플라즈마 소스 document_id 1020097024607

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 도관(3, 4)은 노즐(3)을 포함하고,상기 이온화 챔버(10)는 노즐(3)의 하류에서도관연결되는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 노즐(3, 14)은 벤튜리 노즐(venturi nozzle)또는레이벌노즐인것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 4] 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 노즐(3)의 상류의 상기 도관(3, 4) 내에서 상기 가스 흐름이 아음속 흐름 속도(m003c#1), 그리고/또는상기 노즐(3)의 하류의 상기 도관(3, 4) 내에서 상기 가스 흐름이 초음속 흐름 속도(m003e#1), 그리고 또는상기 노즐(3)에서 상기 가스 흐름이 실질적으로 음속 흐름 속도(m?1)인 것에 의해 특징화되는플라즈마 소스(1). [청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온화 챔버(10)는 링 형상(ring-shaped)이며,상기도관감싸는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1). [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 링 형상의 플라즈마는 이온화 챔버(10) 내부에서 방전하고, 상기 플라즈마의 방전은 도관(3, 4)을 감싸는 것에 의해 특징화되는플라즈마 소스(1). [청구항 7] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온화 챔버(15, 360)는 컵 형상(cup-shaped)이고, 흐름 방향으로 개방되며,상기 이온화 챔버(15, 30)는 상기 도관(14, 14′) 내부, 특히 상기 노즐(14)내부배치되는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 컵 형상의 이온화 챔버(15, 30)는 축 방향으로 조절될 수 있는축위치구비하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(13). [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,제1 전극(26)과 제2 전극(25)은 상기 이온화 챔버(15) 내에서 발생하는플라즈마발생제공되는것을특징으로 하는플라즈마 소스(13). [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 노즐(3)에 의해 형성되고,상기 제2 전극은 상기 도관의 원뿔 부분(4)에 형성되고, 상기 원뿔 부분은 상기 흐름 방향으로 테이퍼지고노즐감싸는것을특징으로 하는플라즈마 소스(13). [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제1 전극(26)과 상기 제2 전극(25)은 상기 이온화 챔버(15)내부모두배치되는것을특징으로 하는플라즈마 소스(13). [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 제1 전극(26)은 상기 도관(14′), 특히 상기 노즐에 의해 형성되고,상기 제2 전극(25)은 상기 이온화 챔버(10, 15, 30)내홀로배치되는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 13] 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 발생으로 인해, 상기 이온화 챔버(10) 내부에서 발생되는 마이크로웨이브(microwave)들이 발생되고,상기 이온화 챔버(10) 내에서 발생된 상기 마이크로웨이브들은 상기 이온화 챔버(10) 또는 상기 플라즈마 소스(1)의 마이크로웨이브 방사를 감소시키기 위하여 전기적으로 전도성인 물질로 마련되는 하우징에 의해방어막형성되는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1). [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 플라즈마 소스(1)가 전자기적인 방사가 발생되는 플라즈마로부터 실질적으로 자유롭도록, 상기 이온화 챔버(10)의 내부로부터 상기 도관(3, 4)의 내부로, 그리고 상기 도관(3, 4)의 아웃렛을 따라 방사 경로의 방향이 없는 것특징으로 하는플라즈마 소스(1). [청구항 15] 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 소스(13)가 상기 전자기적인 방사가 발생되는 플라즈마를 방출할 수 있도록, 상기 이온화 챔버의 내부로부터 상기 도관(14, 14′)의 내부로, 그리고 상기 도관(14, 14′)의 아웃렛을 따라 방사 경로의 방향이 있는 것특징으로 하는플라즈마 소스(13). [청구항 16] 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온화 챔버(10, 15, 30)는, 상기 이온화 챔버(10, 15, 30) 내부에서 플라즈마 발생의 시각적인 컨트롤이 가능할 수 있도록 적어도 일부분이 투명한 벽들포함하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 이온화 챔버(10, 15, 30)는 가시광선이 투영되고 자외선이 비투영되는 물질로 제작되는윈도우포함하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13) [청구항 18] 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온화 챔버(10, 15, 30)는 진공 미터 또는 그와 같은 것과 연결되는커넥션포함하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 19] 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온화 챔버(10, 15, 30)의 내부 그리고/또는 상기 도관(3, 4, 14, 14′)내의 상기 이온화 챔버(10, 15, 30)의 하류부에서 자기장을 발생시키는 마그네트(28)가 마련되며, 상기 자기장은 상기 플라즈마 발생을 향상시키는 것에 의하여 특징화되는플라즈마 소스(1, 13) [청구항 20] 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도관(3, 4, 14, 14′)은 상기 도관(3, 4, 14, 14′) 내부로 가스 흐름을 도입하는 인렛(5, 20)을 포함하며,상기 도관(3, 4, 14, 14′)은 대상체(2, object) 상으로 혼합된 플라즈마와 함께 가스 흐름을 분사하는아웃렛포함하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 21] 제1항내지 제20항 중어느 한 항에 있어서상기 이온화 챔버(10, 15, 30) 내부에서 발생된 상기 진공은 5mbar 내지 900mbar의범위갖는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 22] 제1항내지 제21항 중어느 한 항에 있어서상기 도관(3, 4, 14, 14′) 내부로 도입되는 상기 가스 흐름은, 대기(ambient air) 또는 질소(nitrogen) 또는 희가스(noble gas) 특히 아르곤, 첨가물 특히 이산화탄소와 함께 혼합된 상기 가스들 중의 어느하나를실질적포함하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 23] 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도관(3, 4, 14, 14′) 내에서의 상기 가스 흐름은 50 l/min(리터/분), 40 l/min, 30 l/min, 20 l/min 또는 10 l/min보다 작은양갖는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 24] 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,직류 여자(direct current excitation) 또는 상기 이온화 챔버(10, 15, 30) 내에서의 플라즈마의 교류 여자(alternating current excitation), 특히 무선 주파수 여자(rf excitation)를 얻기 위한 플라즈마 제너레이터(11)에 의해 특징화되는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 25] 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마는 100, 75, 50, 40 또는 30℃보다 작은온도갖는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13). [청구항 26] 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도관(3, 4, 14, 14′) 내에서의 상기 가스 흐름은 이온화 챔버(10, 15, 30)의 외부로 분자들(molecules), 원자들(atoms), 이온들(ions) 그리고/또는 전자(electrons)들의가스파티클들방출하는것을특징으로 하는플라즈마 소스(1, 13).