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태양 전지의 제조 방법 및 태양 전지의 제조 장치 document_id 1020097011882

출원번호
1020097011882
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 처리부에서는, 10 ev 이하의 시스 전위를 가지는 플라즈마를 이용하여상기패시막을형성하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 처리부에서는, 6.67 pa ~ 6.67 × 102 pa의 압력하에서상기패시막을형성하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 처리부에서는, 200℃ ~ 600℃의 온도하에서상기패시막을형성하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 플라즈마는, 마이크로파에 의해여기되는표면파 플라즈마인태양 전지의 제조 장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 처리부는, 마이크로파를 공급하는 슬롯 안테나갖는 것인태양 전지의 제조 장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 플라즈마를 생성하는 마이크로파는 펄스 형상으로 단속적공급되는 것인태양 전지의 제조 장치. [청구항 23] 제 16 항에 있어서,다결정 실리콘층의 표층을 산화 처리하는 경우에, 다결정 실리콘층과 패시베이션막의 계면에서의 질소 원자 함유율이 5 atomic% 이하가 되도록 처리 용기 내에 질소를 포함하는 처리 가스도입하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 24] 제 16 항에 있어서,상기 실리콘층의 표층에 형성된 패시베이션막 상에, cvd 처리에 의해 산화막, 질화막 또는 산질화막을 성막하여, 패시베이션막을 더 형성하는 다른 처리부가지는태양 전지의 제조 장치. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,처리부에서는, 플라즈마를 이용한 cvd 처리에 의해상기패시막을형성하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,처리부는, 패시베이션막의 퇴적층에 바이어스 전력을 인가하는 전원갖는 것인태양 전지의 제조 장치. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 처리부에서 상기 실리콘층의 표층을 플라즈마를 이용하여 산화, 질화 또는 산질화하는 처리, 및 상기 다른 처리부에서의 상기 cvd 처리 중 적어도 어느 하나를 행할 때에, 처리 가스에 수소첨가하는태양 전지의 제조 장치. [청구항 28] 제 24 항에 있어서,상기 처리부와 다른 처리부는, 태양 전지 기판을 진공 반송하는 반송부접속되어 있는 것인태양 전지의 제조 장치. [청구항 29] 제 24 항에 있어서,상기 처리부에서 상기 실리콘층의 표층을 산질화하여 패시베이션막을 형성하는 경우에, 상기 다른 처리부에서의 상기 cvd 처리를 행할 때에, 처리 용기 내에 산소와 질소를 함유하는 처리 가스를 도입하고, 이 도입하는 처리 가스의 산소에 대한 질소의 비율을 점차 증가시켜, 패시베이션막 중의 질소 원자 함유율을 퇴적 방향점차 증가시키는태양 전지의 제조 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
태양 전지의 제조 장치에서 다결정 실리콘층의 표층을 산화 처리할 때, 다결정 실리콘층과 패시베이션막의 계면 내 질소 원자 함유율을 5 atomic% 이하로 유지하기 위해 처리 용기 내에 도입하는 가스는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    다결정 실리콘층 산화 처리 시 계면의 질소 함유율을 5 atomic% 이하로 유지하기 위해 도입하는 가스를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 23에서 산화 처리 시 질소 함유율 조건을 만족하기 위한 가스 도입에 관한 내용을 추출한다.

    • 다결정 실리콘층의 표층을 산화 처리하는 경우에, 다결정 실리콘층과 패시베이션막의 계면에서의 질소 원자 함유율이 5 atomic% 이하가 되도록 처리 용기 내에 질소를 포함하는 처리 가스도입하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질소 함유율을 5 atomic% 이하로 유지하기 위해 도입하는 가스가 '질소를 포함하는 처리 가스'임을 확인한다.

    • 다결정 실리콘층의 표층을 산화 처리하는 경우에, 다결정 실리콘층과 패시베이션막의 계면에서의 질소 원자 함유율이 5 atomic% 이하가 되도록 처리 용기 내에 질소를 포함하는 처리 가스도입하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    질소 함유율을 특정 수치 이하로 제어하기 위한 수단으로 질소를 포함하는 가스를 도입한다는 인과관계를 파악한다.

    • 다결정 실리콘층과 패시베이션막의 계면에서의 질소 원자 함유율이 5 atomic% 이하가 되도록 처리 용기 내에 질소를 포함하는 처리 가스도입하는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 '질소를 포함하는 처리 가스'를 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
질소를 포함하는 처리 가스
핵심 해석 (core_interpretation)
다결정 실리콘층의 산화 처리 과정에서 계면의 질소 함유율을 5 atomic% 이하로 정밀하게 제어하기 위해 질소를 포함하는 처리 가스를 도입하는 기술에 관한 것이다.