문맥 (context)
[청구항 9]
청구항 8에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 실리콘 이산화물층에 형성된 제2 콘택 - 상기 제2 콘택은 상기 nfet 또는 상기 pfet 중 다른 하나인접하는반도체 디바이스.
[청구항 10]
청구항 8에 있어서,상기 제1 콘택은 상기 nfet의 소스 영역인접하는반도체 디바이스.
[청구항 11]
청구항 8에 있어서,상기 제1 콘택은 실리사이드 부분 및 금속 부분포함하는반도체 디바이스.
[청구항 12]
청구항 8에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 질화물 스트레스 라이너 위에 금속 라이너더 포함하는반도체 디바이스.
[청구항 13]
청구항 8에 있어서,상기 질화물 스트레스 라이너는 실리콘 질화물포함하는반도체 디바이스.
[청구항 14]
청구항 8에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 질화물 스트레스 라이너 위에 산화물층더 포함하는반도체 디바이스.
[청구항 16]
청구항 15에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 질화물 스트레스 라이너 위에 금속 라이너더 포함하는반도체 디바이스.
[청구항 17]
청구항 15에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 질화물 스트레스 라이너 위에 산화물층더 포함하는반도체 디바이스.
[청구항 18]
청구항 15에 있어서,상기 제1 콘택은 실리사이드 부분 및 금속 부분포함하는반도체 디바이스.
[청구항 19]
청구항 15에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 nfet 또는 상기 pfet 중 다른 하나(the other one)에 인접한 제2 콘택더 포함하는반도체 디바이스.
[청구항 20]
청구항 15에 있어서,상기 반도체 디바이스는상기 질화물 스트레스 라이너 위의 금속 라이너; 및상기 질화물 스트레스 라이너 위의 산화물층더 포함하는반도체 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
청구항 8을 인용하는 반도체 디바이스에서 제1 콘택의 구성 요소와 인접하는 영역은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 8을 인용하는 반도체 디바이스에서 제1 콘택과 인접한 영역이 무엇인지 찾아내는 것이 과제이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 제1 콘택과 인접한 영역에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 제1 콘택은 상기 nfet의 소스 영역인접하는반도체 디바이스
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 10의 구절을 근거로 선택한다.
- 상기 제1 콘택은 상기 nfet의 소스 영역인접하는
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4논리 통합
logical_integration청구항 10에 따르면 제1 콘택은 nfet의 소스 영역에 인접해 있음을 알 수 있다.
- 상기 제1 콘택은 상기 nfet의 소스 영역인접하는
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 콘택과 인접하는 영역은 nfet의 소스 영역이다.
- 상기 nfet의 소스 영역
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 nfet의 소스 영역
최종 답변 (final_answer)
상기 nfet의 소스 영역
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 CMOS 디바이스 내에서 제1 콘택이 nfet의 소스 영역에 인접하도록 구성된 반도체 디바이스의 구조적 특징을 포함한다.