표면 전하 조절된 나노채널에 기초한 나노유체 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 document_id 1020100058330

[청구항 12] 청구항 11에 있어서,상기 전기적 도전성 게이트는 음의 표면 전하를 가지며, 상기 두 개의 전기적 절연층들 중 적어도 하나는 상기 이온 용액과 접촉하는 표면 상에 양의 표면 전하갖는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 13] 청구항 11에 있어서,상기 전기적 도전성 게이트는 양의 표면 전하를 가지며, 상기 두 개의 전기적 절연층들 중 적어도 하나는 상기 이온 용액과 접촉하는 표면 상에 음의 표면 전하갖는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 14] 청구항 11에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터 디바이스는 비-실리콘 기판더 포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 15] 청구항 11에 있어서,상기 이온들은 매크로 이온들인전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 16] 청구항 15에 있어서,상기 매크로 이온들은 대전된 바이오분자들인전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 17] 청구항 15에 있어서,상기 매크로-이온들포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 18] 청구항 15에 있어서,상기 매크로 이온들은 단백질들포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 19] 청구항 11에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터 디바이스는 상기 나노채널에 인접하는 상기 전기적 도전성 게이트의 표면에 도포된 절연 코팅층더 포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 20] 청구항 11에 있어서,상기 나노채널은 상기 이온 용액의 디바이 길이(debye length)의 두 배보다 작은 직경포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 21] 청구항 11에 있어서,상기 드레인 및 소스 전극들은 상기 이온용액에 담기는(dipped)전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 22] 청구항 11에 있어서,상기 드레인 및 소스 전극들은 상기 두 개의 전기적 절연층들과 같은 추가 층들로서 상기 멤브레인적용되는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 23] 청구항 11에 있어서,전계 효과 트랜지스터 디바이스는 외부 전해액 전위(external electrolyte potential)의 영향을 감소시키기 위해 상부 및 하부 가드 전극들(guard electrodes)로서 상기 세 개의 층들의 위 및 아래에 배치되는 전극들의 쌍더 포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 24] 청구항 19에 있어서,상기 이온 용액은 상기 두 개의 전기적 절연층들 중 적어도 하나가 상기 전기적 도전성 게이트의 극성과는 다른 극성을 갖는 것을 가능하게 하는 ph 값을 갖는 용액포함하는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 25] 청구항 24에 있어서,하나는 상기 전기적 절연층을 위해 사용되고, 다른 하나는 상기 나노채널에서의 전기적 도전층 상에 코팅하기 위해 사용되는, 하나의 조합(combination)으로서 sio2 및 si3n4를 사용하기 위해, 상기 ph 값4 사이에 있는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 26] 청구항 11에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터 디바이스는 화학 센서사용되는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 27] 청구항 11에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터 디바이스는 아날로그 디바이스사용되는전계 효과 트랜지스터 디바이스. [청구항 28] 청구항 11에 있어서,상기 디바이스는 디지털 로직 회로사용되는전계 효과 트랜지스터 디바이스.