문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 성분변화구간에서 원소의 조성비는 1 at%내지범위에서변하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 3]
제 1항에 있어서 상기 금속막 또는 상기 하드 마스크막은 복수의 박막이 적층되어 있는 다층 구조를 가지며, 상기 성분변화구간이 다층 구조의 박막의 내부에적어도하나형성되는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 성분변화구간이 상기 다층 구조의 박막의 내부에 형성되는 경우에, 상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같은 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 금속막에 포함된 성분변화구간의 두께는 5 nm보다 크거나 같은 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 6]
제 1항에 있어서. 상기 금속막에 포함된 성분변화구간의 두께는 1nm보다 크거나 같고, 조성비가 상기 금속막의 깊이 방향으로 연속적으로 변하는원소질소인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 7]
제 1항에 있어서. 상기 금속막에 포함된 성분변화구간의 두께는 5 nm보다 크거나 같고, 조성비가 상기 금속막의 깊이 방향으로 연속적으로 변하는 원소에는실리콘포함되는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 8]
제 1항에 있어서. 상기 금속막의 넓이 방향으로 조성비 균일도가 10%보다 작거나 같은 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 금속막의 깊이 방향으로의 밀도 변화는 0.2 g/cm3내지인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 10]
제 1항에 있어서,상기 금속막은 막의 깊이 방향으로 상이한 잔류 응력을 가지며, 상기 잔류 응력의 차이가 10 mpa 이상 차이가 발생하는구간포함하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 11]
제 1항에 있어서,상기 금속막의 표면에 성분변화구간이 포함되며, 상기 성분변화구간의 상면의 표면 거칠기는 1.0 nmra보다 작거나 같은 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 12]
제 1항에 있어서,상기 금속막은 표면으로부터 깊이 방향으로 5 nm보다 작거나 같은 범위에서 질소의 원소비가 산소의 원소비보다 높은성분변화구간포함하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 13]
제 1항에 있어서,상기 금속막은 성분변화구간을 포함하며, 상기 금속막 표면의 질소 함유량은 상기 표면으로부터 깊이 방향으로 일정 거리 이격된 지점의 질소 함유량보다 높은 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 14]
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크막은 두께가 20 å보다 크거나 같은성분변화구간포함하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 15]
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크막은 성분변화구간을 포함하며, 상기 하드 마스크막의 표면으로부터 깊이 방향으로 일정 거리 이격된 지점의 식각비의 변화가 상기 하드 마스크막의 표면의 식각비의 변화보다 큰 것특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 16]
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크막에 포함된 성분변화구간의 두께는 1nm보다 크거나 같고, 조성비가 상기 금속막의 깊이 방향으로 연속적으로 변하는원소질소인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 17]
제 1항에 있어서,상기 하드 마스크막의 깊이 방향으로의 밀도 변화는 0.2 g/cm3내지인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 18]
제 1항에 있어서,상기 레지스트막은 강산을 포함하는 레지스트 물질로 이루어지고, 상기 레지스트막 하부에는 상기 레지스트막보다 더 높은 농도를 가지는 강산을 포함하는유기박막형성된것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 19]
제 1항에 있어서,상기 레지스트막 하부에 형성된 유기 박막은 현상액에 의해현상되는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 20]
제 1항에 있어서,상기 투명 기판은 복수회의 랩핑 공정 및 복수회의 폴리싱 공정을 통해제조되는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 21]
제 20항에 있어서,상기 복수회의 랩핑 공정은 실리콘 카바이드(sic), 다이아몬드(c), 지르코니아(zro2) 및 알루미나(al2o3) 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는연마입자이용하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 22]
제 21항에 있어서,상기 연마입자의 크기는 4 ㎛내지인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 23]
제 20항에 있어서,상기 복수회의 폴리싱 공정은 산화세륨(ceo2), 콜로이달 실리카(sio2) 및 과산화수소(h2o2)를 포함하는 슬러리를 이용하여수행되는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 24]
제 23항에 있어서,상기 산화세륨의 입자 크기는 0.5 ㎛ 내지 5 ㎛이고, 상기 콜로이달 실리카의 입자 크기는 20 ㎛내지인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 25]
제 23항에 있어서,상기 슬러리의 산성도는 6 ph내지인것을특징으로 하는블랭크 마스크.
[청구항 26]
제 20항에 있어서,상기 복수회의 폴리싱 공정은 경도, 압축률 및 탄성회복률 중에서 적어도 하나가 상이한 패드를 이용하여 수행되는적어도3번의폴리싱공정포함하는것을특징으로 하는블랭크 마스크.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
블랭크 마스크의 금속막 또는 하드 마스크막이 다층 구조의 박막으로 이루어진 경우, 성분변화구간이 해당 박막 내부에 형성될 때의 두께 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation블랭크 마스크의 금속막 또는 하드 마스크막이 다층 구조일 때, 성분변화구간이 박막 내부에 형성되는 경우의 두께 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 다층 구조의 박막 내부에 성분변화구간이 형성됨을 명시하고, 청구항 4에서 해당 경우의 두께 조건을 언급한다.
- 상기 금속막 또는 상기 하드 마스크막은 복수의 박막이 적층되어 있는 다층 구조를 가지며, 상기 성분변화구간이 다층 구조의 박막의 내부에적어도하나형성되는것
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3근거 선택
evidence_selection성분변화구간이 다층 구조의 박막 내부에 형성되는 경우의 두께 조건을 직접적으로 기술한 청구항 4의 구절을 선택한다.
- 상기 성분변화구간이 상기 다층 구조의 박막의 내부에 형성되는 경우에, 상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같은 것
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4논리 통합
logical_integration청구항 3의 전제 조건(다층 구조 및 내부 형성)과 청구항 4의 구체적 수치 조건(5nm 이상)을 결합한다.
- 상기 성분변화구간이 상기 다층 구조의 박막의 내부에 형성되는 경우에, 상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같은 것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 성분변화구간의 두께가 5nm보다 크거나 같아야 한다는 결론을 도출한다.
- 상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같은 것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같은 것
최종 답변 (final_answer)
상기 성분변화구간의 두께는 5nm보다 크거나 같다.
핵심 해석 (core_interpretation)
다층 구조로 이루어진 블랭크 마스크의 금속막 또는 하드 마스크막 내부에서 성분 변화가 일어날 경우, 해당 성분변화구간의 두께가 5nm 이상이어야 한다는 기술적 조건을 정의한다.