고체 촬상 장치, 그 제조 방법, 및 전자 정보 기기 document_id 1020090118985

[청구항 1] 입사광의 광전 변환에 의해 신호 전하를 생성하는 복수의 광전 변환부 상기 광전 변환부 각각에 의해 생성된 신호 전하를 축적하는 전하 축적부; 및 상기 광전 변환부 각각으로부터 상기 전하 축적부로 신호 전하를 판독하는 전하 판독부를 포함하는 고체 촬상 장치로서 상기 광전 변환부, 상기 전하 축적부, 및 상기 전하 판독부를 구성하는 복수의 확산층이 형성된 반도체 기판 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 전하 판독부를 구성하는 판독 게이트 전극 상기 판독 게이트 전극 측면에 형성된 절연성 사이드월 상기 광전 변환부 각각을 구성하는 표면 확산층으로서, 상기 판독 게이트 전극에 대하여 상기 절연성 사이드월에 의해 자기정합적으로 위치 결정되어 있는 표면 확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 제 1 도전형 반도체 기판이며,상기 제 1 도전형 반도체 기판에는 제 2 도전형 웰 영역이 형성되어 있으며,상기 제 2 도전형 웰 영역에는 상기 광전 변환부를 구성하는 제 1 도전형 포토다이오드 영역이 형성되고,상기 광전 변환부를 구성하는 표면 확산층은 상기 제 1 도전형 포토다이오드 영역 상에 형성된제2도전형포토다이오드확산층인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 제 1 도전형 포토다이오드 영역은 인접하는 광전 변환부가 전기적으로 분리되도록 제 2 도전형 분리 확산 영역에 의해 둘러싸여있는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 판독 게이트 전극은 이 판독 게이트 전극의 단부가 상기 제 1 도전형 포토다이오드 영역의 단부의 적어도 일부와 겹치도록 게이트 절연막이 삽입된 채로상기제1도전형반도체기판상형성되어있는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 절연성 사이드월은 상기 판독 게이트 전극 측면 상에 위치되는 절연 피복층의 부분으로서 상기 반도체 기판 상에 상기 판독 게이트 전극 및 상기 제 1 도전형 포토다이오드 영역을 커버하도록 표면 아래의 높이차를 반영해서 형성된절연피복층부분인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 절연성 사이드월은 게이트 전극 절연막이 상기 반도체 기판 상에 상기 판독 게이트 전극 측면 상에만 남도록 상기 판독 게이트 전극에 대하여 자기정합적으로 형성된게이트 전극측벽 절연막인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 광전 변환부 각각을 구성하는 표면 확산층은 상기 판독 게이트 전극 및 이 판독 게이트 전극 측면 상의 절연성 사이드월을 마스크로서 사용하는 제 2 도전형 도펀트의 이온 주입에 의해 자기정합적으로 위치 결정된제2도전형포토다이오드영역인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 광전 변환부를 구성하는 표면 확산층은 상기 판독 게이트 전극 및 이 판독 게이트 전극 측면 상의 게이트 전극 측벽 절연막을 마스크로서 사용하는 제 2 도전형 도펀트의 이온 주입에 의해 자기정합적으로 위치 결정된제2도전형포토다이오드영역인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 9] 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역에 이온 주입에 의해 주입되어 있는도펀트보론인것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역으로서의 표면 확산층은 불순물 농도(x)를 2e18cm-3≤x≤1e19cm-3의범위내에서갖는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역으로서의 표면 확산층은 두께(y)를 0.05㎛≤y≤0.30㎛의범위내에서갖는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 절연성 사이드월은 폭(z)을 0.02㎛≤z≤0.10㎛의범위내에서갖는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 13] 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 판독 게이트 전극과 상기 제 2 도전형 포토다이오트 영역 사이의 영역은 상기 표면 확산층의 확장이며, 상기 영역은 상기 반도체 기판의 절연성 사이드월의 하측에 위치되고, 상기 영역은 상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역에 이온 주입에 의해 주입된 도펀트를 활성화하는 열처리에 의해 상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역에서 상기 도펀트를 상기 판독 게이트 전극 단부까지 열확산시켜서 상기 제 2 도전형 포토다이오드 영역을 확장함지는것을특징으로 하는고체 촬상 장치. [청구항 27] 피사체의 촬상을 행하는 촬상부를 포함하는 전자 정보 기기로서 상기 촬상부는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 고체 촬상 장치인 것을 특징으로 하는 전자 정보 기기