체부보다 고농도의 상기 제1 도전형의 고농도 도핑 영역더 포함하는광전 소자. [청구항 16] 제15 항에 있어서,상기 광 변조부는 상부면 및 하부면을 포함하되,어느 하나의 접합면과 상기 상부면 사이의 거리는, 상기 어느 하나의 접합면과 상기 하부면 사이의 거리동일한광전 소자. [청구항 17] 제16 항에 있어서,동작시에, 상기 어느 하나의 공핍층을 형성하는 반도체부들 사이에 역 바이어스 전압인가되는광전 소자. [청구항 19] 제18 항에 있어서,상기 입력단으로 입력되는 입력 광신호와 상기 출력단에서 출력되는 출력 광신호의 위상의 차이는, 상기 제1 공핍층 및 상기 제2 공핍층 중에서 어느하나의공핍층의두께변화에의해조절되는광전 소자.