융화성있는 유전체 층들을 갖는 활성 영역들 document_id 1020097005500

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물(silicon oxy-nitride)의 층으로 구성된 그룹선택되는반도체 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, 갈륨 질화물(gallium nitride), 갈륨 인화물(gallium phosphide), 갈륨 비화물(gallium arsenide), 인듐 인화물(indium phosphide), 안티몬화 인듐(indium antimonide), 인듐 갈륨 비화물(indium gallium arsenide), 알루미늄 갈륨 비화물(aluminum gallium arsenide), 인듐 갈륨 인화물(indium gallium phosphide), 5%보다 큰 게르마늄 원자들의 원자 농도를 갖는 게르마늄 또는 실리콘/게르마늄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 물질구성되는반도체 구조체. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물의 층으로 구성된 그룹선택되는반도체 구조체. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 유전체 층은, 상기 제1 반도체 물질의 상기 산화물의 층 위의 높은 k(high-k)의 유전체 물질의 층더 포함하는반도체 구조체. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물의 층으로 구성된 그룹으로부터 선택되며, 상기 높은 k의 유전체 물질은, 하프늄 산화물(hafnium oxide), 규산 하프늄(hafnium silicate), 란탄 산화물(lanthanum oxide), 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 규산 지르코늄(zirconium silicate), 탄탈 산화물(tantalum oxide), 티탄산 바륨 스트론튬(barium strontium titanate), 티탄산 바륨(barium titanate), 티탄산 스트론튬(strontium titanate), 이트륨 산화물(yttrium oxide), 알루미늄 산화물(aluminum oxide), 납 스칸듐 탄탈 산화물(lead scandium tantalum oxide), 니오브산 납 아연(lead zinc niobate), 혹은 이들의 조합으로 구성되는 그룹선택되는반도체 구조체. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물의 층으로 구성된 그룹선택되는반도체 디바이스. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, 갈륨 질화물, 갈륨 인화물, 갈륨 비화물, 인듐 인화물, 안티몬화 인듐, 인듐 갈륨 비화물, 알루미늄 갈륨 비화물, 인듐 갈륨 인화물, 5%보다 큰 게르마늄 원자들의 원자 농도를 갖는 게르마늄 또는 실리콘/게르마늄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 물질구성되는반도체 디바이스. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물의 층으로 구성된 그룹선택되는반도체 디바이스. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 게이트 유전체 층은, 상기 제1 반도체 물질의 상기 산화물의 층 위의 높은 k의 유전체 물질의 층더 포함하는반도체 디바이스. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1 반도체 물질은 실리콘으로 구성되며, 상기 산화물의 층은, 실리콘 이산화물 또는 실리콘 산화 질화물의 층으로 구성된 그룹으로부터 선택되며, 상기 높은 k의 유전체 물질은, 하프늄 산화물, 규산 하프늄, 란탄 산화물, 지르코늄 산화물, 규산 지르코늄, 탄탈 산화물, 티탄산 바륨 스트론튬, 티탄산 바륨, 티탄산 스트론튬, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈 산화물, 니오브산 납 아연, 혹은 이들의 조합으로 구성되는 그룹선택되는반도체 디바이스. [청구항 15] 제8항에 있어서,쌍의 소스/드레인 영역들은 제3 반도체 물질구성되며,상기 제3 반도체 물질의 조성은 상기 제2 반도체 물질의 조성과는 다른 반도체 디바이스. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제2 반도체 물질은, 갈륨 질화물, 갈륨 인화물, 갈륨 비화물, 인듐 인화물, 안티몬화 인듐, 인듐 갈륨 비화물, 알루미늄 갈륨 비화물, 인듐 갈륨 인화물, 5%보다 큰 게르마늄 원자들의 원자 농도를 갖는 게르마늄 또는 실리콘/게르마늄으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 물질구성되는반도체 디바이스. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기 게이트 유전체 층은, 실리콘 이산화물, 실리콘 산화 질화물, 하프늄 산화물, 규산 하프늄, 란탄 산화물, 지르코늄 산화물, 규산 지르코늄, 탄탈 산화물, 티탄산 바륨 스트론튬, 티탄산 바륨, 티탄산 스트론튬, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈 산화물, 니오브산 납 아연, 혹은 이들의 조합으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 물질구성되는반도체 디바이스.