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적층형 밴드패스필터, 다이플렉서 및 멀티플렉서 document_id 1020100026257

출원번호
1020100026257
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기crlh 셀들의 개수는 제1crlh 셀 및 제2crlh 셀 2개로 구성되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기crlh 셀은,접지 패턴을 구비하여 접지를 형성하는 제1계층과,일측부가 상기 입력 포트 또는 출력 포트 중 타 crlh셀과 연결되지 않은 포트에 연결되고 직렬 rh 인덕턴스(lr)를 가지는 제1인덕턴스 패턴을 구비하고 상기 제1계층의 하부에 배치되는 제2계층과,제1커패시턴스 패턴을 구비하고, 상기 제2계층의 하부에 배치되어 상기 제1인덕턴스 패턴 과 상기 제1커패시턴스 패턴에 의해 직렬 lh 커패시턴스(cl)를 형성하는 제3계층과,일측 끝부가 상기 제1계층의 접지 패턴에 연결되며 병렬 lh 인덕턴스를 가지는 제2인덕턴스 패턴을 구비하고 상기 제3계층의 하부에 배치되는 제4계층과,상기 제2커패시턴스 패턴을 구비하고, 상기 제4계층의 하부에 배치되어 상기 제3계층의 제1커패시턴스 패턴과 연결되어 병렬 rh 커패시턴스를 형성하는 제5계층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제5계층 하부에 타 crlh 셀의 제5계층이 배치되도록 타 crlh 셀이 결합되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 제2인덕턴스 패턴은 사행형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 제1계층 내지 제4계층들각각은 상기 제4계층의 일측 끝부와 상기 일측 끝부에 대응하는 위치에 제1비아홀을 구비하고, 상기 제1비아홀을 관통하는 비아에 의해 상기 제4계층의 일측 끝부와 제1계층의 접지패턴이 연결되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 제3계층 내지 제5계층은 제2비아홀을 구비하고 상기 제2비아홀을 관통하는 비아에 의해 제3계층의 인덕턴스 패턴과 제5계층의 인덕턴스 패턴이 연결되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 로우패스필터부는,상기 crlh 셀의 상부에 적층되어 상기 로우패스필터를 구성하는 커패시턴스들을 형성하기 위해 각각의 커패시턴스 패턴들을 구비하는 복수의 계층들을 포 함하는 제1적층체와,상기 제1적층체 상부에 적층되어 상기 로우패스필터를 구성하는 인덕턴스들을 형성하기 위해 각각의 인덕턴스 패턴들을 구비하는 복수의 계층들을 포함하는 제2적층체와,상기 제2적층체 상부에 적층되고 접지 패턴을 구비하는 접지계층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1적층체는,상기 한쌍의 병렬 커패시턴스를 가지는 제3커패시턴스 패턴 및 제4커패시턴스 패턴을 구비하고, 상기 crlh 셀의 상부에 적층되는 제1계층과,출력단에 대응하는 커패시턴스를 가지는 제2커패시턴스 패턴 및 입력단의 커패시턴스를 형성하기 위한 제1커패시턴스 패턴을 가지고, 상기 제1계층 상부에 적층되는 제2계층과,상기 제2계층의 상부에 적층되어 상기 제1커패시턴스 패턴과 입력단의 커패시턴스를 형성하기 위한 제1-1 커패시턴스 패턴을 구비하는 제3계층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 제2적층체는,상기 제1적층체의 상부에 적층되고, 상기 한 쌍의 직렬 인덕턴스를 모두 형성하기 위한 제1인덕턴스 패턴을 가지는 제1계층과,상기 제1계층의 상부에 적층되고, 상기 한 쌍의 직렬 인덕턴스 각각을 형성하기 위한 제1인덕턴스 패턴과 제2인덕턴스 패턴을 상기 제1계층의 제1인덕턴스 패턴에 대응하는 위치에 가지는 제2계층과,상기 제2계층의 상부에 적층되고, 상기 한 쌍의 직렬 인덕턴스 각각을 형성하기 위한 제1인덕턴스 패턴과 제2인덕턴스 패턴을 가지는 제3계층과,상기 제3계층의 상부에 적층되고 상기 한 쌍의 직렬 인덕턴스 각각을 형성하기 위한 제1인덕턴스 패턴과 제2인덕턴스 패턴을 가지는 제4계층과,상기 제4계층의 상부에 적층되고 상기 한 쌍의 직렬 인덕턴스 각각을 형성하기 위한 제1인덕턴스 패턴과 제2인덕턴스 패턴을 가지는 제5계층을 포함하되,상기 제1계층의 제1인덕턴스 패턴 및 제2계층 내지 제5계층의 제1인덕턴스 패턴 그리고 제1계층의 제1인덕턴스 패턴 및 제2계층 내지 제5계층의 제2인덕턴스 패턴들이 적층되면서 나선형을 이루도록 형성되고, 각 층간 패턴들은 비아를 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 저온 동시 소성 세라믹활용한적층형 밴드패스필터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
저온 동시 소성 세라믹을 활용한 적층형 밴드패스필터에서, crlh 셀의 제3계층과 제5계층이 각각 어떤 패턴을 구비하여 어떤 커패시턴스를 형성하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    crlh 셀의 제3계층과 제5계층이 각각 구비하는 패턴의 종류와 그로 인해 형성되는 커패시턴스의 종류를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 제3계층은 제1커패시턴스 패턴을 구비하며, 제5계층은 제2커패시턴스 패턴을 구비함을 확인한다.

    • 상기 제2커패시턴스 패턴을 구비하고, 상기 제4계층의 하부에 배치되어 상기 제3계층의 제1커패시턴스 패턴과 연결되어 병렬 rh 커패시턴스를 형성하는 제5계층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제3계층의 패턴(제1커패시턴스 패턴)과 형성되는 커패시턴스(직렬 lh 커패시턴스), 제5계층의 패턴(제2커패시턴스 패턴)과 형성되는 커패시턴스(병렬 rh 커패시턴스)에 관한 구절을 선택한다.

    • 상기 제2커패시턴스 패턴을 구비하고, 상기 제4계층의 하부에 배치되어 상기 제3계층의 제1커패시턴스 패턴과 연결되어 병렬 rh 커패시턴스를 형성하는 제5계층
  4. 4논리 통합logical_integration

    제3계층은 제1커패시턴스 패턴을 통해 직렬 lh 커패시턴스를 형성하고, 제5계층은 제2커패시턴스 패턴을 통해 병렬 rh 커패시턴스를 형성한다는 논리를 결합한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 따라 제3계층과 제5계층의 패턴 및 형성되는 커패시턴스를 정리하여 답변을 구성한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
crlh 셀의 제3계층은 제1커패시턴스 패턴을 구비하여 직렬 lh 커패시턴스(cl)를 형성하며, 제5계층은 제2커패시턴스 패턴을 구비하여 병렬 rh 커패시턴스를 형성한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
crlh 셀의 각 계층에 배치된 커패시턴스 패턴을 통해 직렬 lh 커패시턴스와 병렬 rh 커패시턴스를 각각 형성함으로써 필터의 특성을 구현하는 기술이다.