면 방출형 전자원 및 묘화 장치 document_id 1020097020219

[청구항 3] 제2항에 있어서,상기 양자 세선은 상기 제1 방향으로 굵기가 가는 부분이 소정의 간격으로 복수형성되어 있는,면 방출형 전자원. [청구항 4] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 있어서,상기 전자 통과층을 실온 이하의 온도로 유지하는 온도 조절부더 포함하는,면 방출형 전자원. [청구항 5] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,일방의 단부인 제1 개구부보다 타방의 단부인 제2 개구부가 넓고, 상기 제1 개구부로부터 상기 제2 개구부를 향함에 따라 지름이 단조롭게 커지는 관형상 부재가 복수의 다발로 묶여 구성된 다공 부재; 및상기 다공 부재의 상기 제2 개구부측에 접속된 평면 형상의 면전극;을 더 포함하고,상기 관형상 부재는 반도체 또는 절연체로 구성되어 있으며,상기 다공 부재는, 상기 제1 개구부를 상기 제2 전극의 표면을 향하게 하여 상기 제2 전극의 표면접속되어 있는,면 방출형 전자원. [청구항 6] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,일방의 단부인 제1 개구부보다 타방의 단부인 제2 개구부가 넓고, 상기 제1 개구부로부터 상기 제2 개구부를 향함에 따라 지름이 단조롭게 커지는 관형상 부재가 복수의 다발로 묶여 구성된 다공 부재;상기 다공 부재의 각 상기 관형상 부재에 마련된 전극;상기 제2 전극과 상기 전극과의 사이에 전압을 인가하는 제2 전원부; 및상기 제2 전원부에 의한 인가 전압을 제어하는 제어부;를 포함하고,상기 관형상 부재는 반도체 또는 절연체로 구성되어 있으며,상기 다공 부재는 상기 제1 개구부를 상기 제2 전극의 표면을 향하게 하여 상기 제2 전극의 표면접속되어 있는,면 방출형 전자원. [청구항 7] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제2 전극의 표면으로부터 전자를 방출시키는 영역에 상당하는 영역에 도전체가 배치되고, 전자를 방출시키는 부분 이외에는 절연체배치되는,면 방출형 전자원. [청구항 8] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극의 표면에는 소정의 패턴으로 형성된 전자 흡수체가마련되어 있는,면 방출형 전자원. [청구항 9] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,1개의 양자 세선 또는 복수의 양자 세선에 접속됨과 함께, 도통 상태, 비도통 상태 또는 반도통 상태로 할 수 있는 스위치 소자가 상기 제1 전극에 복수로 마련되고, 상기 각 스위치 소자는 상기 전원부에 접속되고,상기 각 스위치 소자 중, 상기 제2 전극의 표면으로부터 전자를 방출시키는 영역에 상당하는 영역에 마련된 스위치 소자를 도통 상태로 하는 스위치 제어부더 포함하는,면 방출형 전자원. [청구항 10] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자 세선의 굵기는 5nm이하인,면 방출형 전자원. [청구항 11] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자 세선의 간격은 상기 양자 세선구성하는물질의 원자 간격 이상인,면 방출형 전자원. [청구항 12] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극의 표면에 대해 수직인 방향으로, 자계를 인가하는 자계 인가부;상기 전원부에 의해 전압이 인가되었을 때에, 상기 제2 전극의 표면으로부터 방출되는 전자의 방출각을 검출하는 전자 방출각 검출기; 및상기 전자 방출각 검출기에 의한 상기 전자 방출각의 검출 결과에 기초하여, 상기 자계 인가부에 의한 자계의 강도를 조절하는 제어부더 포함하는면 방출형 전자원. [청구항 13] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극의 표면에 대해 수직인 방향으로, 펄스 자계를 인가하는 펄스 자계 인가부;를 더 포함하고,상기 전원부는 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극에 펄스 전압을 인가하는 것이며, 상기 펄스 자계 인가부에 의해 상기 펄스 자계를 인가하고 있는 동안, 상기 전원부는 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극에 펄스 전압인가하는,면 방출형 전자원. [청구항 14] 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 양자 세선에 있어서의 상기 가는 부분에 의해 구획되는 영역은, 양자 도트구성하는 것인,면 방출형 전자원. [청구항 15] 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양자 세선의 상기 제2 전극측의 선단부에, 전자 흡수층이 형성되어 있으며, 상기 전자 흡수층은, 상기 제2 전극에 전기적접속되어 있는,면 방출형 전자원. