부극 기재 document_id 1020097011958

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 유기막이표층을금속 산화물막피복되어있는것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 금속 산화물막이실리카계피막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 4] 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물막이 가수 분해에 의해 수산기를 생성할 수 있는 금속 화합물과, 이 금속 화합물을 용해하고 또한 이 금속 화합물과 반응하는 관능기를 갖지 않는 용제를 함유하는 실리카계 피막 형성 재료로 형성되는금속 산화물막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 5] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기막이포토레지스트막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 6] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기막이 패턴 노광에 의해 소정 형상으로 패턴화된포토레지스트패턴인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 어스펙트비 0.1이상의포토레지스트패턴인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 포토레지스트막이 활성 광선 또는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 및 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대되는 수지 성분을 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에 의해형성된것특징으로 하는부극 기재. [청구항 9] 제 5 항에 있어서,상기 포토레지스트막이 라디칼 중합 개시제 및 다관능 에폭시 수지를 함유하는 네거티브형 포토레지스트 조성물에 의해형성된것특징으로 하는부극 기재. [청구항 10] 제 5 항에 있어서,상기 포토레지스트막이(a2) 알칼리 가용성 수지 및 (b2) 퀴논디아지드기 함유 화합물을 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에 의해형성된것특징으로 하는부극 기재. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기(a2) 성분이 노볼락 수지, 하이드록시스티렌계 수지 및 아크릴계 수지 중에서 선택되는적어도1종인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기(b2) 성분이 하기 일반식 (b2a) [화학식 1][상기 일반식 (b2a) 중에서, rb1 ∼ rb8 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소원자수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소원자수 1 ∼ 6 의 알콕시기 또는 탄소원자수 3 ∼ 6 의 시클로알킬기를 나타내고, rb10 및 rb11 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소원자수 1 ∼ 6 의 알킬기를 나타내고, rb9 가 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기인 경우, q1 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 하기 화학식 (b2b)[화학식 2][상기 일반식 (b2b) 중에서, rb12 및 rb13 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소원자수 1 ∼ 6 의 알킬기, 탄소원자수 1 ∼ 6 의 알콕시기 또는 탄소원자수 3 ∼ 6 의 시클로알킬기를 나타내고, c 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.]로 나타내는 잔기를 나타내고, q1 이 rb9 의 말단과 결합되는 경우, q1 은 rb9 및 q1 과 rb9 사이의 탄소 원자와 함께, 탄소 원자 사슬 3 ∼ 6 의 시클로알킬렌 사슬을 구성하고, a 및 b 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타내고, d 는 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, n 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.]로 나타내는 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드술포닐 화합물과의에스테르화 반응생성물인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 복합막이 감광성을 갖는복합막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 복합막이 패턴 노광에 의해 소정 형상으로 패턴화된패턴화복합막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 패턴화 복합막이 어스펙트비 0.1이상의패턴화복합막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 20] 제 16 항에 있어서,상기 무기 성분이유리분말인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 21] 제 16 항에 있어서,상기 유기 성분이 적어도 (a1) 수용성 셀룰로오스 유도체와, (b1) 광중합성 단량체와, (c1)광중합개시제함유하는것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 유기 성분이 추가로 (d1) 하이드록실기를 갖는아크릴계 수지함유하는것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 어스펙트비 0.1이상의포토레지스트패턴인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 활성 광선 또는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물 및 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대되는 수지 성분을 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성되는포토레지스트패턴인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 26] 제 23 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 라디칼 중합 개시제 및 다관능 에폭시 수지를 함유하는 네거티브형 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성되는포토레지스트패턴인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 27] 제 23 항에 있어서,상기 실리카계 피막 형성용 도포액이 실록산 폴리머와 용제를 함유하여 이루어지는실리카계피막형성용조성물인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 실록산 폴리머는 하기 일반식 (i) 로 나타내는 실란 화합물에서 선택되는 적어도 1 종을 가수 분해 반응시켜 얻어지는반응생성물인것을특징으로 하는부극 기재.[화학식 3][식 (i) 중에서, r 은 수소 원자, 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, r' 는 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, n 은 2 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.] [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 실란 화합물은 메틸트리알콕시실란과 테트라알콕시실란으로이루어지는것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 30] 제 1 항, 제 2 항, 제 16 항 또는 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속막이 도금 처리에 의해 형성되는금속막인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 도금 처리가 무전해 구리 도금 처리, 무전해 니켈 도금 처리, 무전해 주석 도금 처리 및 전해 주석 도금 처리로 이루어지는 군에서 선택된적어도1종도금 처리인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,상기 도금 처리가 무전해 구리 도금 처리 및 무전해 니켈 도금 처리 중 적어도 1 종의 도금 처리와, 무전해 주석 도금 처리 및 전해 주석 도금 처리 중 적어도 1 종의 도금 처리를 포함하는다단계도금 처리인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 33] 제 1 항, 제 2 항, 제 16 항 또는 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 부극 기재가 2 차 전지용 부극기재인것을특징으로 하는부극 기재. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,상기 용제가 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물인 금속 산화물막 형성 재료.[화학식 4][식 (1) 중에서, r21 ∼ r23 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 직사슬형 혹은 분기형의 알킬기로서, r21 ∼ r23 중 적어도 2 개는 알킬기이며, 이 알킬기는 시클로헥산 고리에 있어서의 그 알킬기가 결합된 탄소 원자 이외의 탄소 원자와 결합되어 고리형성하고있어도 된다.] [청구항 40] 제 38 항에 있어서,상기 용제nan가멘탄인금속 산화물막 형성 재료. [청구항 41] 제 38 항에 있어서,상기 금속 화합물이 이소시아네이트기 및/또는할로겐원자를2개이상갖는규소 화합물인금속 산화물막 형성 재료.