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설폰화된 공중합체를 함유하는 광학-전자 디바이스 document_id 1020097012050

출원번호
1020097012050
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 설폰산 작용기포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 포스폰화된 방향족 축합 공중합체가 포스폰산 작용기포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 설폰화된 폴리아릴에터, 설폰화된 폴리이미드, 설폰화된 폴리페닐렌 옥사이드, 설폰화된 폴리아릴렌, 설폰화된 폴리포스파젠에서 선택되고, 하나 이상의 포스폰화된 방향족 축합 공중합체가 포스폰화된 폴리아릴에터, 포스폰화된 폴리이미드, 포스폰화된 폴리페닐렌 옥사이드, 포스폰화된 폴리아릴렌, 포스폰화된 폴리포스파젠 및 이의 조합선택되는광학-전자 디바이스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 설폰화된 폴리아릴에터, 설폰화된 폴리이미드, 설폰화된 폴리페닐렌 옥사이드 및 이의 조합선택되는광학-전자 디바이스. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 설폰화된 폴리아릴터인광학-전자 디바이스. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,설폰화된 폴리아릴에터가 설폰화된 폴리에터설폰인광학-전자 디바이스. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,설폰화된 폴리아릴에터가 설폰화된폴리아릴에터케톤인광학-전자 디바이스. [청구항 9] 제 6 항에 있어서,설폰화된 폴리아릴에터가 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체가 하기 화학식 i의 구조 단위를 갖는 하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터케톤 블록을 포함하는 광학-전자 디바이스:화학식 i상기 식에서,r1 및 r2는 독립적으로 c1-c10 알킬, c3-c12 사이클로알킬, c6-c14 아릴, 알릴, 알케닐, 알콕시, 할로 또는 시아노이고, z1은 직접 결합, o, s, ch2, so, so2, co, 포스피닐 옥사이드, 알케닐, 알키닐, c1-c12 지방족 라디칼12 사이클로알리파틱 라디칼, c3-c12 방향족 라디칼 또는 이의 조합이고,m은 h, 금속 양이온, 비-금속 무기 양이온, 유기 양이온 또는 이의 조합이고,a는 0 또는 1 내지 3의 정수이고,b는 0 또는 1 내지 4의 정수이고,m은 0 또는 1이다. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체가 하기 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 하나 이상의 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록을 추가로 포함하는 광학-전자 디바이스:화학식 ii상기 식에서,r3 및 r4는 독립적으로 c1-c10 알킬, c3-c12 사이클로알킬, c6-c14 아릴, 알릴, 알케닐, 알콕시, 할로 또는 시아노이고,z2는 직접 결합, o, s, ch2, so, so2, co, 포스피닐 옥사이드, 알케닐, 알키닐, c1-c12 지방족 라디칼12 사이클로알리파틱 라디칼, c3-c12 방향족 라디칼 또는 이의 조합이고,m은 h, 금속 양이온, 비-금속 무기 양이온, 유기 양이온 또는 이의 조합이고,c는 0 또는 1 내지 3의 정수이고,d는 0 또는 1 내지 4의 정수이고,n은 0 또는 1이다. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체가 하기 화학식 iii의 구조 단위를 갖는 하나 이상의 설폰화된 폴리에터설폰 블록을 추가로 포함하는 광학-전자 디바이스:화학식 iii상기 식에서,r5는 c1-c10 알킬, c3-c12 사이클로알킬, c6-c14 아릴, 알릴, 알케닐, 알콕시, 할로 또는 시아노이고,z3는 직접 결합, o, s, ch2, so, so2, co, 포스피닐 옥사이드, 알케닐, 알키닐, c1-c12 지방족 라디칼12 사이클로알리파틱 라디칼, c3-c12 방향족 라디칼 또는 이의 조합이고,m은 h, 금속 양이온, 비-금속 무기 양이온, 유기 양이온 또는 이의 조합이고,e는 0 또는 1 내지 3의 정수이고,f는 0 또는 1 내지 4의 정수이고,p는 0 또는 1이다. [청구항 15] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리에터케톤 블록이 하기 화학식 ia의 구조 단위포함하는광학-전자 디바이스:화학식 ia상기 식에서, z1a는 직접 결합, c(cf3)2 또는 이의 조합이다. [청구항 16] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터케톤 블록이 하기 화학식 iia의 구조 단위포함하는광학-전자 디바이스:화학식 iia상기 식에서, z2a는 직접 결합, c(cf3)2 또는 이의 조합이다. [청구항 17] 제 9 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 폴리에터설폰 블록 공중합체가 하기 화학식 iiia의 구조 단위를 갖는 하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록포함하는광학-전자 디바이스:화학식 iiia상기 식에서, z3a는 직접 결합, c(cf3)2 또는 이의 조합이다. [청구항 18] 제 9 항에 있어서,1이 직접nan결합인광학-전자 디바이스. [청구항 21] 제 9 항에 있어서,5몰% 내지 약 50몰%의 화학식 i의 구조 단위를 갖는 설폰화된 폴리에터케톤 블록포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 22] 제 9 항에 있어서,25몰% 내지 약 50몰%의 화학식 i의 구조 단위를 갖는 설폰화된 폴리에터케톤 블록포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 23] 제 13 항에 있어서,10몰% 내지 약 70몰%의 화학식 iii의 구조 단위를 갖는 설폰화된 폴리에터설폰 블록포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 24] 제 13 항에 있어서,10몰% 내지 약 35몰%의 화학식 iii의 구조 단위를 갖는 설폰화된 폴리에터설폰 블록포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 25] 제 12 항에 있어서,10몰% 내지 약 50몰%의 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터케톤 블록포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 26] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 약 30몰% 이상의 설폰화도포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 27] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 약 50몰% 이상의 설폰화도포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 약 20몰% 내지 약 80몰%의 설폰화도포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 29] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 약 40몰% 내지 약 80몰%의 설폰화도포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 30] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 약 50몰% 내지 약 70몰%의 설폰화도포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 31] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체와 pedot의 블렌드포함하는광학-전자 디바이스. [청구항 32] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 정공 주입 층형성하는광학-전자 디바이스. [청구항 33] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 설폰화된 방향족 축합 공중합체가 정공 수집 층형성하는광학-전자 디바이스.
지시문 (instruction)
본문에서 필요한 정보를 찾아 질문에 답변하라.
질문 (question)
설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체를 포함하는 광학-전자 디바이스에서, 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록이 포함될 경우 해당 블록의 함량 범위는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질문은 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체 내에 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록이 포함될 경우, 해당 블록의 함량 범위를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 12에서 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록이 추가될 수 있음을 확인하고, 관련 함량 정보를 담은 청구항을 탐색한다.

