문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 오믹 콘택층은 이온 불순물이 포함된 비정질 실리콘층 또는 다결정 실리콘층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 이온 불순물은 n+ 또는 p+ 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 오믹 콘택층은 pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 상기 비정질 실리콘 또는 상기 다결정 실리콘을 성막하는 공정 중에 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 소스/드레인 영역의 표면은 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 소스/드레인 영역의 표면은 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써 전도성을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 소스/드레인 영역 중 상기 오믹 콘택층과 접하는 제1 영역 및 제2 영역은 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 오믹 콘택층을 형성한 후, 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써 상기 제1 영역 및 제2 영역이 전도성을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 9]
제2항에 있어서,상기 소스/드레인 영역 중 상기 오믹 콘택층과 접하는 제1 영역 및 제2 영역은 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 오믹 콘택층을 형성한 후, 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써 상기 제1 영역 및 제2 영역이 전도성을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 활성층 사이에는 상기 기판을 덮도록 배치되는 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터갖는기판.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 오믹 콘택층은 이온 불순물이 포함된비정질 실리콘층다결정 실리콘층으로이루어지는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 21]
제20항에 있어서,상기 이온 불순물nan은인것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 22]
제20항에 있어서,상기 오믹 콘택층은 pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 상기 비정질 실리콘 또는 상기 다결정 실리콘을 성막하는 공정 중에 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여형성되는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 23]
제20항에 있어서,상기 소스/드레인 영역의 표면은전도성갖는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 소스/드레인 영역의 표면은 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써전도성되는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 25]
제23항에 있어서,상기 소스/드레인 영역 중 상기 오믹 콘택층과 접하는 제1 영역 및 제2 영역은전도성갖는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 26]
제25항에 있어서,상기 오믹 콘택층을 형성한 후, 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써 상기 제1 영역 및 제2 영역이전도성되는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 27]
제20항에 있어서,상기 소스/드레인 영역 중 상기 오믹 콘택층과 접하는 제1 영역 및 제2 영역은전도성갖는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 28]
제27항에 있어서,상기 오믹 콘택층을 형성한 후, 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 이용한 플라즈마 처리를 함으로써 상기 제1 영역 및 제2 영역이전도성되는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
[청구항 29]
제19항에 있어서,상기 기판과 상기 활성층 사이에는 상기 기판을 덮도록 배치되는버퍼층더구비하는것을특징으로 하는유기 발광 표시 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
박막 트랜지스터가 갖는 기판에서, 오믹 콘택층을 형성할 때 PECVD 공정 중에 인입하여 성막을 수행하는 기체는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretationPECVD 공정을 통해 오믹 콘택층을 형성할 때 인입되는 기체의 종류를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 4 및 청구항 22에서 오믹 콘택층 형성 시 PECVD 공정 중 인입되는 기체에 대한 정보를 추출한다.
- pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 상기 비정질 실리콘 또는 상기 다결정 실리콘을 성막하는 공정 중에 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여 형성되는 것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 'PECVD 공정 중 인입하여 성막을 수행하는 기체'와 직접적으로 일치하는 구절을 선택한다.
- 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여 형성
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 오믹 콘택층 성막 시 사용되는 기체는 인(phosphorous)계 기체 또는 보론(boron)계 기체임을 확인한다.
- 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여 형성
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 인(phosphorous)계 기체와 보론(boron)계 기체를 도출한다.
- 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체
-
6답변 생성
answer_generationanswer_type인 list 형식에 맞춰 최종 답변을 작성한다.
- 인(phosphorous)계 기체, 보론(boron)계 기체
최종 답변 (final_answer)
인(phosphorous)계 기체, 보론(boron)계 기체
핵심 해석 (core_interpretation)
오믹 콘택층을 형성하기 위해 PECVD 공정 과정에서 인(phosphorous)계 또는 보론(boron)계 기체를 인입하여 실리콘층을 성막하는 기술에 관한 것이다.