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반도체 패키지의 제조방법 document_id 1020100014565

출원번호
1020100014565
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 갖는 코어층 상기 코어층의 제1면에 형성되며 본드핑거를 갖는 제1회로배선 상기 코어층의 제2면에 형성되며 볼랜드를 갖는 제2회로배선 상기 코어층내에 제1회로배선과 제2회로배선을 연결하도록 형성된 비아배선 상기 제1회로배선 및 제2회로배선을 포함한 코어층의 제1면 및 제2면 상에 각각 상기 제1회로배선의 상기 본드핑거 및 상기 제2회로배선의 상기 볼랜드를 노출시키도록 형성된 솔더마스크 상기 노출된 볼랜드 상에 형성된 금속 패턴; 및 상기 금속 패턴 측면의 상기 솔더마스크 상에 형성된 금속 활성화 물질 을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 임베디드 기판 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 금속 활성화 물질은 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상인물성갖는것을특징으로 하는금속 임베디드 기판. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 금속 활성화 물질은 로진(rosin)및할로겐액티베이터함유한것을특징으로 하는금속 임베디드 기판.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
금속 임베디드 기판의 금속 활성화 물질이 온도 변화에 따라 나타내는 물리적 상태의 변화는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    금속 임베디드 기판의 금속 활성화 물질이 온도 변화에 따라 나타내는 물리적 상태 변화를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 금속 활성화 물질의 온도에 따른 상태 변화에 관한 정보를 추출한다.

    • 상기 금속 활성화 물질은 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상인물성갖는것을특징으로 하는금속 임베디드 기판
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적으로 대응하는 금속 활성화 물질의 온도별 상태(고상, 액상) 구절을 선택한다.

    • 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 바탕으로 200℃를 기준으로 상태가 고상에서 액상으로 변함을 논리적으로 연결한다.

    • 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    온도 변화에 따른 물리적 상태 변화를 정리하여 결론을 도출한다.

    • 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변을 완성된 문장 형태로 생성한다.

    • 200℃ 미만에서는 고상이고, 200℃ 이상에서는 액상
최종 답변 (final_answer)
금속 활성화 물질은 200℃ 미만에서는 고상 상태를 유지하다가, 200℃ 이상이 되면 액상 상태로 변화한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
금속 임베디드 기판의 금속 활성화 물질이 특정 온도(200℃)를 기준으로 고상에서 액상으로 상변화하는 특성을 정의하고 있다.