문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 캡 층을 형성하는 상기 실리콘 질화물은 실리콘 원소 농도에 대한 질소 원소 농도의 비가 120 % 내지 150 %의 범위 내구성된,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제어 게이트 전극의 폭과 상기 제어 게이트 전극들이 배열된 방향으로의 상기 제어 게이트 전극들 사이의 폭이하인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 전하 차단층은 실리콘 질화물보다 상대 유전율이 높은 금속 산화물로 형성되고,상기 제어 게이트 전극은 금속, 금속 실리사이드, 또는 도펀트 함유 실리콘형성되는,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 금속 산화물은 알루미나, 지르코니아, 하프니아, 또는 산화 탄탈륨, 또는 그것들혼합물인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 전하 차단층은 실리콘 산화물과 실리콘 옥시나이트라이드 중 하나로 형성되고,상기 제어 게이트 전극은 금속과 금속 실리사이드 중 하나형성되는. 비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 반도체 부재는실리콘 기판인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 제어 게이트 전극들 사이에 구비된 전극간 절연막, 및상기 실리콘 기판의 상부의 상기 전극간 절연막 바로 아래에 형성되고 상기 실리콘 기판의 도전형과는 다른 도전형을 가지는 불순물 확산 영역더 포함하는,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,기판, 및상기 제어 게이트 전극들 사이에 구비된 전극간 절연막을 더 포함하고,상기 제어 게이트 전극들과 상기 전극간 절연막들은 상기 기판 상에 교대로 적층되어 다층 구조체를 형성하고,상기 전하 차단층, 상기 전하 축적층, 및 상기 터널 절연층은 상기 다층 구조체 내에 형성된 트렌치의 내부면 상에 형성되며,상기 반도체 부재는 상기 트렌치 내에 매립된 반도체기둥인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 트렌치는 상기 제어 게이트 전극들과 상기 전극간 절연막들의 적층 방향으로 연장되는 원통 형태이고,상기 반도체 기둥은 또한 적층 방향으로 연장되는 원통형태인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 트렌치는 한 방향으로 연장된 줄무늬 형태이고,상기 반도체 기둥은 상기 트렌치의 한 쪽 측면, 상기 트렌치의 하부면, 및 상기 트렌치의 다른 쪽 측면을 따라연장되는형태인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 전하 차단층은 실리콘 질화물보다 상대 유전율이 높은 금속 산화물로 형성되고,상기 제어 게이트 전극은 금속, 금속 실리사이드, 또는 도펀트 함유 실리콘형성되는,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 전하 차단층은 실리콘 산화물과 실리콘 옥시나이트라이드 중 하나로 형성되고,상기 제어 게이트 전극은 금속과 금속 실리사이드 중 하나형성되는,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 반도체 부재는실리콘 기판인,비휘발성 반도체 메모리 장치.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 제어 게이트 전극들 사이에 구비된 전극간 절연막, 및상기 실리콘 기판의 상부의 상기 전극간 절연막 바로 아래에 형성되고 상기 실리콘 기판의 도전형과는 다른 도전형을 가지는 불순물 확산 영역더 포함하는,비휘발성 반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
비휘발성 반도체 메모리 장치에서 전하 차단층이 실리콘 질화물보다 상대 유전율이 높은 금속 산화물로 형성될 경우, 해당 금속 산화물로 사용될 수 있는 물질의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation전하 차단층이 실리콘 질화물보다 상대 유전율이 높은 금속 산화물로 형성될 때, 사용 가능한 물질의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 5를 통해 전하 차단층이 고유전율 금속 산화물로 형성될 수 있음을 확인하고, 해당 금속 산화물의 구체적 종류를 추출한다.
- 상기 전하 차단층은 실리콘 질화물보다 상대 유전율이 높은 금속 산화물로 형성되고, 상기 금속 산화물은 알루미나, 지르코니아, 하프니아, 또는 산화 탄탈륨, 또는 그것들 혼합물인
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 금속 산화물의 물질 목록이 포함된 청구항 5의 구절을 선택한다.
- 상기 금속 산화물은 알루미나, 지르코니아, 하프니아, 또는 산화 탄탈륨, 또는 그것들혼합물인
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4논리 통합
logical_integration청구항 4에서 전하 차단층의 조건(실리콘 질화물보다 높은 유전율을 가진 금속 산화물)을 정의하고, 청구항 5에서 그 구체적인 물질들을 나열하고 있으므로 이를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 물질인 알루미나, 지르코니아, 하프니아, 산화 탄탈륨 및 이들의 혼합물을 최종 답변으로 구성한다.
- 알루미나, 지르코니아, 하프니아, 또는 산화 탄탈륨, 또는 그것들혼합물
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 리스트 형식으로 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
알루미나, 지르코니아, 하프니아, 산화 탄탈륨, 또는 이들의 혼합물
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 반도체 메모리 장치에서 전하 차단층을 실리콘 질화물보다 유전율이 높은 특정 금속 산화물(알루미나, 지르코니아, 하프니아, 산화 탄탈륨 등)로 구성하여 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.