연속 공정 수행이 가능한 플라즈마 반응장치 document_id 1020100053214

[청구항 1] 기판을 투입시키는 기판로딩존과, 상기 기판 상부면에 박막층을 증착시키는 증착부, 및 상기 증착부로부터 이송되는 기판을 외부로 배출하는 기판언로딩존으로 구성하되, 상기 기판로딩존과 증착부 및 기판언로딩존은, 순차적으로 연결 설치됨과 아울러 상기 기판이 장착된 트레이가 연속적으로 이동 가능하도록 이송수단이 연결 설치되며, 상기 증착부는, 상기 트레이가 상기 이송수단에 의해 연속적으로 이송되면서 기판 상부면에 증착 공정이 수행되도록 챔버의 상측부와 하측부에 알에프전극과 히팅부를 각각 구비하여 다수개의 기판 상부면에 박막층이 연속적으로 증착될 수 있게 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행이 가능한 플라즈마 반응장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 이송수단은,상기 트레이의 하측면을 회전 지지하되, 기판의 이송 방향을 따라 일정 간격으로 배열 설치되는 회전지지부;상기 회전지지부에 회전력을 전달하는 기어박스; 및상기 기어박스에 연결되는 구동모터;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 회전지지부는 상기 트레이의 양측 하면을 각각 회전 지지할 수 있게 서로 마주보도록 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 회전지지부는,상기 증착부의 챔버에 일정 간격으로 이격되어 설치되는 회전축과 상기 회전축에 결합되는 회전롤러 및 상기 회전축의 일측 단부에 결합되어 상기 기어박스의 회전력을 전달하는 회전력전달부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 회전지지부는,상기 트레이의 하측면을 회전 지지하도록 횡 방향으로 이격 설치되는 다수개의 회전롤러와 상기 회전롤러를 지지하는 회전축 및 상기 회전축의 일측 단부에 결합되어 상기 기어박스의 회전력을 전달하는 회전력전달부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 6] 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 회전력전달부재는 상기 회전축에 각각 결합되는 스프로켓과 상기 스프로켓에 결합되는 구동체인 및 상기 기어박스의 회전력을 회전축에 전달하는 연결부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 스프로켓 사이에는 상기 구동체인에 텐션을 부가하는 텐션롤러가 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 회전축은,상기 챔버에 결합되는 마그네틱실에 관통 결합되어 회전 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 회전축은,상기 챔버에 결합되는 베어링에 관통 결합되어 회전 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 회전축은 챔버 내측과 외측에서 단부가 서로 마주보도록 대응되게 한 쌍으로 구비하되, 상기 회전축은 마그네트기어에 의해 회전력이 전달되게 하는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 기판로딩존과 증착부 및 기판언로딩존의 연결부에는 자동 개폐 가능한 게이트밸브가 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 기판로딩존과 언로딩존은 내부 압력 조절이 가능한 로드락챔버와 언로드락챔버로 각각 구성하되, 상기 로드락챔버에는 상기 기판을 예열하는 히팅부가 설치되고, 상기 언로드락챔버에는 쿨링부가 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 히팅부는 챔버 내측 하부에 일정 간격으로 이격되어 배열 설치되는 다수개의 히팅램프로 구성하되, 상기 히팅램프는 상기 기판의 이송 방향과 직교되도록 횡 방향으로 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 챔버 하측부에는 일정 간격으로 배치되는 다수개의 관통공과 상기 관통공을 밀폐하는 투명 소재의 투광판이 구비되고,상기 히팅부는 챔버 하측 외부에 설치되는 다수개의 히팅램프로 구성하되, 상기 히팅램프는 상기 투광판 하측부에 각각 배열 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 관통공과 히팅램프는 상기 기판의 이송 방향과 직교되도록 횡 방향으로 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 투광판은 글라스 또는 쿼츠가 사용되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 17] 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 히팅램프의 하부에는 히팅램프의 열이 효율적으로 상향 투사될 수 있도록 반사체가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 반사체의 상부에는 일정 간격으로 다수개의 홈을 형성하여 상기 히팅램프가 상기 홈에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,다수개의 히팅램프는 양측 단부에 연결되는 전극의 극성이 교대로 교차되어 반대 위치에 설치되도록 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 증착부는,상기 이송되는 기판 상부에 플라즈마가 순차적으로 적층 형성될 수 있게 상기 알에프전극이 다수개로 분리 구성되어 챔버 내부에 다수개의 증착존이 구획되게 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 챔버 상부에 설치되는 반응가스공급부는 상기 알에프전극에 대응되어 순차적으로 반응가스 공급이 가능하도록 다수개의 가스공급라인이 설치되는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 22] 제1항에 있어서,상기 증착부는,자동 개폐 가능한 게이트밸브로 연결되는 다수개의 소챔버로 분리 구성되어 연속 이송되는 기판의 상부면에 박막층이 순차적으로 적층 형성될 수 있게 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 소챔버는 상기 이송되는 기판 상부에 상이한 박막층이 순차적으로 적층 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 소챔버는 상기 이송되는 기판 상부에 박막층이 소정의 두께로 순차적으로 적층 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치. [청구항 25] 제1항, 제20항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 증착부는 상기 기판의 상부면에 증착되는 박막의 두께(tr)가 기판의 이송속도(v), 기판의 이격거리(l), 및 증착률(dr)에 대한 하기 수학식에 의해 결정되게 하는 것을 특징으로 하는 연속 공정 수행가능한플라즈마 반응장치.수학식, tr = dr(l/v)