실리콘 도트 형성방법 및 장치 및 실리콘 도트 및 절연막부착 기판의 형성방법 및 장치 document_id 1020097009409

[청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 제 1 플라즈마상태 대응장치는, 상기 제 1 플라즈마생성실 내에 배치되는 상기 기판을 상기 플라즈마생성실 내에 생성되는 플라즈마로부터 차폐하고 또는 상기 플라즈마를 향하게 하는 개폐 가능한 셔터장치로서, 상기 제 1 제어부는, 상기 기판에 대한 실리콘 도트 형성에 있어서, 상기 제 1 플라즈마생성실에서의 플라즈마가 안정될 때까지는 상기 셔터장치에 의해 상기 기판이 상기 플라즈마로부터 차폐되어 불안정 플라즈마에 노출되지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 상기 셔터장치를 개방하여 상기 안정화 플라즈마 하에서 상기 기판 상에 실리콘 도트 형성이 개시되도록상기셔터장치제어하는것을특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 18] 제 16항에 있어서,상기 제 1 플라즈마상태 대응장치는, 상기 제 1 플라즈마생성실 내에 배치되는 상기 기판을 상기 제 1 플라즈마생성실 내에 생성되는 플라즈마로부터 퇴피시키고 또는 해당 퇴피위치로부터 상기 플라즈마를 향하는 위치에 배치하는 기판 퇴피장치로서, 상기 제 1 제어부는, 상기 기판에 대한 실리콘 도트 형성에 있어서, 상기 제 1 플라즈마생성실에서의 플라즈마가 안정될 때까지는 상기 기판 퇴피장치가 상기 기판을 상기 플라즈마로부터 퇴피시켜 불안정 플라즈마에 노출하지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 상기 기판 퇴피장치가 상기 기판을 상기 안정화된 플라즈마를 향하는 위치에 배치하도록상기기판퇴피장치제어하는것을특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 19] 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 가스공급장치는, 상기 실리콘 도트 형성용 가스로서실란계가스및수소가스를상기제1플라즈마생성실공급하는것특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 20] 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마생성실 내에는 실리콘 스퍼터 타겟이 설치되어 있고, 상기 제 1 가스공급장치는 상기 실리콘 도트 형성용 가스로서 플라즈마화됨으로써 상기 실리콘 스퍼터 타겟을 케미컬 스퍼터링하는스퍼터링용가스를상기제1플라즈마생성실내공급하는것특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 21] 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘 도트 형성에 앞서, 상기 제 1 플라즈마생성실 내의 실리콘막 형성 대상 부재에, 플라즈마화됨으로써 실리콘막을 형성하는 실리콘막 형성용 가스를 상기 제 1 플라즈마생성실 내로 공급하는 실리콘막 형성용 가스공급장치를 구비하고 있고, 상기 제 1 가스공급장치는 상기 실리콘 도트 형성용 가스로서 플라즈마화됨으로써 상기 실리콘막을 케미컬 스퍼터링하는스퍼터링용가스를상기제1플라즈마생성실내공급하는것특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 22] 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,실리콘 도트 형성 후에 상기 제 1 플라즈마생성실 내로 산소함유 가스 및 질소함유 가스로부터 선택된 적어도 일종의 종단 처리용 가스를 공급하는종단처리용가스공급장치더포함하고있는것을특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 23] 제 16항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마생성실에서 실리콘 도트가 형성된 기판을 반입 가능하게 상기 제 1 플라즈마생성실에 연달아 설치된 종단 처리실로서, 상기 제 1 플라즈마생성실로부터 반입되는 상기 기판 상의 실리콘 도트에, 산소함유 가스 및 질소함유 가스로부터 선택된 적어도 일종의 종단 처리용 가스에 고주파 전력을 인가함으로써 발생시킨 종단 처리용 플라즈마 하에서 종단 처리를 실시하는종단처리실더포함하고있는것을특징으로 하는실리콘 도트 형성장치. [청구항 24] 제 16항 내지 제 18항 중어느 한 항에 기재된 실리콘 도트 형성장치와 절연막 