    • 하나 이상의 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체가 하기 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 하나 이상의 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록을 추가로 포함하는
    • 제 12 항에 있어서,10몰% 내지 약 50몰%의 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터케톤 블록포함하는광학-전자 디바이스.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 25에서 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 블록의 함량 범위를 명시하고 있음을 확인한다.

    • 제 12 항에 있어서,10몰% 내지 약 50몰%의 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 폴리아릴에터케톤 블록포함하는광학-전자 디바이스.
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 12는 비설폰화된 폴리아릴에터설폰 블록을 정의하고, 청구항 25는 해당 블록(문맥상 화학식 ii 관련)의 함량을 10몰% 내지 약 50몰%로 규정한다.

    • 10몰% 내지 약 50몰%의 화학식 ii의 구조 단위를 갖는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    따라서 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 블록의 함량 범위는 10몰% 내지 약 50몰%이다.

    • 10몰% 내지 약 50몰%
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 함량 범위를 질문에 맞게 답변 형식으로 작성한다.

    • 10몰% 내지 약 50몰%
최종 답변 (final_answer)
10몰% 내지 약 50몰%
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 설폰화된 폴리아릴에터 블록 공중합체에 화학식 ii의 구조 단위를 갖는 비설폰화된 블록을 특정 함량 범위(10몰%~50몰%)로 포함함으로써 광학-전자 디바이스의 특성을 조절하는 기술에 관한 것이다.