진공 척이 있는 베벨 에칭 장치 document_id 1020097017665

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 척 보디에 플리넘 (plenum) 을 더 포함하고,상기 플리넘은 진공 펌프와 유체 연통하고,상기 적어도 하나의 가스 통로는 상기 리세스 표면과 상기 플리넘 사이에 연장하는 복수의 홀들포함하는,베벨 에칭 장치의 진공 척 배열. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 리세스 표면은 상기 지지 링 상에 지지되는 상기 반도체 기판의 저측에 접촉하도록 구성되는 하나 이상의 돌출부를 포함하거나,(b) 상기 리세스 표면은 스텝형 (stepped) 표면오목 표면인,베벨 에칭 장치의 진공 척 배열. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 가스 통로는, 리프트 핀들의 이동을 허용하도록 사이징 (size) 되는 복수의 리프트 핀 홀들을 포함하고, 상기 진공 영역에 진공력인가하는,베벨 에칭 장치의 진공 척 배열. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 지지 링은 도전성, 반도전성 또는 유전성 재료로 코팅되거나, 전적으로 도전성, 반도전성 또는 유전성재료인,베벨 에칭 장치의 진공 척 배열. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 리세스 표면은 제 1 및 제 2 환형 스텝들을 포함하고,상기 제 1 환형 스텝은 상기 지지 링의 내측으로 연장하고, 상기 제 2 환형 스텝은 상기 제 1 스텝의 내측으로 연장하며,상기 제 1 및 제 2 환형 스텝들은 서로로부터 수직으로 오프셋되는 평면 표면들갖는,베벨 에칭 장치의 진공 척 배열. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 생성 유닛은,상기 지지 링을 둘러싸고, 상기 지지링에 의해 상기 척 보디로부터 전기적으로 절연되는 제 1 전극 링;상기 척 보디에 대향하는 저부 표면을 갖고, 프로세스 가스가 상기 반도체 기판의 상부 표면으로 도입되도록 되는 적어도 하나의 홀을 포함하는 가스 분배 플레이트; 및상기 가스 분배 플레이트를 둘러싸고, 상기 제 1 전극 링에 대향하는 제 2 전극 링포함하는,베벨 에칭 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 전극 링들 중 하나는 접지되고, 다른 하나는 무선 주파수 (rf) 전력 소스에 커플링되고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 상기 rf 전력 소스로부터 rf 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하거나;(b) 중공 캐소드 링이 상기 제 1 및 제 2 전극 링들을 따라 배치되고, 상기 중공 캐소드 링과 상기 제 1 및 제 2 전극 링들 중 하나는 무선 주파수 (rf) 전력 소스에 커플링되고, 다른 것들은 접지되고, 상기 중공 캐소드 링과 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 상기 rf 전력 소스로부터 rf 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하거나; 또는(c) 코일이 상기 무선 주파수 (rf) 전력 소스와 유도성 결합되고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들을 따라 배치되며, 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록 동작하고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들접지되는,베벨 에칭 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 오목하거나;(b) 상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면은 상기 반도체 기판을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;(c) 상기 척 보디의 리세스 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 오목하거나;(d) 상기 척 보디의 리세스 표면은 상기 반도체 기판의 만곡된 형상을 수용하기 위해 다중의 스텝들을 포함하거나;(e) 돌출 엘리먼트들이 상기 척 보디의 리세스 표면 상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁 (tip) 들을 포함하거나;(f) 메사 (mesa) 어레이 또는 이격된 링들의 형태인 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 리세스 표면 상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁들포함하는,베벨 에칭 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 척 보디는 플라즈마를 생성하기 위해 무선 주파수 (rf) 전력 소스에 커플링되는 전기 전도성 금속이고, 상기 제 1 및 제 2 전극 링들은 접지되거나;(b) 상부 유전체 링은 상기 가스 분배 플레이트 및 상기 제 2 전극 링 사이에 위치되고, 상기 제 2 전극 링으로부터상기가스분배플레이트를전기적절연시키도록구성되는,베벨 에칭 장치. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면과 상기 척 보디의 리세스 표면 사이의 간격의 높이를 조절함에 의해 상기 가스 분배 플레이트의 저부 표면과 상기 반도체 기판의 상부 표면 사이의 수직 분리를 제어하도록 구성되는 간격 제어 메커니즘더 포함하는,베벨 에칭 장치. [청구항 14] 제 7 항에 있어서,상기 척 보디는 상기 진공 영역으로 연장하는 복수의 원통형 홀들;상기 척 보디의 리세스 표면에 수직 방향으로 상기 반도체 기판을 이동시키도록 구성되는 복수의 리프트 핀들로서, 각각의 리프트 핀은 상기 원통형 홀들 중 하나를 따라서 이동하도록 구성되는, 상기 복수의 리프트 핀들; 및 상기 리프트 핀들을 기계적으로 이동시키는 핀 작동 유닛포함하는,베벨 에칭 장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,각각의 상기 홀들의 일 부분은 상기 진공 소스가 상기 진공 영역을 진공화시키는 가스 통로를 형성하거나;(b) 상기 척 보디는 상기 홀들을 통해 상기 진공 영역과 유체 연통하는플리넘을포함하는,베벨 에칭 장치. [청구항 16] 제 7 항에 있어서,상기 플라즈마 생성 유닛은,상기 지지 링을 둘러싸고, 상기 지지 링에 의해 상기 척 보디로부터 전기적으로 절연되는 제 1 전극;평평한 플레이트, 상기 제 1 전극에 대향하는 링-형상의 돌출부 및 프로세스 가스가 상기 챔버에 도입되는 적어도 하나의 가스 통로를 포함하는 제 2 전극; 및상기 평평한 플레이트 아래 및 상기 링-형상의 돌출부의 내부에 배치되는 절연층을 포함하고,상기 절연층의 저부 표면은, 상기 반도체 기판을 수용하기 위한 공간을 형성하기 위해 상기 척 보디의 리세스 표면과 이격된 관계이고,상기 제 1 및 제 2 전극들 중 하나는 접지되고, 다른 하나는 무선 주파수 (rf) 전력 소스에 커플링되며,상기 제 1 및 제 2 전극들은 상기 rf 전력 소스로부터 rf 전력을 수신할 시 상기 프로세스 가스를 플라즈마로 에너자이징하도록동작하는,베벨 에칭 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 절연층의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 오목하거나;(b) 상기 절연층의 저부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;(c) 상기 척 보디의 상부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 오목하거나;(d) 상기 척 보디의 상부 표면은 상기 반도체 기판의 만곡을 수용하기 위해 다중 스텝들을 포함하거나;(e) 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 상부 표면상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁들을 포함하거나;(f) 메사 어레이 또는 이격된 링들의 형태인 돌출 엘리먼트들은 상기 척 보디의 리세스 표면상에 배치되고, 접촉하여 상기 반도체 기판의 저부 표면을 지지하는 팁들포함하는,베벨 에칭 장치.