어레이 기판 및 이의 제조 방법 document_id 1020090119943

[청구항 1] 화소영역과 상기 화소영역 내에 소자영역이 정의(定義)된 기판 상의 상기 소자영역에 아일랜드 형태로 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극과 동일한 평면적을 가지며 완전 중첩하며 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 상부로 상기 게이트 절연막의 가장자리를 노출시키며 형성된 순수 폴리실리콘의 액티브층과 상기 액티브층을 노출시키며 서로 이격하는 제 1 및 제 2 액티브 콘택홀을 가지며 상기 제 1 및 제 2 액티브층 각각의 중앙부에 대해서는 에치스토퍼의 역할을 하며 상기 기판 전면에 무기절연물질로 형성된 층간절연막과 상기 소자영역에 상기 층간절연막 위로 각각 상기 제 1 및 제 2 액티브 콘택홀을 통해 상기 액티브층과 접촉하며 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층과 상기 이격하는 상기 제 1 오믹콘택층 위로 각각 이격하며 형성되며, 그 중간층이 투명도전성 물질로 이루어진 3중층 구조의 소스 및 드레인 전극과 상기 층간절연막 위로 상기 화소영역의 경계에 형성되며, 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 3중층 구조를 가지며 형성된 데이터 배선과 상기 층간절연막 위로 상기 화소영역에 상기 3중층 구조의 드레인 전극에서 연장하여 형성된 화소전극과 상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선 위로 상기 게이트 전극을 노출시키는 게이트 콘택홀과 상기 화소전극을 노출시키는 제 1 개구를 가지며 형성된 보호층과 상기 보호층 위로 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉하며 상기 데이터 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 을 포함하며, 상기 화소전극은 상기 제 1 개구에 대응하여 상기 드레인 전극을 이루는 3중층 중 최상부의 상부층이 제거됨으로써 상기 투명 도전성 물질로 이루어진 중간층과 하부층의 이중층 구조를 이루는 것이 특징인 어레이 기판 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 하부층과 상부층은 각각 알루미늄(al) 또는 은(ag)로 이루어지고,상기 중간층은 인듐-틴-옥사이드이루어진것특징인어레이 기판. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 500å 내지 1000å의 두께를 갖는 불순물 폴리실리콘으로 이루어지거나, 또는 100å 내지 1000å의 두께를 갖는 용융점이 800℃ 이상인금속물질로이루어진것특징인어레이 기판. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 용융점이 800℃ 이상인 금속물질은 몰리브덴(mo), 몰리브덴합금(moti), 구리(cu)중하나인것특징인어레이 기판. [청구항 5] 화소영역과 상기 화소영역 내에 스위칭 영역과 구동 영역 및 스토리지 영역이 정의(定義)된 기판 상의 상기 스위칭 영역과 구동영역에 아일랜드 형태로 형성된 제 1 및 제 2 게이트 전극과 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 상부에 각각 형성된 게이트 절연막과 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극에 대응하여 상기 게이트 절연막 상부로 상기 게이트 절연막의 가장자리를 노출시키며 각각 형성된 순수 폴리실리콘의 제 1 및 제 2 액티브층과 상기 제 1 액티브층을 노출시키며 서로 이격하는 제 1 및 제 2 액티브 콘택홀과, 상기 제 2 액티브층을 노출시키며 서로 이격하는 제 3 및 제 4 액티브 콘택홀을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 액티브층 각각의 중앙부에 대해서는 에치스토퍼의 역할을 하며 상기 기판 전면에 무기절연물질로 형성된 층간절연막과 상기 스위칭 영역에 상기 층간절연막 위로 각각 상기 제 1 및 제 2 액티브 콘택홀을 통해 상기 제 1 액티브층과 접촉하며 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 제 1 오믹콘택층과, 상기 구동 영역에 상기 층간절연막 위로 각각 상기 제 3 및 제 4 액티브 콘택홀을 통해 상기 제 2 