가스 처리 장치, 및 가스 처리 방법, 그리고 기억 매체 document_id 1020097005837

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제어 기구는, 상기 챔버 내에 있어서의 처리 가스의 상기 챔버의 벽부에 대한 흡착 속도가 소정 범위일 때에 피처리체를 상기 챔버 내반입시키는,가스 처리 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력을 측정하는 압력 측정 기구를 추가로 구비하고, 상기 제어 기구는, 상기 압력 측정 기구에 의해 검출된 압력 강하로부터 상기 처리 가스의 흡착 속도를 파악하여, 이 흡착 속도가 소정 범위일 때에 피처리체를 상기 챔버 내반입시키는,가스 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 챔버 내에 있어서의 처리 가스의 상기 챔버의 벽부에 대한 흡착 속도가 소정 범위일 때에 상기 제 2 반송 기구로 피처리체를 상기 챔버 내반입시키는,가스 처리 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력을 측정하는 압력 측정 기구를 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 압력 측정 기구에 의해 검출된 압력 강하로부터 상기 처리 가스의 흡착 속도를 파악하여, 이 흡착 속도가 소정 범위일 때에 상기 제 2 반송 기구로 피처리체를 상기 챔버 내반입시키는,가스 처리 장치. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기 로드로크실에 인접하여 상기 가열 처리부가 형성되고, 상기 가열 처리부에 인접하여 상기 가스 처리부가 형성되며, 로드로크실, 가열 처리부, 가스 처리부가 직선상배치되어 있는,가스 처리 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 제 1 반송 기구 및 제 2 반송 기구로 최초의 피처리체를 로드로크실로부터 상기 가스 처리부에 반송시키고, 이어서 2 회째의 피처리체를 로드로크실에 반송시키고, 가스 처리가 종료된 시점에서 최초의 피처리체를 상기 가열 처리부에 반송시키고, 이어서 2 회째의 피처리체를 가스 처리부에 반송시키고, 최초의 피처리체의 가열 처리가 종료된 후, 최초의 피처리체를 상기 로드로크실을 통하여 반출시킴과 함께, 3 회째의 피처리체를 로드로크실에 반송시키고, 2 회째의 피처리체의 가스 처리가 종료된 후, 2 회째의 피처리체를 상기 가열 처리부에 반송시킴과 함께, 3 회째의 피처리체를 가스 처리부에 반송시키고, 또한 동일한 반송 동작을 4 회째 이후의 피처리체실시하게 하는,가스 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 제어부는, 최초의 피처리체 및 2 회째의 피처리체의 상기 로드로크실에서의 대기 시간이 3 회째 이후의 피처리체의 대기 시간과 동일해지도록 최초의 피처리체 및 2 회째의 피처리체를 소정 시간대기시키는,가스 처리 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 대기 시간은, 최초의 피처리체에 대해서는 상기 로드로크실에서 3 회째 이후의 피처리체의 대기 시간과 동일해지도록 대기시키고, 2 회째의 피처리체에 대해서는 상기 로드로크실에 반입되기 전에 상기 로드로크실에서의 대기 시간이 3 회째 이후의 피처리체와 동일대기시키는,가스 처리 장치. [청구항 11] 제 4 항에 있어서,상기 피처리체가 표면 산화막을 갖는 si 기판으로, 상기 가스 처리부가 hf 가스와 nh3 가스를 공급하여 피처리체 표면에 플루오로 규산 암모늄을 형성하고, 상기 가열 처리부에 있어서의 가열에 의해 플루오로 규산 암모늄분해하는 것인,가스 처리 장치.