마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리장치 document_id 1020097001760

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 안테나는 평면형상을 하고, 복수의 슬롯형성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 슬롯은 부채형갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 안테나부는, 상기 안테나로부터 방사된 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과, 상기 안테나에 대하여 천판과는 반대측에 마련되고, 상기 안테나에 도달하는 마이크로파의 파장을 짧게 하는 유전체로 이루어진 지파재갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 지파재의 두께를 조정함으로써, 마이크로파의 위상조정되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 천판은 사각형상인마이크로파 플라즈마원. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 천판nan은중앙2분할되어있는것을특징으로 하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 튜너와 상기 안테나는 집중 정수 회로구성하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 튜너와 상기 안테나는 공진기기능하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 튜너는, 유전체로 이루어진 2개의 슬래그(slug)를 가지는 슬래그 튜너인마이크로파 플라즈마원. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 앰프는 반도체 증폭 소자갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 튜너 및 상기 안테나부는 공통의 하우징내에 배치되어서 일체화있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 앰프는 상기 하우징으로부터 위쪽으로 연장하는 커넥터(connetor)에 의해 상기 튜너을 거쳐서 상기 안테나부에 직렬접속되어 있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 앰프는 상기 하우징의 상면직접 실장되어 있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 앰프부는, 상기 앰프로부터 상기 안테나로 출력되는 마이크로파로부터, 반사 마이크로파를 분리하는아이솔레이터갖는것을특징으로 하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 앰프로부터 상기 튜너로의 마이크로파 전력을 적절하게 급전하기 위한 급전 변환부갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 급전 변환부는, 유전체 및 안테나를 거친 비접촉 급전을 실행하는 급전 여기부재갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 커넥터 및 상기 마이크로스트립라인을 복수가지고, 각커넥터에 앰프가 접속되어, 이들 앰프로부터의 마이크로파 전력이 각 마이크로스트립라인을 거쳐서 공간합성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 20] 제 17 항에 있어서,상기 급전 여기부재는, 유전체에 형성된 패치안테나와, 상기 패치안테나(patch antenna)에 상기 앰프로부터 급전하는 커넥터와, 상기 패치안테나로부터 방사된 마이크로파 전력을 투과해서 상기 튜너로 방사하는유전체부재가지는것을특징으로 하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 21] 제 17 항에 있어서,상기 커넥터 및 상기 패치안테나를 복수가지고, 각 커넥터에 앰프가 접속되어, 이들 앰프로부터의 마이크로파 전력이 각 패치안테나를 거쳐서 공간합성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 22] 제 17 항에 있어서,상기 급전 여기부재는 그 마이크로파 전력방사면과 반대측의 면에 마련된 마이크로파 전력을 반사하는 반사판갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,안테나 모듈을 거쳐서 상기 챔버내로 유도된 마이크로파는 상기 챔버내의 공간합성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 앰프부는 마이크로파의 위상을 조정하는 위상기갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 26] 제 23 항에 있어서,상기 안테나는 평면형상을 하고, 복수의 슬롯형성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 앰프부는 마이크로파의 위상을 조정하는 위상기갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 복수의 안테나 모듈을 인접하는 안테나 모듈간에 슬롯(slot)이 90° 어긋나도록 배치하는 동시에, 상기 위상기에 의해 인접하는 안테나 모듈간에 위상하는마이크로파 플라즈마원. [청구항 29] 제 23 항에 있어서,상기 튜너 및 상기 안테나부는 공통의 하우징내에 배치되어서 일체화있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 앰프는 상기 하우징으로부터 위쪽으로 연장하는 커넥터에 의해 상기 튜너를 거쳐서 상기 안테나부에 직렬접속되어 있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,상기 앰프는 상기 하우징의 상면직접 실장되어 있는마이크로파 플라즈마원. [청구항 32] 제 23 항에 있어서,상기 앰프로부터 상기 튜너로 마이크로파 전력을 적절하게 급전하기 위한 급전 변환부갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 급전 변환부는 유전체 및 안테나를 거친 비접촉 급전을 실행하는 급전 여기부재갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 커넥터 및 상기 마이크로스트립라인을 복수가지고, 각 커넥터에 앰프가 접속되어, 이들 앰프로부터의 마이크로파 전력이 각 마이크로스트립라인을 거쳐서 공간합성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 36] 제 33 항에 있어서,상기 급전 여기부재는, 유전체에 형성된 패치안테나와, 상기 패치안테나에 상기 앰프로부터 급전하는 커넥터와, 상기 패치안테나로부터 방사된 마이크로파 전력을 투과해서 상기 튜너로 방사하는 유전체부재갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 커넥터 및 상기 패치안테나를 복수가지고, 각 커넥터에 앰프가 접속되어, 이들 앰프로부터의 마이크로파 전력이 각 패치안테나를 거쳐서 공간합성되는마이크로파 플라즈마원. [청구항 38] 제 33 항에 있어서,상기 급전 여기부재는, 그 마이크로파 전력방사면과 반대측의 면에 마련된 마이크로파 전력을 반사하는 반사판갖는마이크로파 플라즈마원. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 가스 공급 기구는, 플라즈마 생성용 가스를 도입하는 제 1 가스 공급 기구와, 처리 가스를 도입하는 제 2 가스 공급 기구를 가지고, 상기 제 1 가스 공급 기구로부터의 플라즈마 생성용 가스가 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 상기 제 2 가스 공급 기구로부터의 처리 가스가, 그 플라즈마에 의해 플라즈마화되는플라즈마 처리장치. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 가스 공급 기구는, 플라즈마 생성용 가스를 도입하는 제 1 가스 공급 기구와, 처리 가스를 도입하는 제 2 가스 공급 기구와를 가지고, 상기 제 1 가스 공급 기구로부터의 플라즈마 생성용 가스가 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 상기 제 2 가스 공급 기구로부터의 처리 가스가, 그 플라즈마에 의해 플라즈마화되는플라즈마 처리장치.