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상변화 메모리 장치 및 제조 방법 document_id 1020100003230

출원번호
1020100003230
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 복수개의 하부 전극 콘택용 라인 패턴들은 상기 다이오드용 라인 패턴들과 동일한 방향으로 연장되는 l자 형태의 라인 형상을 가지며상기다이오드용라인패턴들각각의일부분상형성되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 복수개의 하부 전극 콘택용 라인 패턴들은서로 인접하는 2개의 하부 전극 콘택용 라인 패턴들 사이에 형성되는 복수개의 트렌치들을 갖는 제1 절연막을 형성하고,상기 제1 절연막 상에 하부 전극 콘택용 제2 도전막과 제1 스페이서 막을 증착한 후에,상기 하부 전극 콘택용 제2 도전막과 상기 제1 스페이서 막을 식각하여상기하부 전극콘택용제2도전막을분리형성하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 상변화 물질 패턴 및 상기 상부 전극은상기 하부 전극 콘택들 상에 상변화층 콘택홀을 형성하고 상변화 물질막 및 상부 전극막을 순차적으로 증착한 후에 상기 상부 전극막 및 상기 상변화 물질막을 동시에 식각하여형성하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 제1 도전막 및 상기 폴리실리콘막은상기 반도체 기판 및 상기 제1 도전막 사이에 제1 층간 절연막을 증착하고 상기 제1 도전막을 부분 식각한 후에 제2 층간 절연막으로 갭필하고 상기 제1 도전막의 상부 면이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막에 연마 공정을 수행 한 후에 상기 제1 도전막 및 상기 제2 층간 절연막 상에 상기 폴리실리콘 막을 증착하여형성하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 18] 제 13 항에 있어서,상기 상변화층 콘택홀은상기 복수개의 하부 전극 콘택용 라인 패턴 및 상기 다이오드용 라인 패턴의 적층들 사이를 갭필 절연막으로 갭필하고 상기 하부 전극 콘택들의 상부 면이 노출될 때까지 상기 갭필 절연막에 연마 공정을 수행한 후에 상기 제1 절연막을 증착하고 부분 식각하여형성하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,상기 복수개의 하부 전극 콘택들 및 다이오드들은상기 제2 층간 절연막 및 상기 폴리실리콘 막들 상에 제3 층간 절연 막을 증착한 후에 상기 제3 층간 절연막 및 상기 폴리실리콘 막들 상에 금속 실리사이드막을 형성하고 열처리하여 상기 폴리실리콘 막들 상부의 소정 깊이만큼 금속을 확산시켜 형성할 수있는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 금속 실리사이드막은 코발트 실리사이드막, 니켈 실리사이드막또는타이타늄실리사이드막포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 21] 제 16 항에 있어서,상기 상변화 물질막 증착 전에상기 상변화층 콘택홀을 제2 스페이서 막으로 갭필하고 상기 제1 절연막의 상부면 및 상기 하부 전극 콘택들의 상부면이 부분적으로 노출되도록 식각하여 제2 스페이서를 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 22] 제 13 항에 있어서,상기 폴리실리콘막은 pn-다이오드 또는 쇼트키다이오드인것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 23] 제 13 항에 있어서,상기 하부 전극 콘택들은 불순물로 도핑된 폴리실리콘, 금속 및 도전성 금속 질화물 중 어느 하나를 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 및 원자층 적층 공정 중 어느 하나를 이용하여형성되는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치. [청구항 24] 제 13 항에 있어서,상기 상부 전극막은 불순물로 도핑된 폴리실리콘, 금속 및 도전성 금속 질화물 중 어느 하나를 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 및 원자층 적층 공정 중 어느 한 공정을 이용하여형성하는것을특징으로 하는상변화 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
상변화 메모리 장치 제조 시, 상기 제1 도전막 및 상기 폴리실리콘막을 형성하기 위해 수행되는 연마 공정의 구체적인 단계와 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제1 도전막 및 폴리실리콘막 형성 과정 중 연마 공정의 구체적인 단계와 목적을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 17에서 제1 도전막과 폴리실리콘막 형성 시 연마 공정이 언급된 부분을 추출한다.

    • 상기 제1 도전막의 상부 면이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막에 연마 공정을 수행 한 후에 상기 제1 도전막 및 상기 제2 층간 절연막 상에 상기 폴리실리콘 막을 증착하여형성하는것을특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    연마 공정의 단계(제2 층간 절연막에 수행)와 목적(제1 도전막의 상부 면 노출)을 포함하는 구절을 선택한다.

    • 제2 층간 절연막으로 갭필하고 상기 제1 도전막의 상부 면이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막에 연마 공정을 수행
  4. 4논리 통합logical_integration

    제1 도전막을 부분 식각한 후 제2 층간 절연막으로 갭필하고, 이 제2 층간 절연막을 연마하여 제1 도전막의 상부 면을 노출시킨 뒤 폴리실리콘막을 증착하는 순서로 통합한다.

    • 상기 제1 도전막을 부분 식각한 후에 제2 층간 절연막으로 갭필하고 상기 제1 도전막의 상부 면이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막에 연마 공정을 수행 한 후에 상기 제1 도전막 및 상기 제2 층간 절연막 상에 상기 폴리실리콘 막을 증착
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    연마 공정은 제2 층간 절연막에 수행되며, 그 목적은 제1 도전막의 상부 면을 노출시켜 이후 폴리실리콘막을 증착할 수 있도록 하는 것이다.

    • 상기 제1 도전막의 상부 면이 노출될 때까지 상기 제2 층간 절연막에 연마 공정을 수행
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제1 도전막 및 폴리실리콘막을 형성하기 위한 연마 공정은, 제1 도전막을 부분 식각한 후 제2 층간 절연막으로 갭필한 상태에서, 해당 제2 층간 절연막에 대하여 수행된다. 이 공정의 목적은 제1 도전막의 상부 면이 노출되도록 하여, 이후 제1 도전막 및 제2 층간 절연막 상에 폴리실리콘막을 증착할 수 있도록 하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제1 도전막의 상부 면을 노출시키기 위해 제2 층간 절연막을 연마함으로써, 이후 폴리실리콘막 증착을 위한 구조를 형성하는 제조 공정을 기술하고 있다.