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 면 방출형 전자원의 상기 양자 세선은 상기 제1 방향으로 굵기가 가는 부분이 소정의 간격으로 복수형성되어 있는,묘화 장치. [청구항 19] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원은,상기 제2 전극의 표면에 대해 수직인 방향으로, 자계를 인가하는 자계 인가부;상기 전원부에 의해 전압이 인가되었을 때에 상기 제2 전극의 표면으로부터 방출되는 전자의 방출각을 검출하는 전자 방출각 검출기;상기 전자 방출각 검출기에 의해 상기 전자의 방출각의 검출결과에 기초하여 상기 자계 인가부에 의한 자계의 강도를 조절하는 제어부더 포함하는,묘화 장치. [청구항 20] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원의 상기 전자 통과층을, 실온 이하의 온도로 유지하는 온도조절부갖는,묘화 장치. [청구항 21] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원은,일방의 단부인 제1 개구부보다 타방의 단부인 제2 개구부가 넓고 상기 제1 개구부로부터 상기 제2 개구부를 향함에 따라 단조롭게 직경이 커지는 관형상 부재가 복수의 다발로 묶여 구성된 다공 부재; 및상기 다공 부재의 상기 제2 개구부측에 접속된 평면 형상의 면전극;을 더 포함하고,상기 관형상 부재는 반도체 또는 절연체로 구성되어 있으며,상기 다공 부재는 상기 제1 개구부를 상기 제2 전극의 표면을 향하게 하여 상기 제2 전극의 표면접속되어 있는,묘화 장치. [청구항 22] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원은,일방의 단부인 제1 개구부보다 타방의 단부인 제2 개구부가 넓고 상기 제1 개구부로부터 상기 제2 개구부를 향함에 따라 지름이 단조롭게 커지는 관형상 부재가 복수의 다발로 묶여 구성된 다공 부재;상기 다공 부재의 각 상기 관형상 부재에 마련된 전극;상기 제2 전극과, 상기 전극과의 사이에 전압을 인가하는 제2 전원부; 및상기 제2 전원부에 의한 인가 전압을 제어하는 제어부;를 포함하고,상기 관형상 부재는 반도체 또는 절연체로 구성되어 있으며, 상기 다공 부재는 상기 제1 개구부를 상기 제2 전극의 표면을 향하게 하여 상기 제2 전극의 표면접속되어 있는,묘화 장치. [청구항 23] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원의 상기 제1 전극은, 상기 제2 전극의 표면으로부터 전자를 방출시키는 영역에 상당하는 영역에 도전체가 배치되고, 전자를 방출시키는 부분 이외에는 절연체배치되어 있는,묘화 장치. [청구항 24] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 면 방출형 전자원의 상기 제2 전극의 표면에는 소정 패턴으로 형성된 전자 흡수체가마련되어 있는,묘화 장치. [청구항 25] 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,1개의 양자 세선 또는 복수의 양자 세선에 접속됨과 함께, 도통상태, 비도통상태 또는 반도통상태로 할 수 있는 스위치 소자가 상기 면 방출형 전자원의 상기 제1 전극에 복수로 마련되어 있고, 상기 각 스위치 소자는 상기 전원부에 접속되어 있으며,상기 각 스위치 소자 중 상기 제2 전극의 표면으로부터 전자를 방출시키는 영역에 상당하는 영역에 마련된 스위치 소자를 도통상태로 하는 스위치 제어부더 포함하는,묘화 장치. [청구항 26] 제16항 또는 제18항에 있어서,상기 면 방출형 전자원의 상기 양자 세선에 있어서의 상기 가는 부분에 의해 구획되는 영역은 양자 도트구성하는 것인,묘화 장치.