문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 본드 패드와 상기 재배선층의 사이 및 상기 제 1 절연층과 상기 재배선층의 사이 일정 영역에 형성되는재배선시드층더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 재배선 시드층은 티타늄 및 구리가 순차 증착되거나 또는 티타늄 텅스텐 합금 및 구리가 순차 증착되어형성된것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 절연층의 상기 고정부는원통형상인것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 재배선층과 상기 솔더볼의 사이에 상기 제 2 절연층의 제 2 개구부의 상부에 형성되는더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 재배선층과 상기ubm층 사이에 형성되는 ubm시드층더포함하는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 재배선층은상기 본드패드와 인접하여 형성되고, 상기 본드패드의 형상에 대응되는 형상의 일측부;상기 일측부의 타측에 형성되고, 상기 솔더볼의 형상에 대응되는 형상의 타측부; 및상기 일측부와 타측부를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하고,상기 제 1 개구부는 상기 타측부형성되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 제 1 개구부는 상기 타측부의내측형성되는것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 재배선층은 도금된구리인것을특징으로 하는반도체 패키지.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 절연층 및 제 2 절연층은 pi(polyimide), bcb(benzo cyclo butene), pbo(poly benz oxazole), bt(bismaleimidetriazine), 페놀릭 수지(phenolic resin), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 실리콘산화막(sio2) 및 질화막(si3n4) 중 선택된 어느하나형성된것을특징으로 하는반도체 패키지.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 패키지에서 재배선 시드층을 형성하기 위해 순차적으로 증착될 수 있는 물질의 조합은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 패키지의 재배선 시드층을 형성하기 위해 순차적으로 증착되는 물질의 조합을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 재배선 시드층의 구성 물질과 증착 방식에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 재배선 시드층은 티타늄 및 구리가 순차 증착되거나 또는 티타늄 텅스텐 합금 및 구리가 순차 증착되어형성된것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 '티타늄 및 구리'와 '티타늄 텅스텐 합금 및 구리' 구절을 선택한다.
- 티타늄 및 구리가 순차 증착되거나 또는 티타늄 텅스텐 합금 및 구리가 순차 증착
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4논리 통합
logical_integration추출된 두 가지 조합(티타늄/구리, 티타늄 텅스텐 합금/구리)이 순차 증착을 통해 시드층을 형성함을 확인한다.
- 티타늄 및 구리가 순차 증착되거나 또는 티타늄 텅스텐 합금 및 구리가 순차 증착
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 물질의 조합을 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변으로 두 가지 물질 조합을 명시한다.
최종 답변 (final_answer)
티타늄 및 구리, 티타늄 텅스텐 합금 및 구리
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 패키지 내 재배선 시드층을 형성하기 위해 티타늄/구리 또는 티타늄 텅스텐 합금/구리 조합을 순차적으로 증착하는 기술적 구성을 포함한다.