문맥 (context)
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 제 3 저장 캐패시터는 폴리 실리콘을 포함하는 전극을 포함하고, 상기 제 3 저장 캐패시터의 전극의 두께는 50å 내지 1000å사이형성되는것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 12]
제 10 항에 있어서,상기 제 2 저장 캐패시터의 상부 전극과 상기 제 3 저장 캐패시터의 하부 전극은 상기 반도체 기판으로 부터 동일한높이형성되는것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 13]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 저장 캐패시터,상기제2저장캐패시터및상기제3저장캐패시터를서로병렬연결된것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 저장 캐패시터, 상기 제 2 저장 캐패시터 및 상기 제 3 저장 캐패시터는주변 영역포함된것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 15]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 저장 캐패시터, 상기 제 2 저장 캐패시터 및 상기 제 3 저장 캐패시터는 ono(oxide/nitride/oxide)의 구조 또는 zaz(zro2/al2o3/zro2)의 구조의 유전막포함하는반도체 기억 장치.
[청구항 16]
제 10 항에 있어서,상기 제 2 저장 캐패시터는 티타늄(ti), 탄탈륨(ta), 텅스텐(w) 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나를 포함하는전극포함하는것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 17]
제 10 항에 있어서,고전압이 인가되는 영역에서는 상기 제 1 캐패시터,상기제2캐패시터및상기제3캐패시터를직렬연결하는것을특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 18]
제 10 항에 있어서,상기 제 3 저장 캐패시터는 평면 형태이며, 하부 전극이 상부 전극보다 평면적이 넓은 것특징으로 하는반도체 기억 장치.
[청구항 19]
제 10 항에 있어서,상기 제 3 저장 캐패시터는 바이어스 라인보다 데이터 라인과의 이격 거리가 더 큰 것특징으로 하는반도체 기억 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제 10 항의 반도체 기억 장치에서, 제 1, 제 2 및 제 3 저장 캐패시터가 고전압이 인가되는 영역에 위치할 경우 이들은 어떻게 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 10 항의 반도체 기억 장치에서 제 1, 2, 3 저장 캐패시터가 고전압 인가 영역에 위치할 때의 연결 방식을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 17에서 고전압이 인가되는 영역에서의 캐패시터 연결 방식에 관한 내용을 추출한다.
- 고전압이 인가되는 영역에서는 상기 제 1 캐패시터,상기제2캐패시터및상기제3캐패시터를직렬연결하는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '고전압이 인가되는 영역'과 '연결 방식'을 직접적으로 명시한 청구항 17을 근거로 선택한다.
- 고전압이 인가되는 영역에서는 상기 제 1 캐패시터,상기제2캐패시터및상기제3캐패시터를직렬연결하는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 17에 따르면 고전압 영역에 위치한 제 1, 제 2 및 제 3 캐패시터는 직렬로 연결된다.
- 상기 제 1 캐패시터,상기제2캐패시터및상기제3캐패시터를직렬연결하는것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 이들은 직렬연결된다는 결론을 도출한다.
- 직렬연결하는것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제 1 캐패시터,상기제2캐패시터및상기제3캐패시터를직렬연결하는것
최종 답변 (final_answer)
상기 제 1 캐패시터, 상기 제 2 캐패시터 및 상기 제 3 캐패시터를 직렬연결한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 기억 장치 내에서 고전압이 인가되는 특정 영역에 위치하는 저장 캐패시터들은 직렬로 연결되어 구성된다.