스핀-토크 자기저항 구조들 document_id 1020100036747

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성층에 인접한 제2 비자기 스페이서층; 및상기 제2 비자기 스페이서층에 인접한 제2 반강자성층더 포함하는,자기저항 구조. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 제1 강자성층에 인접하고 상기 제1 강자성층에 교환 결합된(exchange coupled) 제3 반강자성층 - 상기 제3 반강자성층은 제2 고정 반강자성층을 포함함 -; 및상기 제2 반강자성층에 인접한 제3 반강자성층 - 상기 제3 강자성층은 제2 고정 강자성층을 포함함 - 을더 포함하는,자기저항 구조. [청구항 4] 청구항 2에 있어서,상기 제2 반강자성층은 제1 고정 반강자성층포함하는,자기저항 구조. [청구항 5] 청구항 1에 있어서,상기 제1 강자성층은 제1 고정 강자성층포함하는,자기저항 구조. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 제1 비자기 스페이서층은 터널링 장벽층, 마그네슘 산화물, 및 비자기 금속층 중 적어도 하나포함하는,자기저항 구조. [청구항 7] 청구항 2에 있어서,상기 제2 비자기 스페이서층은 비자기 금속층 및 거대 자기저항층 중 적어도 하나포함하는,자기저항 구조. [청구항 8] 청구항 2에 있어서,상기 자기저항 구조는, i) 상기 제1 반강자성층이 크롬을 포함하는 것, ii) 상기 제2 반강자성층이 크롬을 포함하는 것, 및 iii) 상기 제2 비자기 스페이서층이 금, 구리 및 루테늄(ruthenium) 중 적어도 하나를 포함하는 것, 중적어도 하나인,자기저항 구조. [청구항 9] 청구항 1에 있어서,상기 제2 강자성층은 상기 제1 반강자성층에 교환결합된,자기저항 구조. [청구항 10] 청구항 2에 있어서,상기 제1 반강자성층, 상기 제2 비자기 스페이서층, 및 상기 제2 반강자성층 중 적어도 하나는 상기 제2 강자성층의 자기 분극(magnetic polarization)을 전환시킬 수 있는 스핀-토크제공하도록준비된,자기저항 구조. [청구항 11] 청구항 3에 있어서,상기 제2 반강자성층은, i) 상기 제3 강자성층, 및 ii) 상기 제2 반강자성층 - 상기 제2 반강자성층은 상기 제1 반강자성층보다 두꺼움 -중적어도하나에의해고정되는,자기저항 구조. [청구항 12] 청구항 3에 있어서,상기 제1 강자성층 및 상기 제3 강자성층 중 적어도 하나는, i) 코발트와 철의 합금, 및 ii) 복수의 서브-층들 - 상기 복수의 서브-층들 중 두 개는 반평행(anti-parallel) 자기 모멘트들을 가짐 - 중 적어도 하나포함하는,자기저항 구조. [청구항 13] 청구항 1에 있어서,상기 제2 강자성층은 철, 코발트, 및 니켈 중 적어도 하나를 포함하는 합금포함하는,자기저항 구조. [청구항 14] 청구항 3에 있어서,상기제1, 제2 및 제3 반강자성층 중 적어도 하나는 합금을 포함하며, 상기 합금은 망간, 이리듐, 니켈, 플래티늄 및 철로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소포함하는,자기저항 구조. [청구항 15] 청구항 1에 있어서,상기 제2 강자성층 및 상기 제1 반강자성층 둘 다의 자기 모멘트들을 쓰기전류전환시키도록준비된,자기저항 구조. [청구항 16] 청구항 1에 있어서,상기 제2 강자성층의 자기 모멘트를 전환하기 위해 필요한 쓰기 전류의 크기는, 비교 자기저항 구조 - 상기 비교 자기저항 구조는, 일측에는 비교 비자기 스페이서층에 의해 인접하고, 다른 일측에는 디바이스 터미널, 또 다른 비교 비자기 스페이서층 및 비교 강자성층 중 적어도 하나에 의해 인접함 - 에서의 비교 자유 강자성층의 비교 자기 모멘트를 전환하기위해필요한비교 쓰기 전류보다 작은,자기저항 구조. [청구항 17] 청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성층은 상기 제2 강자성층에열안정성제공하도록준비된,자기저항 구조. [청구항 19] 청구항 18에 있어서,상기 제1 반강자성층에 인접한 제2 비자기 스페이서층; 및상기 제2 비자기 스페이서층에 인접한 제2 반강자성층을 더 포함하되,상기 제1 반강자성층, 상기 제2 비자기 스페이서층, 및 상기 제2 반강자성층 중 적어도 하나는 상기 제2 강자성층의 자기 분극을 전환시킬 수 있는 스핀-토크제공하도록준비된,자기저항 메모리 디바이스. [청구항 20] 청구항 18에 있어서,메모리 셀 내에 저장된 데이터는 상기 제2 강자성층 및 상기 제1 반강자성층 중 적어도 하나에서의 자기 모멘트의 방향일치하는,자기저항 메모리 디바이스. [청구항 22] 청구항 21에 있어서,상기 제1 반강자성층에 인접한 제2 비자기 스페이서층; 및상기 제2 비자기 스페이서층에 인접한 제2 반강자성층을 더 포함하되,상기 제1 반강자성층, 상기 제2 비자기 스페이서층, 및 상기 제2 반강자성층 중 적어도 하나는 상기 제2 강자성층의 자기 분극을 전환시킬 수 있는 스핀-토크제공하도록준비된,집적회로.