문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층에서 부터상기제1 도전형반도체층의일부제거된캐버티인발광소자.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 일부가제거된캐버티인발광소자.
[청구항 4]
제2 항에 있어서,버티 상에 쇼트키 컨택층은,플라즈마 대미지가 가해진 상기 캐버티 상에 형성된 쇼트키 컨택층인발광소자.
[청구항 5]
제3 항에 있어서,상기 쇼트키 컨택층은,상기 캐버티 상에 상기 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 더 작은 일함수 값을 가지는 금속층포함하는발광소자.
[청구항 7]
제1 항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층에서 상기 제2 도전형 반도체층의 방향으로 폭지는발광소자.
[청구항 8]
제1 항에 있어서,상기 제2전극은 도전층을 포함하고,상기 도전층은 상기 반사층 상배치되는발광소자.
[청구항 9]
제1 항에 있어서,버티 일부에 상기 반사층형성하는발광소자.
[청구항 12]
제1 항에 있어서,상기 반사층은,al, ag 또는 al이나 ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층형성되는발광소자.
[청구항 13]
제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 티탄(ti), 크롬(cr), 니켈(ni), 알루미늄(al), 백금(pt), 금(au), 텅스텐(w), 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나형성되는발광소자.
[청구항 14]
제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 오믹층포함하는발광소자.
[청구항 15]
제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 단일 금속 혹은 금속합금,금속산화물을다중적층하여형성되는발광 소자.
[청구항 16]
제1 항에 있어서,상기 반사층은 상기 캐버티(cavity)를 메우지 않고 상기 캐버티(cavity)의 표면형성되는발광소자.
[청구항 17]
제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 결합층포함하는발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
캐버티 상에 형성된 쇼트키 컨택층이 갖는 금속층의 일함수 특성은 제2 도전형 반도체층과 비교하여 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation캐버티 상의 쇼트키 컨택층 금속층의 일함수 특성을 제2 도전형 반도체층과 비교하여 추출하는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 쇼트키 컨택층이 금속층을 포함하며, 해당 금속층의 일함수 특성에 대한 기술을 확인한다.
- 상기 쇼트키 컨택층은,상기 캐버티 상에 상기 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 더 작은 일함수 값을 가지는 금속층포함하는발광소자
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3근거 선택
evidence_selection금속층의 일함수가 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 작다는 직접적인 구절을 선택한다.
- 상기 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 더 작은 일함수 값을 가지는 금속층
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4논리 통합
logical_integration쇼트키 컨택층의 금속층 일함수와 제2 도전형 반도체층의 일함수를 비교하면, 금속층의 값이 더 작음을 알 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation쇼트키 컨택층의 금속층은 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 더 작은 일함수 값을 가진다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 쇼트키 컨택층은 상기 캐버티 상에 상기 제2 도전형 반도체층의 일함수 값보다 더 작은 일함수 값을 가지는 금속층을 포함한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
발광소자의 캐버티 상에 형성된 쇼트키 컨택층의 금속층은 제2 도전형 반도체층보다 낮은 일함수를 갖도록 설계되었다.