액티브층과 접촉하며 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 제 2 오믹콘택층과 상기 이격하는 상기 제 1 오믹콘택층 위로 각각 이격하며 그 중간층이 투명도전성 물질로 이루어진 3중층 구조의 제 1 소스 및 드레인 전극과, 상기 이격하는 상기 제 2 오믹콘택층 위로 각각 이격하며 그 중간층이 투명도전성 물질로 이루어진 3중층 구조의 제 2 소스 및 드레인 전극과 상기 층간절연막 위로 상기 화소영역에 상기 3중층 구조의 제 2 드레인 전극에서 연장하여 형성된 화소전극과 상기 층간절연막 위로 상기 화소영역의 경계에 상기 제 1 소스 전극과 연결되며 상기 제 1 소스 전극과 동일한 3중층 구조를 가지며 형성된 데이터 배선과 상기 데이터 배선 위로 상기 제 1 게이트 전극을 노출시키는 제 1 게이트 콘택홀과 상기 화소전극을 노출시키는 제 1 개구를 가지며 형성된 보호층과 상기 보호층 위로 상기 제 1 게이트 콘택홀을 통해 상기 제 1 게이트 전극과 접촉하며 상기 데이터 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 을 포함하며, 상기 화소전극은 상기 제 1 개구에 대응하여 상기 제 2 드레인 전극을 이루는 3중층 중 최상부의 상부층이 제거됨으로써 상기 투명 도전성 물질로 이루어진 중간층과 하부층의 이중층 구조를 이루는 것이 특징인 어레이 기판 [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 보호층에는 상기 제 2 게이트 전극을 노출시키는 제 2 게이트 콘택홀과 상기 제 1 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀과 상기 제 2 소스 전극을 노출시키는 전원 콘택홀이 형성되며,상기 보호층 위로는 상기 제 2 게이트 콘택홀을 통해 상기 제 2 게이트 전극과 접촉하며 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 연결패턴과, 상기 게이트 배선과 나란하게 이격하며 상기 전원 콘택홀을 통해 상기 제 2 소스 전극과 접촉하는 전원배선이 형성되며,상기 게이트 배선 위로 상기 화소전극을 노출시키는 제 2 개구를 가지며, 상기 소자영역과 화소영역의 경계에 그 표면이 평탄한 형태를 갖는 뱅크가 형성되며,상기 뱅크로 둘러싸인 각 화소영역의 제 2 개구에 대응하여 상기 화소전극 상부로 유기 발광층이 형성되며, 상기 유기발광층 및 상기 뱅크 상부로 상기 기판 전면에제1전극형성된것특징인어레이 기판. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 하부층과 상부층은 각각 알루미늄(al) 또는 은(ag)로 이루어지고,상기 중간층은 인듐-틴-옥사이드이루어진것특징인어레이 기판. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 게이트 전극은 500å 내지 1000å의 두께를 갖는 불순물 폴리실리콘으로 이루어지거나, 또는 100å 내지 1000å의 두께를 갖는 용융점이 800℃ 이상인금속물질로이루어진것특징인어레이 기판. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 용융점이 800℃ 이상인 금속물질은 몰리브덴(mo), 몰리브덴합금(moti), 구리(cu)중하나인것특징인어레이 기판. [청구항 10] 제 6 항에 있어서,상기 기판의 전면에 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 하부에 위치하며 무기절연물질로 이루어진 버퍼층포함하는어레이 기판. [청구항 11] 제 6 항에 있어서,상기 제 2 게이트 전극은 상기 스토리지 영역까지 연장 형성되어 제 1 스토리지 전극을 이루며,상기 제 2 소스 전극은 상기 스토리지 영역까지 연장 형성되어 제 2 스토리지 전극을 이룸으로써 상기 스토리지 영역에 순차 적층된 상기 제 1 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 층간절연막 및 상기 제 2 스토리지 전극은 스토리지 커패시터를 이루며, 상기 제 2 소스 전극은 상기 스토리지 영역에서 더 연장하여 상기 데이터 배선과 나란하게 형성됨으로써상기전원전극이루는것특징인어레이 기판. [청구항 12] 제 6 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 오믹콘택층 하부에는 이들 오믹콘택층과 동일한 평면적을 가지며 완전 중첩하는 형태로 순수 비정질 실리콘으로 이루어진배리어패턴형성된것특징인어레이 기판.