문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 채널층의 내측은 상기 제2도전형 반도체층의 하면 둘레형성되는반도체 발광소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 광 추출 구조는 상기 제2도전형 반도체층과 동일한 반도체 재료형성되는반도체 발광소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 반사층은 상기 제2도전형 반도체층의 아래에 오믹 재료, 반사 재료, 또는 오믹 재료와 반사 재료포함하는반도체 발광소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 반사층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 전도성 산화물로 형성되며 상기 제2도전형 반도체층의 아래에 오믹 접촉된 오믹층포함하는반도체 발광소자.
[청구항 6]
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 제2도전형 반도체층의 아래에 상기 전극과 수직 방향으로 적어도 일부분이 오버랩되게 형성되며, 상기 반사층보다 전기 전도율이 낮은 전류 블록킹층포함하는반도체 발광소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 반사층 아래에 접합층 및 전도성 지지부재 중 적어도 하나포함하는반도체 발광소자.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 오믹층은 상기 채널층의 하면 일부 또는 하면 전체접촉되는반도체 발광소자.
[청구항 9]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 채널층 아래에 캡핑층을 포함하며, 상기 캡핑층은 상기 채널층과 상기 반사층 사이형성되는반도체 발광소자.
[청구항 10]
제5항에 있어서,상기 오믹층은 상기 채널층 아래에 접촉되며, 상기 오믹층과 상기 채널층 중 적어도 한 층에 접촉된 캡핑층포함하는반도체 발광소자.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 캡핑층은 ti, ni, pt, pd, cu, al, ir, rh 물질 중 하나 이상포함하는반도체 발광소자.
[청구항 12]
제5항에 있어서,상기 채널층 또는 상기 오믹층은 투광성 질화물, 투광성 산화물 및 투광성 절연물질 중 적어도 하나포함하는반도체 발광소자.
[청구항 13]
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 채널층은 ito(indium tin oxide), izo(indium zinc oxide), izto(indium zinc tin oxide), iazo(indium aluminum zinc oxide), igzo(indium gallium zinc oxide), igto(indium gallium tin oxide), azo(aluminum zinc oxide), ato(antimony tin oxide), gzo(gallium zinc oxide), sio2, siox, sioxny, si3n4, al2o3, tio2 중 적어도 하나포함하는반도체 발광소자.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 발광 구조물의 둘레에 절연층포함하는반도체 발광소자.
[청구항 15]
제1항에 있어서,상기 광 추출 구조는 뿔 형상, 뿔대 형상, 스트라이프 형상, 및 렌즈 형상 중 적어도 한 형상포함하는반도체 발광소자.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 채널층의 하면 및 상기 반사층의 상면 중 적어도 한 표면에 형성된 광 추출 구조포함하는반도체 발광소자.
[청구항 17]
제5항에 있어서,상기 오믹층의 외측은 상기 채널층과 상기 반사층 사이에 광 추출 구조형성되는반도체 발광소자.
[청구항 18]
제14항에 있어서,상기 절연층의 일부는 상기 광 추출 구조 위형성되는반도체 발광소자.
[청구항 19]
제1항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층의 위에 광 추출 구조포함하는반도체 발광소자.
[청구항 20]
제1항에 있어서,상기 광 추출 구조의 높이는 상기 제1도전형 반도체층의 두께 이하형성되는반도체 발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제5항의 오믹층을 포함하는 반도체 발광소자에서, 오믹층과 채널층 중 적어도 한 층에 접촉되어 형성되는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제5항의 오믹층을 포함하는 발광소자에서, 오믹층과 채널층 중 적어도 한 층에 접촉되어 형성되는 층이 무엇인지 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 오믹층과 채널층의 접촉 관계 및 추가로 접촉된 층에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 오믹층은 상기 채널층 아래에 접촉되며, 상기 오믹층과 상기 채널층 중 적어도 한 층에 접촉된 캡핑층포함하는반도체 발광소자
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '오믹층과 채널층 중 적어도 한 층에 접촉된 층'에 해당하는 구절을 선택한다.
- 상기 오믹층과 상기 채널층 중 적어도 한 층에 접촉된 캡핑층
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4논리 통합
logical_integration청구항 10에 따르면, 캡핑층은 오믹층과 채널층 중 적어도 한 층에 접촉되어 형성되어 있음을 알 수 있다.
- 상기 오믹층과 상기 채널층 중 적어도 한 층에 접촉된 캡핑층
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 질문에 대한 답은 캡핑층이다.
- 캡핑층
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6답변 생성
answer_generation추출된 답변인 '캡핑층'을 최종 답변으로 생성한다.
- 캡핑층
최종 답변 (final_answer)
캡핑층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 오믹층과 채널층의 접촉 구조를 포함하며, 이들 중 적어도 한 층에 접촉되어 형성되는 캡핑층을 통해 소자의 구조적 특성을 정의한다.