수직구조의 심자외선 발광다이오드 document_id 1020097008003

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어지는것특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 alxinyga1-x-yn (여기이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프 층은 그룹 ⅲ 및 그룹 ⅴ 재료들이 펄스성장법으로 분사되는 방식으로 증착되며 그룹 ⅲ 및 그룹 ⅴ 재료들은 연속적 흐름을 가지지 않으나, 순차적으로 펄싱되거나 또는 그룹 ⅲ 소오스 펄스는 부분적으로 계속되고 그룹 ⅴ 소오스 펄스는 멈추어지거나또는그룹ⅴ소오스펄스와부분적겹쳐지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이어드. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0 x 1, 0 y 1, 0 x+y 1 및 0 r1, 0 s 1, 0 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 변형제거 초격자 층은 그룹 ⅲ 및 그룹 ⅴ 재료들이 펄스성장법으로 분사되는 방식으로 증착되며 그룹 ⅲ 및 그룹 ⅴ 재료들은 연속적 흐름을 가지지 않으나, 순차적으로 펄싱되거나 또는 그룹 ⅲ 소오스 펄스는 부분적으로 계속되고 그룹 ⅴ 소오스 펄스는 멈추어지거나또는그룹ⅴ소오스펄스와부분적겹쳐지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이어드. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 변형제거 초격자층은 규소, 인듐, 산소 및 탄소로 구성된 그룹에서 선택된적어도하나의도펀트도핑되는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.1 x 1, 0 y 1, 0.1 x+y 1 및 0 r1, 0 s 1, 0 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.5 x 1, 0 y 1, 0.5 x+y 1 및 0 r1, 0 s 1, 0 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.9 x 1, 0 y 1, 0.9 x+y 1 및 0 r1, 0 s 1, 0 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.9 x 1, 0 y 1, 0.9 x+y 1 및 0.1 r1, 0 s 1, 0.1 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.9 x 1, 0 y 1, 0.9 x+y 1 및 0.3 r1, 0 s 1, 0.3 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.9 x 1, 0 y 1, 0.9 x+y 1 및 0.5 r1, 0 s 1, 0.5 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 리프트-오프층과 상기 제 1 도우프 층사이에 변형제거 초격자층을 추가로 포함하며, 상기 변형제거 초격자층은 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0.9 x 1, 0 y 1, 0.9 x+y 1 및 0.7 r1, 0 s 1, 0.7 r+s 1)의 반복주기물로 이루어지며 두재료들의밴드갭동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,여기서 0 x 1, 0 y 1, 0 x+y 1 )으로 이루어진 상기 제 2 도우프 층 및 제 1 도우프 층 및 상기 다중 양자웰을 추가로 포함하며 상기 제 1 도우프 층과 상기 제 2 도우프 층이 다른조성갖는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 리프트-오프 층, 상기 제 1 도우프 층 및 상기 양자웰은 모두 n-형도우프층들인것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 양자웰nan은단일양자웰및다중양자웰층들이루어진것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 다중 양자웰은 alxga1-xn (여기서 0 x 1 및 alyga1-yn (여기서 0 y1)의교번층들동일하지않은것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 양자웰은 규소, 인듐, 및 산소로부터 선택된 적어도 하나의 n-형도펀트도핑된것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 24] 제 22 항에 있어서,상기 양자웰은 마그네슘, 아연, 및 베릴륨으로부터 선택된 적어도 하나의 p-형도펀트도핑된것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 25] 제 22 항에 있어서,상기 양자웰은 적어도 하나의 n-형 및 적어도 하나의 p-형도펀트도핑된것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 26] 제 22 항에 있어서,상기 양자웰nan은자외선양전자방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드.. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 양자웰은 190mm 369nm의 파장을 갖는광방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 28] 제 26 항에 있어서,상기 양자웰은 190mm 340nm의 파장을 갖는광방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 29] 제 26 항에 있어서,상기 양자웰은 190mm 310nm의 파장을 갖는광방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 30] 제 26 항에 있어서,상기 양자웰은 190mm 290nm의 파장을 갖는광방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 31] 제 26 항에 있어서,상기 양자웰은 190mm 270nm의 파장을 갖는광방출하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 32] 제 1 항에 있어서,상기 양자웰nan은전자들과홀들재결합으로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 33] 제 1 항에 있어서,상기 다중 양자웰은 적어도 2 개의 양자웰로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 다중 양자웰은 적어도 3 개의 양자웰로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 35] 제 1 항에 있어서,상기 기판은 규소, alxinyga1-x-yn (여기서 0 x 1, 0 y 1, 0 x+y 1 ), 산화아연, 비소화갈륨, 탄화규소, 알루미늄산리튬, 갈산리튬 및 사파이어로 이루어진 그룹에서 선택된재료들이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 기판은 극성, 준극성및비극성결정방위들선택되는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 38] 제 1 항에 있어서,상기 양자웰영역과 상기 접촉층사이에 있는 제 2 도우프 층을 추가로 포함하며, 상기 제 2 도우프 층은 alxinyga1-x-yn (여기서 0 x 1, 0 y 1, 0 x+y 1 )으로 이루어지고, 상기 2 도우프 층은 제 1 도우프 층과 다른 전도도와 다른도펀트형가지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 39] 제 1 항에 있어서,상기 접촉층은 p-형 alxga1-xn (여기층으로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 40] 제 1 항에 있어서,상기 접촉층은 p-형 inxga1-xn (여기층으로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 41] 제 1 항에 있어서,상기 접촉층은 p-형 alxinyga1-x-yn (여기층으로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 42] 제 1 항에 있어서,상기 접촉층은 p-형 alxinyga1-x-yn 및 alrinsga1-r-sn (여기서 0 x 1, 0 y 1, 0 x+y 1 및 0 r1, 0 s 1, 0 r+s 1)층들로 이루어지며 두 층의 조성은 서로 다른 것특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 43] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속접촉은 a) tin/금속, b) alxtixn 3 성분 화합물/금속 또는 저온 gan/금속금속으로이루어지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 44] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속접촉은 pd/ni/au 및 pd/ag/au/ti/au로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 45] 제 1 항에 있어서,상기 장치는 플립-칩 패키지 구조로 패키징되는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 플립-칩 장치는 에폭시 언더-필이루지는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 47] 제 1 항에 있어서,에폭시 돔을 추가로포함하는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드. [청구항 48] 제 1 항에 있어서,상기 변형제거 초격자 층은 상기 기판상에 바로 배열되며 상기 제 1 도우프 층은 상기 변형제거 초격자층에 그것들 사이에 어떠한부가층들바로배열되는것을특징으로 하는수직구조 발광다이오드.