형성장치를 포함하고 있고, 상기 절연막 형성장치는, 제 2 플라즈마생성실, 상기 제 2 플라즈마생성실 내로 절연막 형성용 가스를 공급하는 제 2 가스공급장치, 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 설치된 저인덕턴스화된 제 2 안테나, 상기 제 2 안테나에 고주파 전력을 인가하여 상기 제 2 가스공급장치로부터 상기 제 2 플라즈마생성실로 공급되는 가스로부터 유도결합 플라즈마를 생성시키기 위한 제 2 고주파 전력 인가장치, 절연막 형성에 있어서 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 배치되는 기판을 상기 제 2 플라즈마생성실 내의 플라즈마가 불안정한 동안은 상기 불안정 플라즈마에 노출하지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 상기 안정화 플라즈마를 향하게 하는 제 2 플라즈마상태 대응장치, 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 생성되는 상기 플라즈마의 상태를 파악하는 제 2 플라즈마상태 파악장치 및상기 제 2 플라즈마상태 파악장치에 의해 파악되는 상기 제 2 플라즈마생성실 내의 플라즈마상태가 불안정상태에 있을 때는 상기 기판을 상기 불안정 플라즈마에 노출하지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 상기 기판을 상기 안정화 플라즈마를 향하게 하도록 상기 제 2 플라즈마상태 대응장치를 제어하는 제 2 제어부를 포함하고 있고, 상기 제 1 플라즈마생성실 및 제 2 플라즈마생성실은, 상기 양 실 사이에서 상기 기판을 반송하기 위한 기판 반송통로를 거쳐 외부로부터 기밀하게설치되어있는것을특징으로 하는실리콘 도트 및 절연막부착 기판의 형성장치. [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 제 2 플라즈마상태 대응장치는, 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 배치되는 상기 기판을 해당 플라즈마생성실 내에 생성되는 상기 플라즈마로부터 차폐하여 또는 상기 플라즈마를 향하게 하는 개폐 가능한 셔터장치로서, 상기 제 2 제어부는, 상기 기판에 대한 절연막 형성에 있어서, 상기 제 2 플라즈마생성실에서의 플라즈마가 안정되기까지는 상기 셔터장치에 의해 상기 기판이 상기 플라즈마로부터 차폐되어 불안정 플라즈마에 노출되지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 상기 셔터장치가 개방되어 상기 안정화 플라즈마 하에서 상기 기판 상에 절연막 형성이 개시되도록상기셔터장치제어하는것을특징으로 하는실리콘 도트및 절연막부착 기판의 형성장치. [청구항 26] 제 24항에 있어서,상기 제 2 플라즈마상태 대응장치는, 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 배치되는 상기 기판을 상기 제 2 플라즈마생성실 내에 생성되는 상기 플라즈마로부터 퇴피시키고 또는 상기 퇴피위치로부터 상기 플라즈마를 향하는 위치에 배치하는 기판 퇴피장치로서, 상기 제 2 제어부는, 상기 기판에 대한 절연막 형성에 있어서, 상기 제 2 플라즈마생성실에서의 플라즈마가 안정될 때까지는 해당 기판 퇴피장치가 상기 기판을 상기 플라즈마로부터 퇴피시켜 불안정 플라즈마에 노출하지 않는 상태로 두고, 상기 플라즈마가 안정화되면 해당 기판 퇴피장치가 상기 기판을 상기 안정화된 플라즈마를 향하는 위치에 배치하도록해당기판퇴피장치제어하는것을특징으로 하는실리콘 도트 및 절연막부착 기판의 형성장치. [청구항 27] 제 24항에 있어서,기판 가열 히터를 가지는 기판 홀더 및 상기 기판 홀더의 반송장치를 구비하고 있고, 상기 기판 홀더 반송장치는, 실리콘 도트 형성 후에 절연막을 형성함에 있어서 상기 기판을 상기 제 1 플라즈마생성실로부터 상기 제 2 플라즈마생성실측으로 상기 기판 반송통로를 통하여 이동시킬 때 및 절연막 형성 후에 실리콘 도트를 형성함에 있어서 상기 기판을 상기 제 2 플라즈마생성실로부터 상기 제 1 플라즈마생성실측으로 상기 기판 반송통로를 통하여 이동시킬 때,상기기판을상기기판 홀더함께이동시키는것을특징으로 하는실리콘 도트 및 절연막부착 기판의 형성장치. [청구항 28] 제 24항에 있어서,상기 절연막 형성장치의 제 2 가스공급장치는, 상기 절연막 형성용 가스로서산화실리콘 절연막형성용실란계가스및산소가스를상기제2플라즈마생성실내공급하는것특징으로 하는실리콘 도트 및 절연막부착 기판의 형성장치.