ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크 블랭크용의 기능막이 형성된 기판 document_id 1020097009405

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 도전막은, 추가로 al, ag, b, co, cu, fe, hf, in, mo, ni, nb, si, ta, ti, zn 및 zr 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 원소를 합계로 1 ∼ 20at％ (평균 농도) 함유하는, 도전막이형성된기판. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 도전막은, 추가로 mo 및 ta 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 원소를 합계로 1 ∼ 20at％ (평균 농도) 함유하는, 도전막이형성된기판. [청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 시트 저항값이 27ω/□ 이하인, 도전막이형성된기판. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 표면거칠기 (rms) 가 0.3㎚ 이하인, 도전막이형성된기판. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은, 적어도 표면에서부터 막두께 10㎚ 부분의 결정 상태가 아모르퍼스인, 도전막이형성된기판. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은, 표면 경도(硬度)가 7.5㎬ 이상인, 도전막이형성된기판. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 표면 경도는, 사용하는 정전 척의 표면 경도 ±4.5㎬ 이내에 수렴되어 있는, 도전막이형성된기판. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은, 산소 (o) 의 평균 농도가 15at％ 이하이고, 탄소 (c) 의 평균 농도가 10at％ 이하인, 도전막이형성된기판. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 두께가 50 ∼ 200㎚ 인, 도전막이형성된기판. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은, 기판측에 있어서의 n 농도가 낮고 표면측에 있어서의 n 농도가 높아지도록, 도전막 중의 n 농도가 상기 도전막의 두께 방향을 따라 경사 조성막인, 도전막이형성된기판.