문맥 (context)
[청구항 26]
제 25 항에 있어서,상기 배리어 증착 모듈은 탄탈륨 또는 탄탈륨질화물증착하도록구성된,집적 시스템.
[청구항 27]
제 25 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 형성 모듈은 불소, 브롬, 및 요오드의 원소들 중 적어도 1종을 포함하는 반응 가스 혼합물로 상기 배리어층을 처리하거나; 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하거나;실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고, 상기 기판을 유효량 가열하여, 상기 배리어층의 표면에서 전이 금속과 함께 실리사이드를 형성하도록 하거나; 금속 및 실리콘을 상기 배리어층 상에 증착하여 실리사이드를 형성하도록 하거나; 또는 코발트, 로듐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 및 몰리브덴 중 적어도 1종의 유효량을 원자층 증착에 의해증착하도록구성된,집적 시스템.
[청구항 28]
제 25 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 제거 모듈은 플라즈마 식각 모듈 또는 액체 화학 식각 모듈포함하는,집적 시스템.
[청구항 29]
제 25 항에 있어서,상기 구리 갭필 모듈은 무전해 증착 모듈 및 전기화학 도금 모듈 중 적어도 하나포함하는,집적 시스템.
[청구항 30]
제 25 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 형성 모듈은 원자층 증착 모듈, 실리콘 증착 모듈, 또는 실리사이드화 모듈포함하는,집적 시스템.
[청구항 32]
제 31 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 형성 모듈은 무전해 구리 증착 공정에서 제거가능한 패시베이팅된 표면을 형성하도록 구성되고, 상기 패시베이팅된 표면 제거 및 구리 증착 모듈은 무전해 구리 증착 또는 무전해구리증착및전기화학구리도금위해구성된,집적 시스템.
[청구항 33]
제 31 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 제거 및 구리 증착 모듈은 무전해 구리 증착 및 전기화학 구리 도금 중 적어도 하나에 의해구리증착하도록구성된,집적 시스템.
[청구항 34]
제 31 항에 있어서,상기 배리어 증착 모듈은 탄탈륨 증착 모듈 또는 탄탈륨 질화물 증착 모듈포함하는,집적 시스템.
[청구항 35]
제 31 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 형성 모듈은,불소, 브롬, 및 요오드의 원소들 중 적어도 1종을 포함하는 반응 가스 혼합물로 상기 배리어층을 처리하고; 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고; 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고, 상기 기판을 유효량 가열하여, 상기 배리어층의 표면에서 전이 금속과 함께 실리사이드를 형성하도록 하고; 금속 및 실리콘을 상기 배리어층 상에 증착하여 실리사이드를 형성하도록 하고; 그리고 코발트, 로듐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 및 몰리브덴 중 적어도 1종의 유효량을 원자층 증착에 의해증착하도록구성된,집적 시스템.
[청구항 36]
제 31 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면 형성 모듈은 원자층 증착 모듈, 실리콘 증착 모듈, 또는 실리사이드화 모듈포함하는,집적 시스템.
[청구항 38]
제 37 항에 있어서,상기 패시베이팅된 표면은 무전해 구리 증착 공정에서 제거가능하고,상기 패시베이팅된 표면 제거 및 구리 증착 모듈은 무전해 구리 증착 또는 무전해 구리 증착 및 전기화학 구리 도금에 의해구리증착하도록구성된,집적 시스템.
[청구항 39]
제 37 항에 있어서,상기 배리어 증착 및 패시베이팅된 표면 형성 모듈은 원자층 증착에 의해 탄탈륨 질화물을 증착하고 상기 탄탈륨 질화물 상에 패시베이팅된 표면을 형성하도록 구성되고, 상기 패시베이팅된 표면은 무전해 구리 증착에 자체촉매적 (autocatalytic) 이며; 그리고 상기 패시베이팅된 표면 제거 및 구리 증착 모듈은 무전해 구리 증착 또는 무전해 구리 증착 및 전기화학 구리 도금에 의해구리증착하도록구성된,집적 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
집적 시스템에서 패시베이팅된 표면 형성 모듈이 실리사이드를 형성하기 위해 수행할 수 있는 구성 방식들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation집적 시스템 내 패시베이팅된 표면 형성 모듈이 실리사이드를 형성하기 위해 수행할 수 있는 구성 방식들을 모두 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 27 및 35에서 실리사이드 형성과 관련된 구체적인 동작 방식들을 확인한다.
- 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고, 상기 기판을 유효량 가열하여, 상기 배리어층의 표면에서 전이 금속과 함께 실리사이드를 형성하도록 하거나; 금속 및 실리콘을 상기 배리어층 상에 증착하여 실리사이드를 형성하도록 하거나
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3근거 선택
evidence_selection실리사이드 형성을 목적으로 하는 두 가지 구체적인 구성 방식을 선택한다.
- 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고, 상기 기판을 유효량 가열하여, 상기 배리어층의 표면에서 전이 금속과 함께 실리사이드를 형성하도록 하거나; 금속 및 실리콘을 상기 배리어층 상에 증착하여 실리사이드를 형성하도록 하거나
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4논리 통합
logical_integration추출된 두 가지 방식(가스 처리 및 가열 방식, 금속 및 실리콘 증착 방식)을 나열 형식으로 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 답변하기 위해 실리사이드를 형성하는 구성 방식들을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 실리콘을 포함하는 반응 가스로 상기 배리어층을 처리하고, 상기 기판을 유효량 가열하여, 상기 배리어층의 표면에서 전이 금속과 함께 실리사이드를 형성하는 방식
2. 금속 및 실리콘을 상기 배리어층 상에 증착하여 실리사이드를 형성하는 방식
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 배리어층의 표면에서 전이 금속과 실리콘의 반응을 유도하여 실리사이드를 형성함으로써 패시베이팅된 표면을 형성하는 구체적인 공정 구성 방식을 제공한다.