문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체층은 n형 반도체층이고,상기 제2 타입의 반도체층은 p형 반도체층인질화물계 반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은:상기 제1 타입의 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 배치된 제2 타입의 불순물 도핑층; 및상기 제2 타입의 불순물 도핑층 상에 배치된 상기 제1 타입의 불순물 도핑층포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 반도체 기판은 1k옴(ohm) 미만의 저항값을 갖는 실리콘 기판을 포함하고,상기 베이스 기판은 1k옴 이상의 저항값갖는질화물계 반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 다이오드 구조물은 상기 질화물계 반도체 소자의 역방향 동작시에 상기 전극부로부터 상기 베이스 기판으로의 전류 흐름을 차단시키는 다이오드사용되는질화물계 반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기판은 상기 베이스 기판과 상기 에피 성장막 사이에 개재된 버퍼층을 더 포함하되,상기 버퍼층은 초격자층포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 초격자층은 인슐레이터층과 반도체층이 교대적층된질화물계 반도체 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 에피 성장막은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하고,상기 제1 질화막과 상기 제2 질화막의 경계에는 2차원 전자 가스생성되는질화물계 반도체 소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 전극부는:상기 에피 성장층 상에 배치된 쇼트키 전극;상기 쇼트키 전극으로부터 이격된 오믹 전극;상기 에피 성장층 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 일측에 배치된 소스 전극; 및상기 게이트 전극의 타측에 배치된 드레인 전극포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 전극부는 상기 베이스 기판의 하부면을 덮는 오믹 전극더 포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 쇼트키 장벽 다이오드 구조물은:쇼트키 전극; 및상기 쇼트키 전극으로부터 이격된 오믹 전극포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 13]
제 11 항에 있어서,상기 트랜지스터 구조물은:게이트 전극; 및상기 게이트 전극의 일측에 배치된 소스 전극; 및상기 게이트 전극의 타측에 배치된 드레인 전극포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 14]
제 11 항에 있어서,상기 트랜지스터 구조물은 고 전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor:hemt) 및 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor:fet) 중 적어도 어느 하나포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 15]
제 11 항에 있어서,상기 에피 성장막은:상기 베이스 기판 상의 제1 질화막; 및상기 제1 질화막 상에 배치되고, 상기 제1 질화막에 비해 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 질화막을 포함하고,상기 제1 질화막과 상기 제2 질화막의 경계에는 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는 2차원 전자 가스생성되는질화물계 반도체 소자.
[청구항 16]
제 11 항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체층은 n형 반도체층이고,상기 제2 타입의 반도체층은 p형 반도체층인질화물계 반도체 소자.
[청구항 17]
제 11 항에 있어서,상기 베이스 기판은:상기 제1 타입의 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상부에 제2 타입의 불순물 도핑층; 및상기 제2 타입의 불순물 도핑층의 상부에 상기 제1 타입의 불순물 도핑층포함하는질화물계 반도체 소자.
[청구항 18]
제 11 항에 있어서,상기 반도체 기판은 1k옴(ohm) 미만의 저항값을 갖는 실리콘 기판을 포함하고,상기 베이스 기판은 1k옴 이상의 저항값갖는질화물계 반도체 소자.
[청구항 19]
제 11 항에 있어서,상기 다이오드 구조물은 상기 질화물계 반도체 소자의 역방향 동작시에 상기 전극부로부터 상기 베이스 기판으로의 전류 흐름을 차단시키는 다이오드사용되는질화물계 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
질화물계 반도체 소자의 에피 성장막 구성 요소 중 제1 질화막과 제2 질화막의 경계에서 생성되는 2차원 전자 가스의 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질화물계 반도체 소자의 에피 성장막 내 제1 질화막과 제2 질화막의 경계에서 발생하는 2차원 전자 가스의 기능을 묻는 질문이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 15를 통해 제1 질화막과 제2 질화막의 경계에 2차원 전자 가스가 생성된다는 점과 그 역할을 확인한다.
- 상기 제1 질화막과 상기 제2 질화막의 경계에는 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는 2차원 전자 가스생성되는
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3근거 선택
evidence_selection2차원 전자 가스의 역할을 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 2차원 전자 가스가 쇼트키 장벽 다이오드 및 트랜지스터의 전류 이동 경로 역할을 수행함을 연결한다.
- 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 2차원 전자 가스는 쇼트키 장벽 다이오드와 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용된다는 결론을 도출한다.
- 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는
-
6답변 생성
answer_generation추출된 답변 형식을 사용하여 최종 답변을 작성한다.
- 상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용되는
최종 답변 (final_answer)
상기 쇼트키 장벽 다이오드와 상기 트랜지스터의 전류 이동 경로로 사용된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 질화막과 제2 질화막의 경계에 형성된 2차원 전자 가스를 활용하여 쇼트키 장벽 다이오드 및 트랜지스터의 전류 이동 경로를 제공하는 기술에 관한 것이다.