문맥 (context)
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 기판은, 유리(glass)또는폴리머계열의물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 기판은,실리콘 기판포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
청구항 3에 있어서,상기 기판의 상부에 구비된분리절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
청구항 4에 있어서,상기 분리절연막은산화막계열, 질화막 계열, 탄화막 계열 또는 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는폴리머계열의물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 층간절연막은,산화막계열, 질화막 계열, 탄화막 계열 또는 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는폴리머계열의물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
청구항 1에 있어서,상기 도전패턴은,비트라인포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
청구항 1에 있어서,상기 도전패턴은,텅스텐또는구리포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
청구항 1에 있어서,상기 반도체층nan은포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 10]
청구항 1에 있어서,상기 반도체층은, 5.5å 내지 60å의두께갖는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 11]
청구항 1에 있어서,상기 반도체층은,실리콘 원자층이모노레이어형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 12]
청구항 1에 있어서,상기 반도체층은, 실리콘 원자층이멀티레이어형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
청구항 1에 있어서,상기 전극패턴은, 금속계열, 반도체 계열,실리사이드계열또는실리케이트계열포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 14]
청구항 1에 있어서,상기 전극패턴은,그래핀포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 15]
청구항 1에 있어서,핑절연막 양측으로 상기 반도체층과 접속되는랜딩플러그더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
청구항 16에 있어서,상기 서브 반도체층nan은포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 18]
청구항 16에 있어서,핑절연막 양측으로 상기 서브 반도체층과 접속되는랜딩플러그더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
실리콘 기판을 포함하며, 상기 기판의 상부에 분리절연막이 구비된 반도체 소자에서, 해당 분리절연막이 포함할 수 있는 물질의 종류를 모두 나열하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation실리콘 기판 상부에 구비된 분리절연막을 구성하는 물질의 종류를 모두 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 실리콘 기판을 확인하고, 청구항 4에서 해당 기판 상부에 분리절연막이 구비됨을 확인한다.
- 상기 기판은,실리콘 기판포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. 상기 기판의 상부에 구비된분리절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
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3근거 선택
evidence_selection분리절연막의 구체적인 물질 구성이 명시된 청구항 5를 선택한다.
- 상기 분리절연막은산화막계열, 질화막 계열, 탄화막 계열 또는 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는폴리머계열의물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
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4논리 통합
logical_integration청구항 5에 나열된 산화막 계열, 질화막 계열, 탄화막 계열, 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는 폴리머 계열의 물질을 통합한다.
- 산화막계열, 질화막 계열, 탄화막 계열 또는 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는폴리머계열의물질
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 물질의 종류를 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 물질들을 나열하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
산화막 계열, 질화막 계열, 탄화막 계열, 저유전물질(low-k)로 탄소가 포함되는 폴리머 계열의 물질
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 실리콘 기판 상부에 구비되는 분리절연막의 재료로서 산화막, 질화막, 탄화막 및 특정 폴리머 계열의 저유전물질을 포함하는 반도체 소자에 관한 기술적 구성을 정의하고 있다.